另一个运算微处理器大厂AMD当然也不可能放弃在此次ISSCC 2007**扬技术能力的机会。
这次AMD在会议中所发表的是，4核心运算微处理器相关的制程与设计技术，而这颗4核心运算微处理器已经迈入即将出货的阶段，根据AMD的规划，这颗开发代码为Barcelona的微处理器，预计在2007年中正式对外发表亮相，所诉求的是在提升运算处理能力的同时，还能兼顾到耗电量以及散热管理的能力。
这颗新一代的运算微处理器，AMD是利用65纳米的SOI CMOS制程技术，将4个CPU积集在同一芯片上，并且在这颗微处理器中的PMOS部分是采用了「embedded SiGe」的材料技术。AMD也延续了过去的习惯，在芯片的中内建了北桥以及RAM内存控制器，在浮点运算能力方面，可以达到过去的4倍。此外值得一提的是，AMD在运算微处理器中设计了三级的高速缓存，L1高速缓存的容量为64KB，提供作为指令及数据暂存之用，L2高速缓存是针对每个CPU设计512KB的容量，而L3高速缓存的容量则为2MB，其作用主要是提供4个核心共同使用。
这颗4核心运算微处理器除了前述的特点之外，AMD也在内部的电路设计了相当细致的温度管理能力，利用在各CPU核心中分别嵌入了8个与北桥中的6个，合计共有38个温度传感器，来确保长期与高速运作之下，运算微处理器的稳定度与效率，并且针对每一个运算核心都分别设计了独立的PLL电路、电源及温度传感器，这一点作法就和上述只采用一个PLL电路的英特尔设计概念完全不一样。AMD在各运算核心、HyperTransport电路以及北桥、暂存内存控制器中一共设计了10个PLL。另外，AMD电源电压的控制方面，也做了相当大程度的改善，包括各独立的运算核心在内，AMD共设计了10个独立的电压控制区块来确保将耗电量降到*低。（完）
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