在记寻纸上自动绘出存放空间和温度及湿度曲线，记录周期可自行选择1日、7日、32日，适用于半导体制造厂，环境实验室，化学品仓库，电脑计算机房等的温湿度记录。测量范围：温度：-15℃至+40,℃ 相对湿度：0-100% *小分格：温度1℃，相对湿度1% 准确度： 温度±1℃，相对湿度±3% 本体尺寸：336×148×295毫米，重量约3.1千克 传感器： 温度采用稳定的复合金属片条

变温霍尔效应实验仪 型号：DP-HT-648霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电

电路中，诸如来自切换瞬态过程（切断感性负载、继电器触点弹掉等），通常会对同一电路中的其他电气和电子设备产生干扰。这类干扰的特点是：高幅值、短上升时间、高重复率和低能量。成群出现的窄脉冲可对半导体

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加工，FOG，FOF，FOB等)。，将其垫付在热压头的底部表面，对温度有缓冲作用，使温度较为均匀，隔离被热压产品与热压头直接接触，同时具有防止静电漏电的隔离保护作用。2、绝缘半导体的热传

基本参数北极星脉冲分配器现货RIMSS2热销西安总代理详细说明种类:速度材料:聚合物材料物理性质:半导体材料晶体结构:单晶制作工艺:集成输出信号:数字型防护等级:IP66线性度:1（%F.S.）迟滞

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SDM2000个人剂量仪以半导体探测器作为X、γ探测器件，能够测量有X、γ辐射引起的个人累积剂量当量和剂量当量率。剂量和剂量率数据均可由LCD直接显示读出。剂量仪可预置剂量和剂量率报警阈值，超阈时

场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但,IKW15N120H3 [IGBT]IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型

标准型荧光传感器LUT3-6/LUT3-8/LUT3-9紫外半导体光源 无须更换灯具 通过使用互换透镜，可选择扫描范围 纤维光缆连接（LUT 3-8 和 LUT 3-9适用） 模拟输出（LUT 3-8 和 LUT 3-9适用） 附加光学滤光器（LUT 3-8 和 LUT 3-9适用）

红外测温仪测温范围:-40到2700℃. 光谱响应:0.9μm/1.6μm,用于测量金属或半导体材料的温度. 光谱响应:3.43μm和7μm,用于测量塑料物体的温度;5.1μm用于测量玻璃的温度