N-沟道 (150V 至 400V)意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ（200 V）的低导通电阻，采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电（PoE）、逆变器和汽车应用的各种要求。

◆频带范围宽 ◆无插入损耗 ◆抗干扰能力强 ◆电流过载能力强 应用领域： ◆交流可变速牵引电机牵引 ◆直流电机牵引的静电转换 ◆电池电源 ◆不间断电源(UPS) ◆开关电源(SMPS) ◆电焊机电源 注意事

12W(如果是欧规线路电压则可达20W)，可应用在离线电池充电器、电视与影像监视器的待机电源供应器；以及马达控制及其他应用之SMPS(交换式电源供应器)中。

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