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N-沟道 (150V 至 400V) IRT XXX系列 / ST XXX系列

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产品价格： < 面议
产品型号：IRT XXX系列 / ST XXX系列
品 牌：ST
公司名称：​深圳市英诺半导体有限公司​
所 在 地：广东深圳
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产品简介

N-沟道 (150V 至 400V)

意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ（200 V）的低导通电阻，采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电（PoE）、逆变器和汽车应用的各种要求。

产品详细信息

   N-沟道 (150V 至 400V)  

 N-沟道 (>150V 至 400V)
意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ（200 V）的低导通电阻，采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电（PoE）、逆变器和汽车应用的各种要求。
N-沟道 (>150V 至 400V)
意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ（200 V）的低导通电阻，采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电（PoE）、逆变器和汽车应用的各种要求。
N-沟道 (>150V 至 400V)
意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ（200 V）的低导通电阻，采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电（PoE）、逆变器和汽车应用的各种要求。
 

功率MOS管

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​深圳市英诺半导体有限公司​
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