该芯片的*大特点是采用电压控制临界工作模式，其它性能特点如下：

　　150μs的内置启动定时电路;低的THD及高的功率因数;过压、欠压、过流保护;零电流检测器;CRM控制模式;工作温度范围是一40℃～+125℃;低启动电流(40μA)及低工作电流(1.5mA)。

　　FAN7530是一个引脚简单、高性能的有源功率因数校正芯片。它是被优化的、稳定的、低功耗、高密度的电源芯片，且外围元器件少，节省了PCB布线空间。内置R/C滤波器，抗干扰能力强，对抑制轻载漂移现象增加了特殊电路。对辅助电源范围不要求，输出图腾驱动电路限制了功率MOSFET短路的危险，极大地提高了系统的可靠性。

　　第1脚：INV(输出电压反馈)连接跨导放大器，OVP比较比较器，Disable比较器。跨导放大器取代了传统的电压放大器，它其实是电压转换的电流放大器，通过COMP脚输出决定MOS的关断时间。

　　第2脚：开环占空比设置(MOT)这个脚是开环占空比设置脚。该脚通过对地电阻RF919设置三角波斜率，确定开环*大占空比;通过调节与PFC电感辅助绕组的电阻RF927，可以减小过零点时电流波形(红色)畸变，降低THD值(总谐波量)。

　　第3脚：误差放大器的输出端，相位补偿(电压/电流相位调整)(COMP)这个脚是内部跨导放大器输出，外接电阻电容，CCOMP提升低频增益，RCOMP提升中频增益。CFILER消除高频纹波。另反馈原理如下：

　　第4脚：MOS管源极电流检测输入端(CS)这个脚输入的MOS QF902源极(S)电阻端电压，在MOS QF902的源极电阻RF911上进行源极电流取样。当MOS管过流时，该取样电压上升，输入第4脚电压高于比较器的参考电压0.8V，比较器发生保护。关断MOS。

　　第5脚：过零检测输入(ZCD)通过电感的辅助线圈来检测电感的电流，当电感的电流为零时，开启MOS，当MOS开启时，辅助线圈的电压为负且与输入交流电压成比例;当MOS关断，辅助线圈的电压为正电压且与输出与输入电压成比例。当电感电流为零时，MOS并没有立即导通，此时MOS的DS之间COSS 将与电感产生谐振。为了减少零交叉失真，必须选择大的电感和COSS较小的MOS管，但较小的COSS的MOS管和大的电感在成本上较贵。为了减少交越失真，在靠近AC交越处，将MOS管的开启时间加长，通过在MOT与辅助线圈之间串一个电阻即可。因为开启的时候辅助线圈的电压为负压且与输入电压成正比。

　　第6脚：GND接地脚。

　　第7脚：MOS管QF902激励输出(OUT) 第7脚输出MOS激励脉冲，经过“驱动电路”驱动QF902工作，RF905是限制QF902栅-原极初始充电的限流电阻，DF903,RF920组成是激励脉冲下降沿促使栅-源快速放电的放电电路。工作过程如下：在激励脉冲上升沿(T1时间);DF903截止，激励脉冲经RF905对栅-源充电，形成栅-源电场，MOS管迅速导通。在激励脉冲平顶持续时间(T1-T2时间)，由于电场的持续导通维持，此时导通呈阻性。在激励脉冲下降沿(T3时间);通过 DF903导通快速放电;MOS管快速关断，完成一个斩波周期。

　　第8脚：VCC供电脚。