1．氦气压强对输出功率的影响。氦气*佳气压值由下式近似估计：
Pd=10-12Torr.mm
2．镉源温度对输出功率的影响。当镉源温度升高时，镉原子密度增加，使参与激光过程的Cd+粒子数增多，有利于提高输出功率。但是另一方面由于镉的电离电位和激发电位都较低，自由电子容易与其发生碰撞而失去能量。因此镉蒸气密度过大时，将导致管内的温度下降，使亚稳态氦原子数减少，从而使输出功率下降。所以存在一个*佳镉蒸气压强的*佳镉源温度。
*佳温度随激光管结构的不同而不同，约为200-250℃。当*佳镉蒸气压约为10-3Torr，镉原子密度约为3×1014cm-3。
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