2Gb大容量动态存储器芯片

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型号:2Gb DDR2
   公司:山东华芯半导体有限公司
   英文名称:Shandong Sinochip Semiconductors Co., Ltd.

   芯片概述

   华芯DRAM芯片是中国自主品牌的**DRAM产品,在功耗与性能上有明显优势。目前广泛应用于服务器、计算机、笔记本电脑、高清电视、机顶盒、上网本、平板电脑(PAD)、移动信息终端(MID)等产品。
   华芯DRAM芯片采用业内**的BWL(埋藏字线)技术进行设计,在相同工艺水平下,可以提供更优异的性能和更低的功耗。从晶圆到颗粒**的品质管控,通过严格的测试流程进行筛选,确保产品的稳定性和可靠性。

   芯片封装形式

   TFBGA60 和 TFBGA84

   生产工艺

   12英寸65nm 掩埋字线工艺

   主要功能和技术指标

   产品完全满足JEDEC DDR2 标准

   主要性能指标:
   芯片尺寸: 9.668mmx10.384mm
   芯片容量:2Gbit/片
   数据率:800Mhz-1066Mhz
   标称工作电压:1.8V,可选低电压1.5V工作模式
   静态功耗均值 5.0mA
   *大动态功耗均值 125mA

   本产品所获得的**

   已受理**5项
   已获取**1项

   本产品获奖情况

   (IC CHINA) *佳**展品奖

   企业简介

   山东华芯半导体有限公司成立于2008年5月,注册资本3亿元,是山东省政府确定的集成电路龙头企业。公司总部位于济南,并设立西安华芯半导体有限公司(存储器研发中心),在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。
   2009年5月,华芯成功收购德国奇梦达科技中国研发中心,跨越式拥有了世界先进水平的存储器设计团队,获得了先进的软硬件设计平台和高水平的分析测试实验室,一举成为中国**的半导体存储器集成电路设计研发企业。
   公司拥有近百人的国际化研发团队,其中外籍员工7人,归国高层次人才8人,国内知名院校硕士学位以上毕业生占85%。