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英飞凌推出62 mm封装CoolSiC产品组合，实现高效率和功率密度
日期：2024-05-06 13:07
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摘要：英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至 太阳能、 服务器、 储能、 电动汽车充电桩、 牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。
增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口，即使...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至 太阳能、 服务器、 储能、 电动汽车充电桩、 牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。
增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰的高可靠性。此外，极低的开关损耗和传输损耗可以*大限度地降低冷却需求。结合高反向电压，这些半导体器件还可满足现代系统设计的另一项要求。借助英飞凌CoolSiC TM芯片技术，转换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。
配备铜基板和螺纹接口，该封装具有高鲁棒性的机械设计，可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的热循环能力和150°C的连续运行结温（T vjop）实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料（TIM），进一步提高模块的热性能。
供货情况
采用62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供选择。2000 V产品组合将包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A两种型号。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型号将于2024 年一季度推出。它还有专为快速特性评估（双脉冲/连续工作）设计的评估板可供选择。为了便于使用，该评估板还提供可灵活调整的栅极电压和栅极电阻，同时还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。
增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰的高可靠性。此外，极低的开关损耗和传输损耗可以*大限度地降低冷却需求。结合高反向电压，这些半导体器件还可满足现代系统设计的另一项要求。借助英飞凌CoolSiC TM芯片技术，转换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。
配备铜基板和螺纹接口，该封装具有高鲁棒性的机械设计，可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的热循环能力和150°C的连续运行结温（T vjop）实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料（TIM），进一步提高模块的热性能。
供货情况
采用62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供选择。2000 V产品组合将包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A两种型号。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型号将于2024 年一季度推出。它还有专为快速特性评估（双脉冲/连续工作）设计的评估板可供选择。为了便于使用，该评估板还提供可灵活调整的栅极电压和栅极电阻，同时还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。
