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三菱开始提供配置第7代硅片的 “T系列IGBT模块” 样品
导读： 三菱电机株式会社计划从6月30日开始陆续提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模块”样品，共有3种封装48个品种，适用于各种用途的工业设备。这些产品能够满足通用变频器、电梯、不间断电源（UPS）等工业设备低功耗和高可靠性的需求。三菱电机株式会社计划从6月30日开始陆续提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模块”样品，共有3种封装48个品种，适用于各种用途的工业设备。这些产品能够满足通用变频器、
发布时间：2015-09-30 11:03
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西门子变频器参数设置方法
导读： 在一切需要速度控制的场合，变频器以其操作方便、体积小、控制性能高而获得广泛的应用。变频器在使用中出现的一些问题，很多情况下都是因为变频器参数设置不当引起的。近十多年来，随着大规模集成电路、计算机控制技术以及现代控制理论的发展，特别是矢量控制技术的应用，使得交流变频调速技术逐步具备了宽调速范围、高稳速精度、快动态响应，以及在四象限作可逆运行等良好的技术性能，调速特性可与直流电气传动相媲美。在
发布时间：2015-09-28 11:20
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西门子变频器在共直流母线系统中的应用
导读： 本文介绍了应用西门子公司的SIEMENS变频器在共直流母线产品中代替逆变器，实现对纸机传动设备的拖动。1、纸机传动概况造纸机电气主传动系统采用VACON共直流母线的逆变器调速系统，原系统包括整流器一台、29台电机由29个逆变器拖动，控制部分采用AB公司生产的PLC、OP。此次改造传动部分新加设11台逆变器总功率为130KW。施胶定辊22KW(一台)、施胶动辊22KW(一台)、计量辊11KW
发布时间：2015-09-25 11:05
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哪些因素会影响变频器IGBT模块**？
当变频器面临异常工作状态时，采取停机或其它保护措施，尽*大可能保护IGBT模块的**。究竟有哪些因素会影响乃至危及IGBT模块的**呢?1、电压因素(1)IGBT模块的供电电压过高时，将超出其**工作范围，导致其击穿损坏;(2)供电电压过低时，使负载能力不足，运行电流加大，运行电机易产生堵转现象，危及IGBT模块的**;(3)供电电压波动，如直流回路滤波(储能)电容的失容等，会引起浪涌电流及尖峰电
发布时间：2015-09-01 11:05
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SanRex三社可控硅二极管模块-PK、PD、PE、KK、DD、KD、PWB系列
SanRex三社可控硅二极管模块-PK、PD、PE、KK、DD、KD、PWB系列三社SanRex可控硅/二极管模块电路图PKPDPEKK
发布时间：2015-08-25 10:06
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CONCEPT IGBT驱动
SCALE-2芯片组的特征全定制专用集成电路(ASIC), 高电压数模信号混合,C-MOS技术CompatibleSCALECoresandSCALE-Plug-and-Playdrivers延迟时间80ns±4ns, 抖动量±1ns
发布时间：2015-08-25 10:00
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NewSCALE2驱动板
NewSCALE-2即插即用驱动板采用SCALE-2即插即用驱动板可轻便快速地实现高可靠性及高性价比的系统。所有的即插即用SCALE-2驱动器支持直接并联。通过简单的并联IGBT模块及驱动板即可系统扩容。受益于广泛得知的CONCEPT公司超过20年的驱动设计经验。可从下面的列表里为使用的IGBT选择合适的驱动器，可以使IGBT模块发挥充分的作用并得到可靠的保护。
发布时间：2015-08-25 09:56
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西门康可控硅的原理介绍
西门康可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 为了能够直观地认识晶闸管的工作特性。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正极(这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正极)。晶闸
发布时间：2015-07-07 15:00
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ABB可控硅5STP系列普通晶闸管其规格型号近百种
ABB可控硅5STP系列普通晶闸管其规格型号近百种，可满足大功率的工业生产，电气传动领域的需要，尤其在电力系统中，这些元件广泛应用于高压直流输电(HVDC)、功率励磁柜,整流柜,充电机,同步电动机励磁整流柜,交流变频电机,电磁除铁器,直流电源,晶闸管投切电容,可控串联补偿装置(TCSC，ThyristorControlledSeriesCompensation),静止无功补偿器(SVC),晶闸管控
发布时间：2015-07-01 17:12
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ipm模块即智能功率模块
ipm模块即智能功率模块，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。 即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。ipm模块一般使用IGBT作为功率开关元件，内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM以其高可靠性，使用方便赢得越来越大的市
发布时间：2015-06-21 22:24
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西门康可控硅GTO亦称门控可控硅
西门康可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控可控硅。其主要特点为，当门极加负向触发信号时可控硅能自行关断。 普通西门康可控硅（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断可控硅克服了
发布时间：2015-06-16 16:15
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中频炉可控硅经常烧毁损坏原因诊断及分析
1、中频炉逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降——更换水冷套。有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。其判断方法是：将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。 2、
发布时间：2015-06-08 15:36
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ipm模块有什么特点？
ipm模块与以往IGBT模块及驱动电路的组件相比具有如下特点：(1)内含驱动电路。设定了*佳的IGBT驱动条件，驱动电路与IGBT间的距离很短，输出阻抗很低，因此，不需要加反向偏压。所需电源为下桥臂1组，上桥臂3组，共4组。(2)内含过电流保护(OC)、短路保护(SC)。由于是通过检测各IGBT集电极电流实现保护的，故不管哪个IGBT发生异常，都能保护，特别是下桥臂短路和对地短路的保护。(3)内
发布时间：2015-06-05 17:21
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可控硅主要参数
可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。*早出现的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为**代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流
发布时间：2015-06-02 09:34
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IGBT保管、使用、选择时的技巧
IGBT保管、使用、选择时的技巧 对于选择和安装过程中应该注意的方面，对IGBT的特性注意事项进行了研讨。IGBT模块简介 相信大家都知道IGBT是绝缘栅双极型晶体管缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSF
发布时间：2014-05-09 13:24
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