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全新第八代12000V IGBT平台 IR****
日期：2025-12-18 10:04
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摘要：
全球功率半导体和管理方案**供应商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供**性能。
全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值，加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路额定值，能够减少功耗，有效增加功率密度并带来**的耐用性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR通过开发全新基准技术及**的IGBT硅平台，彰显其数十年...
全球功率半导体和管理方案**供应商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供**性能。
全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值，加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路额定值，能够减少功耗，有效增加功率密度并带来**的耐用性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR通过开发全新基准技术及**的IGBT硅平台，彰显其数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达实现***变频，从而更有效地使用电能，并且绿化环境。”
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新技术为电机驱动应用提供更理想的软关断功能，通过尽量降低dv/dt来减少电磁干扰和过压情况，有助于提升可靠性及耐用性。该平台的参数分布狭窄，在进行多个IGBT并联时便可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热阻，还可达到175°C的*高结温。
潘大伟指出：“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供**的技术。该IGBT平台凭借**的VCE(ON)、**的耐用性及**的开关功能，使工业市场所面临的难题迎刃而解。”
