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几种用于IGBT驱动的集成芯片



     在一般较低性能的三相电压源逆变器中,各种与电流相关的性能控制,通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可,如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时,这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中 IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中,对 IGBT 驱动电路的要求相对比较简单,成本也比较低。
TLP250包含一个 GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器, 8 脚双列封装结构。适合于 IGBT 或电力 MOSFET 栅极驱动电路。


集成芯片 的典型特征如下:
1 )输入阈值电流( IF ): 5mA (*大);
2 )电源电流( ICC ): 11mA (*大);
3 )电源电压( VCC ): 10 ~ 35V ;
4 )输出电流( IO ): ±0.5A (*小);
5 )开关时间( tPLH/tPHL ): 0.5μs (*大);
6 )隔离电压: 2500Vpms (*小)。

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