IGBT(绝缘栅双极型晶体管),绝缘栅双极型晶体管,是由是(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的复合完全控制电压驱动型功率半导体器件,具有高输入阻抗的MOSFET和GTR低导电两者优点的压降。GTR饱和压降低,电流密度,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率小,开关速度快,但传导电压降大,载流密度小。
以优势的上述两种器件IGBT、驱动功率小、低饱和电压。非常适合应用在直流电压是600 v以上变量流系统,如交流电机、变频器、开关电源、照明、牵引驱动电路等。
电压的IGBT模块规格和使用的设备输入电源或试电源电压是密切相关的。
之间的关系,看下面的表格。用于当IGBT模块集电极电流增加,额定损失更大。
增加同时,开关损耗,加剧了原来的发烧,因此,在选择IGBT模块额定电流应大于负载电流。特别是当用于高频开关,由于开关损耗增加、发热和选择应减少在使用等。
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