晶闸管模块的定义
晶闸管模块、晶闸管(可控硅层流器,可控硅)。
自从1950年代的到来已经发展成单个大的家庭,其主要成员ChanXiangJing闸流管、双向晶闸管,光控晶闸管,可控硅,可关掉晶闸管、快速晶闸管,等等。
今天每个人都使用单个ChanXiangJing制动管,也是普通晶闸管,人们常说这是由四层半导体材料,有三个pn结,外部有三个电极,即**层P型半导体铅电极称为阳极,一层3 P型半导体铅电极称为操控G,第四层的N型半导体铅电极是阴极K。
符号可看到从晶闸管电路,它是一种单一的方向和二极管导电装置,关键是要有单个更多的操控,这使得它有G的单个完全不同于二极管的工作特性。
晶闸管的万用表可区分三个电极
普通晶闸管三个电极可使用万用表欧姆块R×100齿轮测试。
我们都知道,晶闸管是单个pn结G、K之间(图2(a)),相当于单个二极管,G为阳性,K是负的,那么,根据测试法对二极管,找出两个三极极,测量其积极和反向电阻,电阻,万用表黑色钢笔和操控非常G、红笔和连接阴极K,剩下的单个是阳极单个。
测试质量的晶闸管可使用只是教学演示板电路(图3)。
打开电源开关,按下按钮开关某人,灯泡光好,别光坏。
主要使用的晶闸管在电路
普通的是*基本的使用晶闸管可控层流器。
熟悉的二极管层流电路是可控层流器电路。
如果改变二极管晶闸管,可构成单个可控层流电路、逆变器、电动机转速、电机励磁、无触点开关和自动操控等。
现在我画单个简单的单相半波可控层流电路(图4(a))。
在正弦交流电压正半周期期间的U2,如果VS操控没有输入触发Ug,VS仍然不能导电,只在U2在正半周期,操控和触发脉冲,晶闸管触发时,Ug传导。
现在,吸引其波形图(图4(c)和(d))中,您可看到,只有如果触发脉冲Ug到达时,负载RL是UL输出电压波形(阴影)图上。
Ug来得早,晶闸管传导时间早;
Ug的迟到,可控硅导电时间晚了。
通过改变操控触发器在Ug到达时间,可调整输出电压在负载平均UL(阴影部分的面积大小)。
在电工技术,经常把半个周期的交流电(ac)在180°,称为电动角。
在U2是每半周期,从零触发到达角的称为操控即时电角度α;
在每个半周可控硅导通角的电传导角θ。
显然,α和θ是用来代表晶闸管在正向电压在半周范围的传导或块。
通过改变操控角α或导通角θ,改变脉冲直流电压在负载平均UL、可控层流器是意识到。
如何识别三极的可控硅
识别晶闸管三极法非常简单,根据pn结的原则,只要万用表测量电阻值可在三极。
正向和反向电阻阳极和阴极之间在几十万以上,正向和反向电阻阳极和操控之间成千上万的欧洲(两个pn结在它们之间,和在相反的方向,所以阳极和操控是非常积极的和消极的说)。
操控杆和阴极之间是单个pn结,所以其积极的抵抗着几个欧洲——的范围,数以百计的反向电阻大于正向电阻。
但操控二极管特性不是很理想,相反的是不完全的阻塞状态,可有单个更大的电压通过,所以,有时测量操控反向电阻很小,不告诉操控特性非常坏。
此外,当测量操控是非常积极的和消极的抵抗,万用表应该在10或R * R * 1块,防止反向击穿电压操控是非常高的。
如果阴阳是非常积极的和消极的测量元素有单个短路,或阳极和操控极短路,或反向短路操控极和阴极,或操控极和阴极电路、元件损坏。
SCR可控硅层流器是短暂的组件,是一种有三个四层结构的pn结高功率半导体器件。
事实上,可控硅的功能不仅是层流器,它还可被用来作为单个非接触式开关快速度过或切断电路,实现了直流到交流逆变器,单个频率的交流电变成另一种频率的交流电(ac),等等。
可控硅和其它半导体器件,它有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等。
它的到来,半导体技术从弱电领域进入了强电领域,如工业、农业、交通、**、科学研究、商业和民用电器元件使用。
一、结构和性能的可控硅层流器
年代可控硅的主要点是在螺旋形状,板型和扁平型三种类型(见图- 25)。
应用螺旋。
年代可控硅有三个电极,阳极阴极(C)(A)和操控(G)。
它有单个管芯是单个p型和n型导体导体重叠的四层结构,有三个pn结。
结构关系图和符号见表- 26。
S - 26从图中可看出,只有pn结硅层流晶闸管和两个极端管的结构是非常不同的。
可控硅的四层结构和操控参考,玩“小操控大“良好的操控特性奠定了基础。
在应用程序的可控硅层流器,只要在操控和小电压或电压,可操控很多的阳极电压或电压。
现在可产生电压容量高达几百安培到数千安培的晶闸管。
一般称为可控硅在安培的五个小功率晶闸管,可控硅是超过50安培大功率晶闸管。
操控年代可控硅为什么其“大”的操控?
我们用下面的图表——27日到简单分析了可控硅的工作原理。
年代,首先,我们可把数量的上升从阴极的**,**和第三层表面是单个NPN型晶体管模型,两个,三个或四个层的另单个PNP晶体管。
其中**和第三层为两个常见管重叠。
所以你可画单个图- 27(C)的等效电路图来分析。
当加上正向电压阳极和阴极之间的Ea,和在操控在G和C阴极(相当BG1)之间的一种拍摄单个触发信号输入,将生产基地当前Ib1 BG1,放大,放大BG1将有单个β1倍IC1集电极电压。
因为BG1收集器和BG2基地相连,Ib2 IC1和BG2基极电压。
和Ib2 BG2比(Ib1)放大了beta 2集电极电压IC2回基地的BG1放大。
所以回路放大器,直到BG1和BG2完成传导。
这个过程是“爆炸性”的过程对可控硅触发信号来操控,可控硅导电立即。
传导时间主要取决于晶闸管的性能。
年代一旦触发可控硅开机,因为反馈循环后,流入BG1基极电压不仅初始Ib1,但之后的BG1和BG2放大电压(β2 * 1 *βIb1)大于当前Ib1,足以让BG1连续传导。
即使触发信号消失,仍在国家只可控硅Ea关机或减少Ea,保持BG1和BG2集电极电压小于在传导的*小值,可控硅应该关闭。
当然,如果Ea极性反向连接,BG1和BG2由于反向电压将在关闭状态。
在这一刻,即使输入触发信号,晶闸管不能工作。
Ea,反过来,变成单个积极的,和触发信号为负,也不是可控硅导电。
此外,没有触发信号,但积极的阳极电压超过一定值时,晶闸管传导,但现在属于非正常操作条件。
年代可控硅(小电压)来触发这个通过触发信号来操控传导通过大电压(SCR)的可控特性,它是不同于常见的特征硅层流二极管。
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