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英飞凌IGBT特点

英飞凌IGBT:
特点:☆开关频率可达40KHz(硬开关)☆内置Emcon快恢复二极管
  英飞凌(Infineon)“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术,NPT-IGBT上等单管具有:
  ◆正温度系数饱和压降,易于并联,具有类MOSFET特性。  
◆参数离散性小,便于批量生产。
  ◆拖尾电流小,且随温度增加不明显增加高温特性优异。  
◆开关速度快,高频特性好。
  ◆无锁定效应,过载能力强,可靠性高。
英飞凌IGBT的介绍:
  ☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术    
       ☆*大工作结温可达Tjmax≤175℃
  ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
       ☆适合开关频率fs≤30KHz☆TO-247封装易于安装
       ☆采用沟槽栅+电场终止层IGBT工艺技术        
        ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
  ☆适合开关频率fs≤20KHz的应用领域
     尊敬的客户:
    您好,本企业坚持以品质立业,以诚信守业,以更坚定的步伐不断攀登新的高峰,欢迎顾客们放心选购,我们将竭诚为您服务,我公司主要产品有:西门康IGBT、富士IGBT、LAMBDA电源模块等。
    我司是一支技术量雄厚的高素质的开发群体,为广大用户提供高品质产品,完整的解决方案和上等的技术服务公司。
    


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