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	XC61CN2502MR电压检测IC（芯片） XC61CN2502MR	XC61CN2502MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2402MR电压检测IC（芯片） XC61CN2402MR	XC61CN2402MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2302MR电压检测IC（芯片） XC61CN2302MR	XC61CN2302MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2202MR电压检测IC（芯片） XC61CN2202MR	XC61CN2202MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2102MR电压检测IC（芯片） XC61CN2102MR	XC61CN2102MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2002MR电压检测IC（芯片） XC61CN2002MR	XC61CN2002MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN1902MR电压检测IC（芯片） XC61CN1902MR	XC61CN1902MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN1502MR电压检测IC（芯片） XC61CN1502MR	XC61CN1502MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN1202MR电压检测IC（芯片） XC61CN1202MR	XC61CN1202MR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2002MR 电压检测IC(芯片） XC61CN2002MR	XC61CN2002MR 电压检测IC(芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61CN2002MR受温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CC1502MR 电压检测IC(芯片） XC61CC1502MR	XC61CC1502MR 电压检测IC(芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61CC1502MR受温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CC1202MR 电压检测IC(芯片） XC61CC1202MR	XC61CC1202MR 电压检测IC(芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61CC1202MR受温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	BL8530-271SM DC-DC升压芯片 BL8530-271SM	BL8530-271SM DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。
	BL8530-201SM DC-DC升压芯片 BL8530-201SM	BL8530-201SM DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。
	BL8530-502NR DC-DC升压芯片 BL8530-502NR	BL8530-502NR DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。
	BL8530-402NR DC-DC升压芯片 BL8530-402NR	BL8530-402NR DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。
	BL8530-362NR DC-DC升压芯片 BL8530-362NR	BL8530-362NR DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。
	BL8530-332NR DC-DC升压芯片 BL8530-332NR	BL8530-332NR DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。
	BL8530-302NR DC-DC升压芯片 BL8530-302NR	BL8530-302NR DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。
	BL8530-282NR DC-DC升压芯片 BL8530-282NR	BL8530-282NR DC-DC升压芯片系列是PFM 控制的开关型DC/DC升压稳压芯片。0.8V 的启动电压、高达200mA的负载驱动能力（当Vin=1.8V，ut=3.3V时），极低的静态功耗（Iq<5.5uA）使得BL8530 非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。 BL8530 在电路设计及生产中，特别针对开关电路固有的噪声问题进行了改良，极大的减小了对其周边电路的干扰。

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