MOS的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,驱动复杂 场效应管与三级管的比较:
1)场效应管是电压操控元件,而三级管是电流操控元件;
2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件;
3)场效应管灵活性比三级管好;
4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
场效应管(FET)是利用电场效应操控电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被广泛应用。
FET和双极型三极管相类似,电极对应关系是b®G、e®S、c®D;由FET组成的扩大电路也和三极管扩大电路相类似,三极管扩大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流),而FET扩大电路的场效应管栅极没有电流,所以FET扩大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。
FET组成的扩大电路和三极管扩大电路的主要区别在于:场效应管是电压操控型器件,靠栅源之间的电压变化来操控漏极电流的变化,扩大作用以跨导 来体现;三极管是电流操控型器件,靠基极电流的变化来操控集电极电流的变化,扩大作用由电流扩大倍数 来体现。
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