场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称MOS管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压操控型半导体器件。具有传入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、**工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
MOS管与三极管的各自应用特点
1.MOS管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
2.MOS管是电压操控电流器件,由vGS操控iD,其扩大系数gm一般较小,因此MOS管的扩大能力较差;三极管是电流操控电流器件,由iB(或iE)操控iC.
MOS管
3.MOS管栅极几乎不取电流(ig »0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此MOS管的栅极传入电阻比三极管的传入电阻高。
4.MOS管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而MOS管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用MOS管。
5.MOS管在源极金属与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,β值将减小很多。
6.MOS管的噪声系数很小,在低噪声扩大电路的传入级及要求信噪比较高的电路中要选用MOS管。
7.MOS管和三极管均可组成各种扩大电路和开关电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
8.三极管导通电阻大,MOS管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现用电器件上,一般都用MOS管做开关来用,他的效率是比较高的。
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