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深圳市英诺半导体有限公司
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公司简介
注册时间:
2010-11-24
联系人:
王超
电话:
0755-36523913
Email:
1131757971@qq.com
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产品名称/型号
产品简单介绍
低噪声放大器(LNA)
XC2402
低噪声放大器(LNA) XC2402KT69UR-G是采用了CMOS工艺、实现了低电源电压、低NF、低消耗功率的高频放大器(LNA)。本产品可以使用于频带在470MHz~880MHz之间、包括用于移动设备的地波数字式广播频带的RF信号放大LNA、输入输出都能用少量50Ω匹配的外置零部件简单地实现。
低噪声放大器(LNA)
XC2408
低噪声放大器(LNA) The XC2408A816UR-G is an ultra-low-noise amplifier (LNA) with low operating voltage, low noise figure (NF), low power consumption using CMOS process,
低噪声放大器(LNA)
XC2407
低噪声放大器(LNA) The XC2407A816UR-G is an ultra-low-noise amplifier (LNA) with low operating voltage, low noise figure (NF), low power consumption using CMOS process,
低噪声放大器(LNA)
XC2406
低噪声放大器(LNA) The XC2406A816UR-G is an ultra-low-noise amplifier (LNA) with low operating voltage, low noise figure (NF), low power consumption using CMOS process,
低噪声放大器
XC2404A816UR-G
XC2404A816UR-G是采用CMOS工艺实现了频率为用干GPS的1.6GHz, 低电压驱动(1.14V~1.26V,固定偏置时), 低消耗电流(12.0mW,固定偏置时), 低NF(0.94dB, TYP.)的低噪声放大器系列产品。 此外,增加1只电阻即可进行自给偏置, 对应1.8V, 2.85V的电源电压。 输入输出均能以少量的外置零部件实现50Ω的匹配。
低噪声放大器
XC2401系列
该XC2401系列低噪声放大器是低工作电压,低鼻子系数(NF),低功耗(LNA)消费使用CMOS工艺。 该器件提供了方便的输入和输出匹配以较少的外部元件输出到50Ω。内部自偏置功能无需外部偏置设定。该器件工作在1.2V。对于诸如1.8V和2.85V更高的电源,该设备可以操作一个自偏置one增加电阻。
震荡器IC
XC2164
震荡器IC XC2164系列是高频率,低消耗电流,采用CMOS工艺生产的芯片。芯片内置了晶体振荡器和分配器电路。
震荡器IC
XC2300
震荡器IC 2300/2301系列是一组高频率,低功率,采用了CMOS工艺生产的三态缓冲器芯片。芯片内部包括输入放大器,分配器和输出三态缓冲器
三态缓冲器IC
XC2301系列
2300/2301系列是一组高频率,低功率,采用了CMOS工艺生产的三态缓冲器IC芯片。芯片内部包括输入放大器,分配器和输出三态缓冲器。 2300/2301系列的输出可选为:fin/1, fin/2, fin/4, fin/8.(fin=输入频率) 2300/2301系列采用SOT-26封装。
振荡器IC
XC2165系列
XC2165系列是一款内置晶振电路和分频电路并采用CMOS工艺的振荡器IC。此系列芯片的工作电压是1.5V到3.6V,分频电路的输出频率可选为f0:f0/1,f0/2,f0/4,f0/8。 由于芯片内置有振荡电容和反馈电阻,所以只需外接一个晶体振荡器便可得到一个稳定的基波。在待机状态下,振荡器完全停止工作,引脚Q0的输出为高阻抗。XC2165系列芯片采用SOT-26 封装。该系列也提供裸芯片。
振荡器IC
XC2163系列
XC2163系列振荡器IC是以高频, 低消耗电流工作的晶振用CMOS集成电路。内置晶振电路和分频电路。 可从主时钟f0的分频 f0/1, f0/2, f0/4, f0/8中选择1种输出。 通过内置振荡容量, 振荡反馈电阻,仅外置晶体振荡器即能够产生稳定的3次谐波。 备有能够外置振荡容量和振荡反馈电阻来调整工作频率的型号。
PLL时钟发生器
XC25BS5
PLL时钟发生器 XC25BS5系列是以高频, 低消耗电流工作,内置分频, 倍频电,路的超小型封装PLL时钟发生器。
PLL时钟发生器
XC25BS8系列
XC25BS8系列是能在低频输入8kHz, 4095倍的范围内倍频工作的PLL时钟发生器IC。 小型化,同步抖动小,实现128倍,256倍,512倍等高倍频。 输入端分频因子(M)可从1~2047的分频范围内进行选择;输出端分频因子(N)可从1~4095的分频范围内进行选择。 输出频率在1MHz~100MHz的范围内,输入时钟为8kHz~36MHz的标准时钟。
PLL时钟发生器
XC2173系列
XC2173系列是以高频, 低消耗电流工作的晶振用CMOSPLL时钟发生器。 内置晶振电路, 分频电路和时钟信号倍频用PLL电路。 可从主时钟f0,及f0×5, f0×6, f0×7, f0×8, f0/2, f0/4, f0/8中选择1种输出频率。 内置振荡容量, 振荡反馈电阻,仅外置晶体振荡器即能够构成稳定的振荡电路。 另外,可通过外部输入基准时钟信号,产生上述的输出频率。
PLL时钟发生器
XC25BS7系列
XC25BS7系列是内置分频, 倍频电路, 在整个频率范围内保持低消耗电流, 具有超小型封装的PLL时钟发生器IC。输入端分频比(M), 输出端分频比(N)的值均可以在1~256范围内通过激光微调方式自由选择。输出时钟(fQ0)的频率等于标准时钟输入频率乘以N/M的比值(即fQ0=fCLKin×N/M)。时钟输出的频率范围为:1MHz~100MHz。时钟输入频率的范围为:32kHz~36MHz。
肖特基二极管
XBS系列
肖特基二极管属一种低功耗、超高速半导体器件。*显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
瞬态电压抑制器(TVS)
XBP1001 /02/04/06/07/08/09/10/11/12/13
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瞬态电压抑制器(TVS)
XBP06V4E2HR-G
瞬态电压抑制器(TVS) 系列名称 特点 击穿电压 (V MIN) 泄漏电流 (μA MAX) 端子间电容量 (pF) ESD耐受 (kV) XBP06V4E2HR-G 2元素 6.4 1 40 30
瞬态电压抑制器(TVS)
XBP06V1E4MR-G
瞬态电压抑制器(TVS) 系列名称 特点 击穿电压 (V MIN) 泄漏电流 (μA MAX) 端子间电容量 (pF) ESD耐受 (kV) XBP06V1E4MR-G 4元素 6.1 2.5 170 30
瞬态电压抑制器(TVS)
XBP06V4E4GR-R
瞬态电压抑制器(TVS),是一种过电压保护装置限压型,当TVS的瞬态高能量冲击二极管反向杆,它可以采取两极之间的PS级的速度,到低阻抗高阻抗,吸收高达数千瓦的功率,使在两极之间的双电压的预定值激增,有效地保护电子电路中的精密零件,各种浪涌脉冲的损坏。
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