硅光电池结构如图２．４—１所示。利用硅片制成ＰＮ结，在Ｐ型层上贴一栅形电极，Ｎ型层上镀背电极作为负极。电池表面有一层增透膜，以减少光的反射。由于多数载流子的扩散，在Ｎ型与Ｐ型层间形成阻挡层，有一由Ｎ型层指向Ｐ型层的电场阻止多数载流子的扩散，但是这个电场却能帮助少数载流子通过。当有光照射时，半导体内产生正负电子对，这样Ｐ型层中的电子扩散到ＰＮ结附近被电场拉向Ｎ型层，Ｎ型层中的空穴扩散到ＰＮ结附近被阻挡层拉向Ｐ区，因此正负电极间产生电流；如停止光照，则少数载流子没有来源，电流就会停止。硅光电池的光谱灵敏度*大值在可见光红光附近（８００ｎｍ），截止波长为１１００ｎｍ。图２．４—２表示硅光电池灵敏度的相对值。
图２．４—１ 硅光电池构造
图２．４—２ 硅光电池的光谱灵敏度
使用时注意，硅光电池质脆，不可用力按压。不要拉动电极引线，以免脱落。电��表面勿用手摸。如需清理表面，可用软毛刷或酒精棉，防止损伤增透膜。