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三星NAND FLASH基本常识：

三星NAND FLASH基本常识：
16M        K9F2808UOC-PCBO            512M    K9F4G08UOA-PCBO
32M        K9F5608UOD-PCBO                    K9K4G08UOM-PCBO
64M        K9F1208UOB-PCBO                    K9G4G08UOA-PCBO
128M      K9F1G08UOA-PCBO          1GB       K9K8G08UUOA-PCBO
          K9F1G08UOB-PCBO                    K9L8G08UUOA-PCBO
256M      K9F2G08UOM-PCBO                    K9G8G08UUOM-PCBO
          K9F2G08UOA-PCBO          2GB       K9WAG08U1A-PCBO
4GB        K9HBG08U1M-PCBO                    K9LAG08UOM-PCBO

K 9 F 1G 08 U O A- P C B O
1 2 3  4  5 67 8  9 1011
1: 三星
2: NAND FLASH
3: 制式(SLC,MLC)
4: 字节
5: 位(16位)
6: 电压2.7V,3.6V
7: 普通(1,4)
8:版本(M,A,B,C,D,E……M为**代产品，A为**代，B为第三代，依次类推）
9: 封装方式,是否环保(P-环保)
10:工业级别(C为民用级,I为工业级)
11:坏块的数量及有无,S代表无坏块

注:SLC表示单层,MLC表示多层K表示单晶圆  K表示双晶圆  W表示4个晶圆
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