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功率MOS场效应管的雪崩电流
 
      雪崩电流在功率MOS管的数据表中表示为IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在调试过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，也就是功率MOS管开通的时间增加，然后关断，直到功率MOSFET损坏，对应的*大电流值就是*大的雪崩电流。
      标称的IAV通常要将前面的调试值做70%或80%降额处理，所以它是一个可以保证的参数。一些功率MOS管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测，由于有降额，所以不会损坏器件。
      留意：测量雪崩能量时，功率MOS管运作在UIS非钳位开关状态下，所以功率MOSFET不是运作在放大区，而是运作在可变电阻区和截止区。所以*大的雪崩电流IAV通常小于*大的连续的漏极电流值ID。
      采用的电感值越大，雪崩电流值越小，但雪崩能量越大，生产线上需要调试时间越长，生产率越低。电感值太小，雪崩能量越小。目前低压的功率MOS管通常取0.1mH，此时，雪崩电流相对于*大的连续的漏极电流值ID有明显的改变，而且调试时间比较合适范围。

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