雪崩电流在功率MOS管的数据表中表示为IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在调试过程中,选取一定的电感值,然后将电流增大,也就是功率MOS管开通的时间增加,然后关断,直到功率MOSFET损坏,对应的*大电流值就是*大的雪崩电流。
标称的IAV通常要将前面的调试值做70%或80%降额处理,所以它是一个可以保证的参数。一些功率MOS管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测,由于有降额,所以不会损坏器件。
留意:测量雪崩能量时,功率MOS管运作在UIS非钳位开关状态下,所以功率MOSFET不是运作在放大区,而是运作在可变电阻区和截止区。所以*大的雪崩电流IAV通常小于*大的连续的漏极电流值ID。
采用的电感值越大,雪崩电流值越小,但雪崩能量越大,生产线上需要调试时间越长,生产率越低。电感值太小,雪崩能量越小。目前低压的功率MOS管通常取0.1mH,此时,雪崩电流相对于*大的连续的漏极电流值ID有明显的改变,而且调试时间比较合适范围。
尊敬的客户:
您好,我司是一支技术力量雄厚的高素质的开发群体,为广大用户提供高品质产品、完整的解决方案和上等的技术服务公司。主要产品有 LCD驱动电路 等。本企业坚持以诚信立业、以品质守业、以进取兴业的宗旨,以更坚定的步伐不断攀登新的高峰,为民族自动化行业作出贡献,欢迎新老顾客放心选购自己心仪的产品。我们将竭诚为您服务!