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功率MOS管不为人知的资讯

      功率MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而操控漏极电流的大小。
　　根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压操控型器件
　　概念：
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压操控型半导体器件。
　　特点：
　　具有输入电阻高（108~109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、**工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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