华虹NEC与AOSL成功开发新一代沟道功率MOS场效应管技术?
华虹NEC和Alpha and Omega半导体(AOSL)已成功合作研制开发出新一代的沟道功率MOS场效应管(Tren。h Power
MOSFET)技术。新开发的沟道功率MOS场效应管的电阻率比同类产品降低了20%以上。
AOSL与华虹NEC签订合作协议后,双方立即展开了对此种深亚微米技术产品的研究合作。全部功能都设计制作完毕,各设计参数均符合预定的要求,目前正在对已完成的工艺进行可靠性评价。华虹NEC与AOSL成功开发新一代沟道功率MOS场效应管技术@刘广荣<正>
华虹NEC和Alpha and Omega半导体(AOSL)已成功合作研制开发出新一代的沟道功率MOS场效应管(Trench Power
MOSFET)技术。新开发的沟道功率MOS场效应管的电阻率比同类产品降低了20%以上。
AOSL与华虹NEC签订合作协议后,双方立即展开了对此种深亚微米技术产品的研究合作。全部功能都设计制作完毕,各设计参数均符合预定的要求,目前正在对已完成的工艺进行可靠性评价。
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