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高压无线核相器系统的热耗
高压无线核相器系统的热耗
通过迭代的方式近似地实现*佳功控,分布式功控首先是窄带蜂窝系统中提出来的.而在迭代的过程中只需各个链路的SIR即可?即使对SIR估计有误差,分布式平衡算法仍是一种有效的算法?对于WCDMA 系统,当不考虑SIR估计误差时,分布算法非常有效,但是当SIR估计存在误差时高压无线核相器,分布式SIR平衡算法有可能不再收敛于一个平衡SIR?随SIR误差的增加,系统的性能很快下降?
除了要具备低功耗的特点外,功率半导体器件工作在大功率条件下。不同的应用还提出了一些新需求。例如,电动车、混合动力汽车这样的应用中,功率半导体器件需要具备高可靠性,能够在恶劣条件下(高温、剧烈机械振动)工作。而在一些应用中,为了满足系统整体的运行速度指标,对功率半导体器件的工作速度也提出了要求。此外,由于便携式应用具有小尺寸的特点高压无线核相器特殊应用,可供布局的空间很有限,因此它要求功率器件所占用的面积要尽可能小。
应用中还要考虑到功率半导体器件一些指标的取舍。像耐压(BVDS导通电阻(RDSON及栅电荷(Qg等是功率半导体器件的重要性能指标,除了上述这些需求外。也是一些相互矛盾的指标。不同应用需要选用耐压不同的器件;为了降低功耗高压无线核相器,需要器件具有更小的RDSON和Qg为了得到更快的开关速度,需要尽可能地降低器件的Qg通常当外延条件确定之后,JFET注入及其推进可以在一定程度上对导通电阻起到调节作用。背面减薄之后的背面注入工艺,对降低背面的接触电阻也有一定的作用。这些注入工艺、推进工艺的优化程度决定着器件的性能。
厚金属工艺加工
这对物理淀积、光刻以及刻蚀工艺都提出了挑战。对于物理淀积工艺,VDMOSFET要求金属布线厚达4μm甚至更厚。形成厚的金属层容易使套件粘片,从而导致加工中发生碎片的事故,进而使产品的成品率降低。此情况下,采用热铝工艺是一种较好的选择。热铝工艺可以防止粘片的发生,硅片的应力也相对较小。对于光刻工艺,如果采用尼康公司的i线光刻机,通常的WGA 对准方式和LSA 对准方式已经不能满足硅片对准要求,需要使用FIA 对准方式才能实现对准。如果硅片应力较大,光刻的对准操作将更加困难。对于刻蚀工艺,只用干法刻蚀工艺或只用湿法刻蚀工艺都不是*好的选择,需要考虑选用干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的工艺。而且,这种相结合的工艺需要去除干法刻蚀所生成的聚合物以及湿法刻蚀后形成的硅的残渣高压无线核相器。根据工艺组合的不同,都可能给制造加工提出挑战。而通过对这些电机、电源和电路配套驱动器、转换器和控制器进行合理的电源管理,将能够使整个系统的功耗降低下来。另外,使用新型的功率半导体分立器件来替代老的功率半导体分立器件,将进一步使系统的功耗降低。
电源管理IC集成电路)种类也越来越多,被业界广泛应用的功率半导体分立器件包括肖特基管、快恢复二极管、双极型功率晶体管、功率MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管)单/双向晶闸管、IGBT等等。随着应用的不断增加。有由功率管及其管理电路构成的简单模块IC也有由多个模块集成在一起的复杂IC典型的电源管理IC有电池充电ICLDO低压差线性稳压器)DC/DC直流/直流)转换器、AC/DC交流/直流)转换器、PFC功率因数校正)控制器、LED发光二极管)驱动器、CCFL冷阴极荧光灯)驱动器以及PMU电源管理单元)等等。图2.12显示了两个数据单元,**个由BETA 发出,**个由ALPHA 发出,BETA T2时刻开始发送,然后在一个时钟间隔后的T6时刻停止,这一时间与时钟信号A和B达BETA 处的时间相一致。同样,时钟信号到达的T5时刻ALPHA 开始发送,一个时钟隔后停止。
信号沿着数据总线同时向左右两个方向传播高压无线核相器应用广泛。数据总路线的右端,当每个器件发送数据时。两个信号严格地终止于各自的指定时隙。
这里对该总线的运行速度还没有做理论上的限制。由于我不必等待时钟向下传输并从远端返回,目前为止。所以可以提高时钟速率至任意的频率,只受限于相关器件的工作速度,而不是总线的物理传播速度与长度。总线可以同时传送多个传向右侧接收器的数据单元。近几年来,随着电子技术、信息技术的发展和数字化产品的普及,嵌入式系统被广泛应用到汽车工业、网络、手持通信设备、国防**、消费电子和自动化控制等各个领域。同时,嵌入式系统设计中的功耗问题也正受到普遍的关注。嵌入式系统一般是由电池来供电的系统采用低功耗设计高压无线核相器,不仅能够延长电池的寿命,而且可以降低系统的热耗,对提高可靠性与稳定性有着重要意义。这种应用背景下,InfineonFreescalAtmelTI等知名单片机生产厂家纷纷推出功能强大的低功耗单片机。
1单片机功耗的来源
集成电路的功耗分为静态功耗和动态功耗2部分。静态是指“0和“1恒定状态,当电路没有状态翻转时产生的功耗为静态功耗;动态是指“0和“1跳变状态,当电路状态翻转时产生的功耗为动态功耗。功率控制通过对基站和移动台发射功率的限制和优化,单片机是一种集成度较高的芯片。通常。使得所有用户终端的信号到达接收机时具有相同的功率,可以克服远近效应和角效应,补偿衰落,提高系统容量,因此,功率控制技术是WCDMA 系统中*为重要的关键技术之一?
为了提高系统的容量和服务质量,功控参数的设置对功率控制的效果有着巨大的影响.**的功率控制是必不可少的?**的功率控制能够快速实时地跟踪无线环境的变化,使得每个用户发射的功率在满足解调时所需Eb/N0基础上尽可能地小高压无线核相器,即它实现了每个移动台在满足通信质量的同时能发射*小功率的目标?功率控制中需要考虑系统负载的变化?信道状态的快速和慢速变化以及信道的衰落问题等?为了做好WCDMA 系统的规划与优化,下面将讨论WCDMA 功率控制参数对系统设计的影响?
功率控制可以分为集中式功控和分布式功控?前向功控一般都是集中式功控;反向功控是分布式功控按照实现功率控制的方式.?
以使接收端的SIR基本相等?其*大的难点是要求系统在每一时刻获得一个归一化的链路增益矩阵高压无线核相器的重要参数,集中式功控根据接收到信号功率和链路预算来调整发射端的功率高压无线核相器.这在用户较多的小区内是较难实现的?
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