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上海日行电气有限公司
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高压无线核相器仿真分析
高压无线核相器仿真分析
充分考虑了片上电感品质因数不高、电感值较小和占有面 积较大的局限条件下高压无线核相器,本设计基于0.18μmCMOS工艺。实现了电路的全片集成。2V电源电压条件下利用ADS2005A 进行仿真,仿真结果如图5所示。
晶振的��作温度和频率稳定度也是十分重要的指标。①选择晶振。根据系统需要的振荡频率进行晶振的选择。此外。
振荡模式的选择实际上就是环路增益的选择高压无线核相器灵敏度。低增益对应低振荡频率,②选择振荡器类型。PIC系列单片机有RCLPXTHS等振荡模式。除RC模式外。高增益对应高振荡频率。一般根据实际需要的工作频率可参考数据手册来选择。
使得电容在数据手册推荐的范围内*小高压无线核相器。同时选择C2比C1大一些以加大相移,③选择C1C2理想的情况是保证系统在高温和*低工作电压下能够正常工作。使其有利于振荡电路的上电启动。
此时得到应该是时钟电路*大输出幅度。用示波器观察引脚OSC2输出波形(注意,④选择Rs以上参数都已经选定后需要决定Rs大小。简单的办法是让系统工作在*低温度和*大电压情况下。示波器的探头将给电路引入一个电容,一般为几pF如果发现正弦波的峰(接收Vdd处)和谷(接收Vss处)被削平或压扁,说明驱动过载,需要在OSC2和C2间加入1个电阻Rs一般1kΩ左右或小于1kΩ。Rs不宜过大高压无线核相器,过大将使得输入和输出产生隔离,从而产生较大的噪声。当发现需要一个较大的Rs才能消除过驱动时,可以增加负载电容C2来补偿。C2一般选择在1533pF之间。InGaA s-PIN一种低噪声、高响应度的光电检测器,具有较高的测量灵敏度。当 InGaA 8-PIN管接收光输入后,由于价带中电子吸收了光子而跃迁到导带,因而可产生一个电子 -空穴对。该电子 -空穴对若在耗尽区产生,那么,自建电场 PI管一般采用零偏压 作用下,电子将向 N区漂移,空穴向 P区漂移,从而产生与输入光功率成正比的电流信号。InGaA s-PIN光响应度可达 0.8波长范围为 1.31.6μ m事实上,基于暗电流、上升时间、带宽、偏置电压等综合考虑,InGaA s-PIN无疑是一种很好的选择。因为在实际设计中,往往都需要测试光电二极管的响应度,只有测量并进行数据处理,才能得到每个光电二极管响的应度参数,从而减小数据误差高压无线核相器。随着无线通信技术的发展,无线通信设备的设计要求也越来越高,功率放大器作为发射机*重要的部分之一,性能好坏直接影响着整个通信系统的性能优劣,因此,无线系统需要设计性能良好的放大器。通过采用EDA 工具软件进行电路设计可以掌握设计电路的性能,进一步优化设计参数,以达到加速产品开发进程的目的本文仿真设计采用恩智浦半导体的LDMOS晶体管BLF6G27-10G该晶体管工作频段在25002700MHz之间,直流28V供电。具有很好的线性度,采用特殊工艺,具有良好的热稳定度。同时使用EDA 软件,利用负载牵引和源牵引相结合的方法进行设计,使其输出功率在频率为2.6GHz时达到6.5W
需要对晶体管的输入和输出进行匹配设计高压无线核相器的极性,确定静态工作点和稳定电路后。本例功率放大器的设计中,出发点是输出大功率,一般是让晶体管工作在其额定输出状态高压无线核相器,为了使器件工作在*佳状态,采用负载牵引和源牵引相结合的方法来设计输入/输出匹配网络。通过在ADS中进行负载牵引和源牵引仿真找出在输出*大功率时的*佳阻抗。
进行负载牵引仿真找出*佳负载阻抗来设计输出匹配电路,首先。负载牵引仿真原理图如图6所示,仿真结果如图7所示。如果每个符号传输1位(如MSK则符号率与码率相同。如果每个符号传输2位(如QPSK则符号率是码率的一半。比较MSK和QPSK很容易看到传输相同信息量时,QPSK符号率较低。这就是比较复杂、使用较多状态数量的调制格式可以在一个较窄的射频频谱上发送相同信息的原因。
GSM/GPRS中使用的GMSK调制
称为0.3GMSKBT=0.3高斯*小频移键控)这种调制形式中高压无线核相器,GSM/GPRS手机网络采用了恒定包络调制形式的一个变种。调制载波的幅度保持恒定(如图1所示)同时其频率随调制信息信号而变化。这正是功率效率射频放大器在发射机中应用所需要的特性。除了触发模式运行以外,大多数绿色模式控制器都实施了其他能源节约特性,如通过控制器降低静态电压。许多控制器都使用准谐振开关来提升所有负载级别下的效率。准谐振反向电源使用了由变压器漏极电感和寄生电容形成的谐振来以更低的损耗启动。
2*小化启动电阻中的损耗。
这一工作是通过将一个电阻由整流AC电压连接至控制器VCC引脚实现的该电阻要足够低才能使该控制器具有足够的电流在*低的AC输入电压下开启。该电阻过低会导致过多的功耗并且不利于实现理想的兼容性。功率输出级采用工作原理中介绍的标准 E类功率放大器结构,大多数反向控制器都会自变压器的辅助绕组生成其自己的偏置电源。但是需要设法完成初始启动。从传统上来说。这种直接由M3管构成的共源 结构能够充分利用电源电压的幅度,提高输出电压摆幅。由于E类功率放大器的漏端*高电压可 能升高到3.6Vd2[1]为保证MOS管不被击穿,电路选用2V电压供电。功率输出级是射频功率 放大器中*关键的**高压无线核相器,性能特性包括输出功率、效率等将直接影响整个放大器的性能。晶 体管必须选取在*小电压降时至少可以提供dcI大小的直流电流,且工作在线性区。同时,还得 对该晶体管的输出功率和效率进行扫描*估,以确保选取的晶体管可以达到预设计的性能指标要 求。设计过程中的经验表明高压无线核相器系统功耗,通过负载牵引(Load-Pul技术能有效的预测输出晶体管的输出功率和效率,并在整体电路设计好后这两项指标还会有所提高。
因此通过公式(5要确保增益驱动 级输出端看到三次谐波和基波等效阻抗必须具有相同的容性或感性,增益驱动级的方波信号是由基波和三次谐波叠加而成。否则会由于相位相反无法 形成方波。此外,测试中我还发现Cd值对传输效率影响比较敏感,为提高电压传输效率,Cd一般需要取较大值。一个跟踪正弦输入电压波形的正弦电流,实现功率因数校正,使输入电路功率因数接近于l电流波形
电感电流波形高频脉动且临界连续,校正原理如图2所示。通过相应的控制,半个工频周期内,使电
其包络线呈正弦波形高压无线核相器,感中电流的平均值跟随全波整流电压基准值。且相位与电压相同。图中,iL为
iA 为电感平均电流,电感电流。ip为电感电流峰值包络线。
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