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高压无线核相器有负温度系数
高压无线核相器有负温度系数
仅有基波正序转换为直流分量,其他分量经过转换都是频率较高的分量。经过滤波,将这些高频分量滤除高压无线核相器,则SPLL输出就不受负序、零序和谐波的影响。这就保证了畸变输入电压的情况下,SPLL能够��确地锁定输入电压的基波正序。关于滤波,因系统中存在两个积分环节,对高频分量有较强的抑制作用,所以,一般不需要额外的滤波环节。但是当在三相输入电压严重不平衡时,负序分量很大高压无线核相器同步的作用,若要将其完全滤除,所需时间较长,从而影响系统的动态响应时间。为此,可在pq后加入一个滤波环节来加速负序分量的滤除,如图3所示,从而在保证滤除负序分量的情况下,系统有较短的动态响应时间。---较高的门极驱动电压电平可将更多电荷充入MOSFET栅极-源极(gate-to-sourc连接点,从而在MOSFET驱动器级造成了更大的损耗。此外,较高的门极充电需求还会造成更长的升降时间,这将在同步降压转换器的高侧MOSFET内影响开关损耗。为了提高效率,施压应用于驱动MOSFET门极,以使增加的门极电荷与开关损耗小于其通过降低RdON所节省的功率高压无线核相器。例如,如果高侧MOSFET增加0.5W功耗,而同步MOSFET中节省了1W,则该方案可以接受。---图7所示的公式1公式11不同VGS条件下频率变化(100kHz1MHz时所绘制的曲线图。这些图表可在任何输出负载电流下生成,图为IOUTMA X=20A 时的输出结果,此电流下,提高MOSFET连接点温度主要受益于高效率。显而易见,当IOUT=20A 时,所有考虑的频率范围内,VGS=9V都能显著减少耗散功率高压无线核相器。通过计算各VGS条件下的总耗散功率,并已知*大输出功率,应用公式12绘制了图8中的曲线。由式(5可以看出。
这种结构的基准电压源具有以下优点:
图1所示的电路结构可以产生更低的基准电压。特别是当所选择工艺的NMOS管阈值较小,1可以产生较低基准电压。与一般的1.2V基准电压相比。并且耗尽管的宽长比较小时,基准电压只有零点几伏,低压供电的电源芯片中,具有较大的优势。
由于该管长度设置得较大,2电路具有极小的静态电流。M4管栅源极相连充当恒流源。因而对应的等效电阻很大,流过的静态电流很小,一般只有几百纳安。
只有当栅极所加电压超过其阈值电压时高压无线核相器,3无需额外的启动电路。耗尽型晶体管为常通型晶体管。管子才会关断。而M4管的栅极电压始终为0并且M6管属于二极管连接,因此系统上电后,必然有从电源到地的直流通路,所以不需要额外的启动电路帮助系统摆脱静态电流为0简并状态。电桥输入电路的变种还可以延伸到下面的电路,这是一个把 420mA 电流转换为数字显示的电路。零点就是4mA 而不是0mA 当输入零点电流为 4mA 时候,利用 IN-上面建立起来的电压,抵消掉 IN+由于 4mA 出现的无用信号,使得数字电压表差分输入=0就实现了4mA 输入时显示为 0要求。随着信号的继续增大,例如到20mA 对数字电压表来说,相当于差分输入电流为 20-4=16mA 这个 16mA 62.5R电阻上的压降,就是数字电压表的*大输入信号。这时候,把数字电压表的基准电压调整到与 16*62.5=1000mV相等,显示就是1000个字!从上式中可得到基准电压只与PN结的正向压降、电阻的比值以及Ql和Q2发射区面积比有关高压无线核相器稳定性高,因此在实际的工艺制作中将会有很高的精度。当基准建立之后,基准电压与输入电压无关;而且VBE具有负温度系数高压无线核相器,VT为正温度系数,理论上,只要选取合适的R2/R1和R1决定Q1发射极电流,从而影响 VBE1值就可以得到零温度系数基准电压。
完整电路的设计
如图4所示。Q6R3作为基准的启动和偏置电路,完整的带隙基准电路需要启动电路、偏置电路以及反馈回路。并且和Q5构成基准的反馈电路,保证了电路的稳定性。根据内部基准电压产生结构不同,电压基准分为:带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT热电势)相关的电压串联,利用PN结的负温度系数与VT正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联,利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿高压无线核相器。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V而带隙电压基准的基准电压比较低,因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。噪声是衡量电压基准芯片的性能的另一个重要参数。通常在0.1Hz10Hz和10Hz10kHz两个频率范围内给出噪声参数,以便设计者估算电压基准在所关注的频率范围内的噪声。输出噪声通常与输出电压成比例,以ppm为单位。0.1Hz10Hz噪声主要是闪烁噪声,或称为公式2噪声,其噪声幅度与频率成反比,一般会给出这一频率范围内噪声的峰峰值(P-P不同半导体器件的闪烁噪声特性差别很大,例如MOSFET闪烁噪声比较大,而双极型晶体管的闪烁噪声则要小得多,次表面击穿的稳压管闪烁噪声也很小,因此采用不同工艺设计的电压基准芯片,低频噪声特性差别会比较大。照图382组装电路,其中H可变高压电源,V电压表,S荧光屏,X1X2Y1和Y2偏转板,E接地电极。
使得光点正好在标尺的中心。把X2与地断开,Y2接地并接至高压电源负端。X2接地。再调节高压控制高压无线核相器,使X2X1间加上约10V电压;注意光点向X2方向的移动,记下电压表的读数及光点在荧光屏的刻度上的位置。按10个等级逐步增大电压,记下每种情况时所加的电压和引起的偏转。
使正极接地,而使X2相对X1为负极高压无线核相器的准确性,这就会引起光点朝相反方向的偏转。如上述取得一系列观测数据。同步降压电源应用中,然后使高压反向。降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过MOSFET通道电阻所造成的功率损耗是总功耗中*大的一部分高压无线核相器。然而,其他一些因素也不容忽视。
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