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核相器和负载范围要求
核相器和负载范围要求
分别写出支路导纳矩阵Y支路电压源列矩阵及支路电流源列矩阵;4参照一般性支路(典型支路)结构和方向。
高性能CMOS微控制器。由于将多功能8位CPU和闪速存储器组合在单个芯片中核相器,方案中采用Atmel公司的AT89S52带8KB闪速可编程可擦除制存储器(PEROM及低电压。AT89S52一种高效微控制器核相器设计灵活性,为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。采用单片机P0口直接驱动红色LED5V供电,采用共阳数码管,上拉电阻取1kΩ。共采用三个数码管,动态扫描式显示。单片机系统图省略。
3系统软件设计
3.1数据采集及量程切换
每个模块实现特定的功能。系统软件包括主程序、定时中断程序和一系列功能子程序。上电后程序初始化,软件设计采用模块化设计思想。进入监控状态,显示待机界面等待测量。测量时启动AD后核相器,首先选择*大量程对外部数据进行采样计算并判断,确定合适的量程。切换量程后再次采样,记录得到数据,通过相应对相应量程的计算,得到测量的电压。如果需要,MCU可与微型打印机通过并口连接,将存储于RA M中的电压历史数据和当前数据打印出来,作为资料存档保留,系统流程图如图4所示。
称为节点导纳矩阵。上二式即为矩阵形式的节点电压方程,式中。为待求的节点电位列向量矩阵,式中其余各矩阵元素均可根据求解网络的实际电路结构和参数,对照典型支路所规定的参考方向分别系统地列写出来。解式(7-6-9矩阵方程,可解得节点电位值,进而求出支路电压值,再由式(7-6-5求出支路电流值。一般在用矩阵形式的节点电压方程解题时,包含以下几个主要步骤:所示为降压稳压器电路核相器,内部电路包含高侧和低侧通过元件、误差放大器/反馈电路、振荡器、限流和热关断保护电路,以及各种逻辑功能。要求的外接元件包括输入和输出电容以及电感器。电容值一般为LDO电容的10-20倍。开关稳压器的优点是效率高,通过正确的配置,可以降低电压。缺点是输出纹波较高,这可以通过各种技术来控制。由于需要附加电路构成开关电路核相器在调速范围较大时,且通过元件每个周期的开关都需要电能,开关稳压器的静态电流较高。这等于对MOSFET栅极电容进行完全充放电,而在稳定状态下,LDO只对栅极电荷作很小的调整。另外,既定的输出电流情况下,导通晶体管与LDO相比,处理的峰值开关电流更大。输入输出间压差增加时,使用PWM降压转换器的优势便更为突显。
微处理器内核要求1.5或1.8V供电电压,CDMA 20001x手机的普通基带处理器负载要求范围为60120mA 当前的亚微米数字处理结构。输入/输出缓冲器要求2.5-3.0V电压。未来年间,数字处理器的体积会日渐趋小核相器,内核电压将降到1V以下,而输入/输出环节电压仍保持在2.5V以上,以支持与模拟电路的连接。图4说明了开关和线性稳压器在为目前采用的基带处理器电压时的效率差异。当电池电压为3.6V即单节锂离子电池的通常工作点时,开关稳压器的芯片电源效率比LDO高一倍。只有在1.0V以下的基带处理器正常工作时,两者的效率差别才增大,原因在于锂离子和锂离子聚合物的化学性质将单节电池的电压固定在2.7-4.2V范围内。降压转换器的主要缺点是轻载时比如手机待机时,静态电流较高,显著降低电池的使用寿命。
由于功耗与电压的平方成正比,除了可以优化DCDC转换器的总效率之外。数字电路内核电压也可以进行动态变化,来加强便携式设备的灵活性。通过使用NCP1501两条控制线,可以在1.0至1.8V中选择4个不同的电压。因此如果基带处理器能够支持动态电源管理核相器,则器件就可以在软件的控制下降低或升高其内核电压。低负载的情况下,这种有源电压管理可以进一步延长手机两次充电之间的工作时间。图 9显示输出电压在1.57至1.8V之间的典型过渡,其中在电平间只有轻微的过冲与下冲。
稳压管ZD击穿,当未稳压输入的电压值正常时。晶体管V导通,继电器动作,触点吸合,开关稳压器加电。当输入低于所允许的*低电压值时,稳压管ZD不通,V截止,触点跳开,开关稳压器不能工作。
由于控制电路失常或者开关三极管失效会使输出电压下降;负载发生短路也会使输出电压下降。特别在升压型或反相升压型的直流开关稳压器中欠电压的保护是跟过电流保护紧密相关的因而更加重要核相器。实现方法是开关稳压器的输出端接电压比较器,开关稳压器内部。如图7所示。
将模拟信号05V之间的直流电压值转换成数字量信号0FF以两位数码管显示。Proteu软件启动仿真,利用单片机AT89C51与ADC0808设计一个数字电压表。当前输入电压为2.5V转换成数字值为7FH用鼠标指针调节电位器RV1可改变输入模/数转换器ADC0808电压,并通过虚拟电压表观察ADC0808模拟量输入信号的电压值,LED数码管实时显示相应的数值量。
没有扩展片外ROMProteu软件中设置AT89C51单片机的晶振频率为12MHz本电路EA 接高电平。
电压采样信号直接取自直流回路的PN端的530V直流电压核相器,阿尔法ALPHA 200018.5kW变频器直流回路电压检测电路。经电阻降压、分压网络,将分压所得mV级电压信号,加到小信号处理光电耦合器A7840U1423输入脚上核相器制作技术,经U14实施强、弱电隔离后,形成差分信号输入到LF353运算放大器的23脚,本级电路接成电压跟随器,输出信号由电位器中心头(线路板上厂家标注测试点VPN输出至CPU主板与电源/驱动板的排线端子CNN18脚。三相输入电压为380V时,8脚采样直流电压为3V
由开关变压器的一个独立绕组的交流电压,A 7840输入侧供电。经D41C46等整流滤波,由集成稳压器78L05稳压成5V提供的输出侧供电,则采用CPU主板供电电源+5V
电路的被隔离部分需要18VDC电源,工作原理:首先。这可以通过在升压电感上加一辅助绕组很容易得到这个绕组必须与其它两个绕组以及铁氧体磁芯隔离开来,瞬时耐压达4KV为了得到正确的电压核相器,需要比零电流检测绕组多绕几匝,当镇流器输出功率变化和整个输入电压范围内,确保通过18V稳压管的电压不会降至18V以下。
可以运用整流桥。这个电路的另外一部分以单结晶体管Q1为中心,如果一个单独二极管不能满足输入和负载范围要求。通过电容C3产生一个近似的锯齿波,C3峰值略低于10V当VC+为10V时保证*大输出。由9V分压器提供的触发电压接到单结晶体管Q1触发输入端,C3经过R4充电,当电压达到触发电压以上一个管压降时,Q1触发导通,C3放电一直保持至电流掉到其维持电流以下时核相器,C3再次充电。这样会产生一列锯齿波,这个信号被送到比较器的反相输入端,记住这里应用低损耗双比较器LM393但是只需要一个比较器,可以将两个比较器并联在一起,然而对比较器来说没有必要。这种情况下光电隔离二极管的沉降电流为13mA 光电隔离二极管电流应该尽可能地低,当电流为1mA 时,保证光电晶体管饱和,因此R7要尽可能大。控制输入端经过RC滤波器电路接到同相输入端核相器,经上拉电阻R6提供1mA 灌电流,R5和C5可以去除掉比较器输入端的任何噪音。
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