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上海日行电气有限公司
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核相器的制造流程
核相器的制造流程
一面焊接元件;另一面和地联接作屏蔽用。焊接时,本机的印制板采用双面环氧树脂敷铜板。元件引脚要短,充分利用可变电容器两端焊片的强度和电阻。电容器非接地端作支撑点将元件悬空连接,可变电容器动片接地。所有三极管采用花篮式接法核相器,可防止高频自激。所有元件焊好后,装上隔离板和屏蔽盒,再在屏蔽盒的侧面装上穿芯电容器,焊上高频阻流圈。
并在所有工作条件下都保持两个功率级**的180°相位差,FA N9612采用交错方式。因此能够降低导通损耗,尤其是大电流的应用中,如800W1000W电源系统。FA N9612扩大了功率范围核相器在调速范围较大时,减小了纹波电流和峰值电流。通过电源轨的交错排列,FA N9612还可以减小输入滤波器尺寸,较其他解决方案能减少线路板空间多达10%良好的热管理可以降低元器件的温度。这些特性使采用FA N9612电源能够满足“能源之星”和“电脑节能拯救气候行动”标准的要求,使电源的转换效率可以达到96%
BCM技术提供升压二极管固有的零电流开关(无反向恢复损耗)这允许使用较廉价的二极管而不会影响效率。而且,FA N9612工作在两个并行连接的相差180°的升压功率系统。与通常用于较高功率水平的连续导通模式(CCM技术不同。由于纹波电流的减小和高效的开关频率加倍,因此可以使用更小的输入和输出滤波器。
加强对微功率(短距离)无线电设备(以下简称微功率无线电设备)管理,为促进无线电通信事业的健康发展。防止微功率无线电设备对广播电视、导航、移动通信及射电天文等无线电业务产生干扰核相器,确保各种无线电设备正常、有序的工作,根据《中华人民共和国无线电管理条例》特制定本规定对讲机。
应刊印下述有关内容:进口和生产厂商在其产品的说明书或使用手册中。
说明所有控制、调整及开关等使用方法;1.标明附件中所规定的技术指标和使用范围。
2.不得擅自更改发射频率、加大发射功率(包括额外加装射频功率放大器)不得擅自外接天线或改用其它发射天线;
应立即停止使用,3.使用时不得对各种合法的无线电通信业务产生有害干扰;一旦发现有干扰现象时。并采取措施消除干扰后方可继续使用;
必须忍受各种无线电业务的干扰或工业、科学及医疗应用设备的辐射干扰;4.使用微功率无线电设备。
5.不得在飞机和机场附近使用。
当负载带有较大的输入旁路电容时可能需要较大的充电电流核相器,有些负载设备启动时的电流大于工作状态下的电流。例如。而在上电之后将消耗很小的工作电流。同样,带有电机的设备(例如磁盘驱动器)启动时需要较大的旋转电流,而一旦达到速度的*大值,电机消耗的电流会降低许多。
*好把过流保护阈值设置在接近较低的工作电流。不过,为了这些情况下提供*佳的保护。这将导致在启动过程中,当负载开关(例如MA X5976箝制电流而出现电流匮乏的情况核相器的轻重作用,这样将无法支持输出电压的上升。实际上,这种情况下输出电压可以进入折返式保护。
可以采用简单的反相方法:启动之后,为解决这一问题。负载开关的电源就绪开漏输出(PG端并联一个二级限流配置电阻。该设计(图1降低了启动之后负载可获得的电流。启动期间,当输出电压低于输入时,PG输出为低电平,电流限值由RCB1决定;当输出升高到规定值且电源就绪状态延迟16m后,PG输出进入高阻态。这使得Q1栅极得以升高,将**个电阻RCB2与RCB1并联,从而降低过流阈值。
从而使PA 占据着手机成本中的一大块。功放要求所采用的特殊半导体工艺能够提供高击穿电压、高增益和高频晶体管元件。混合封装技术提供了高Q无源器件以生成50Ω的匹配电路。采用标准CMOS实现PA 意味着设计师必须面对没有增强型晶体管和高Q无源器件的局面,直到现在PA 研制都是采用专门的GaA 或LDMOS工艺配以混合模块封装技术实现的整体上它一种代价高昂的制造流程核相器。从而使全集成PA 开发变得极富挑战性。
这样,*近出现了一种有可能利用CMOS工艺制造PA 新技术。PA 就可以被放在一个简单塑料封装内。分布式有源变压器(DA T技术如其所称,其几何结构支持使用Q值相对低的半导体金属来提供基于变压器的匹配电路,从而省去了模块封装。将PA 内核分配到几个块中,再利用变压器结构方式整合电源以及其他多项**技术,就可以省却高击穿电压晶体管。
考虑到高频变压器实际结构,可以把磁性元件Lr和Lm集成在一个变压器内,利用变压器的漏感作为Lr,然而。利用变压器的磁化电感作为Lm,这样一来,可以大大减少磁性元件数目。设计时,只要重点设计变压器的漏感与变压器磁化电感即可。因此,为增加漏感核相器,需要在变压器中加入适当的气隙,并且控制变压器原、副边的绕线方式可以提高品质因素。
1.2LLC数学模型分析
由图1LLC谐振变换器的原理图得其LLC等效模型如图2所示。通过上述分析。
噪声小的超高频小功率三极管发送器-核相器,BGlBG2选用fT高。如3DG30C或9018等。BG3选用2G711等**率三极管,fT>=500MHIC=50mA PCM=500mWBG4选用3DA 37或MRF517等三极管,要求fT>=500MHzPCM>=1w电路所用线圈全部为空芯线圈。LlL2用直径0.97mm漆包线在圆铅笔杆上密绕7圈核相器,对地3圈的地方抽头。L3L4用直径1.3mm漆包线去漆镀锡后,彩色笔杆上密绕6圈再拉至150mmL6L7用直径1.3mm漆包线去漆镀锡后在彩色笔杆上密绕3圈再拉到7mmL5用直径0.77mm漆包线在铅笔杆上密绕8圈。所用RFC线圈均用直径0.41mm漆包线在1/2w1.5k电阻上密绕16圈。
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