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快速可控硅工作频率
      快速可控硅可以在400Hz以上频率工作的可控硅。视电流容量大小﹐其开通时间为4～8微秒﹐关断时间为10～60微秒。主要用于较高频率的整流﹑斩波﹑逆变和变频电路。

      快速可控硅（晶闸管）是一个PNPN四层三端器件﹐其符号与普通可控硅(见逆阻可控硅)一样﹐它不仅要有良好的静态特性﹐尤其要有良好的动态特性。快速可控硅的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快﹐反向恢复电荷少﹐关断时间短﹐通态电流临界上升率(d/d)及断态电压临界上升率(d/d )高。通态电流临界上升率是在规定条件下﹐器件从断态转入通态时﹐对可控硅不产生有害影响的*大通态电流上升率﹔断态电压临界上升率是在规定条件下﹐器件从断态不致转向通态的*大断态电压上升率。快速可控硅在额定频率内其额定电流不随频率的增加而下降或下降很少。而普通可控硅在400Hz以上时﹐因开关损耗随频率的提高而增大﹐并且在总损耗中所占比重也增加﹐所以﹐其额定电流随频率增加而急速下降。
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