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MDK200A防反接保护电路(二)
防反接保护电路
图2 是一个桥式MDK200A整流器，不论什么极性都可以正常工作，但是有两个二极管导通，功耗是图1的两倍
MOS管型防反接MDK200A保护电路
图3利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路MDK200A，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管MDK200A电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接MDK200A。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和MDK200A源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接，MDK200A保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。
  
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