什么是MOS场效应管的跨导
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(*高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。
以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。图1(a)符号中的前头方向是��外向电,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚排列(底视图)见图2。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G极与S极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。
1.检测放大能力(跨导)准备工作 什么是MOS场效应管的跨导
测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。*好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。
2.判定电极
将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。
3.检查放大能力(跨导)
将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了
什么是MOS场效应管的跨导:由于现在主流CPU的功耗过高,所以CPU供电电路采用多相供电是降低主板内阻及发热量的有效途径,少数主板甚至在MOSFET管上安装散热片,也是为了保证CPU供电电路的稳定运行。虽然三相或两相供电并不完全决定CPU供电电路的好坏,但对于大多数二三线主板厂商的产品来说,三相确实要比两相电源优良了许多。
■固态电容,封闭式电感为上乘
在单相供电电路中,电容和电感线圈的规格越高以及MOSFET管的数量越多,就代表了供电电路的品质越好。一般情况下,日系的三洋、红宝石、KZG等电容比较优良,现在众多的超频版主板还会采用稳定性极好的固态电容,彻底杜绝了电容爆浆现象的发生。
至于电感线圈的辨别也颇为困难,有些主板采用的线圈线径很细,绕组很多的电感线圈。有些则采用了绕线圈数较少,线径很粗的线圈。线径很粗的线圈采用的是高导磁率、不易饱和的新型磁芯,所以不需要很多的绕线圈数就可以得到足够的磁通量,因此也被越来越多的主板生产商所采用。一些超频版主板还会选用屏蔽式电感线圈,其性能也更加优良。
■不要忽略内存供电
相对于CPU供电电路来说,主板上的内存供电部分是很容易被消费者所忽略的。也正是因为如此,少数主板会在这个环节出现严重的做工缩水。通常情况下,内存的供电电路也是由电容、电感线圈、MOSFET管这三大部分所组成。
内存供电部分通常被设计在内存插槽的附近,如果是四条内存插槽的主板,通常会通过主板进行供电。主板上存在着2.5V和3.3V这两组供电电路,每组的供电电路*好是使用电容+电感线圈+MOSFET管的组合来保证稳定。缩水主板会相应的省略掉电感线圈,只保留MOSFET管进行供电。如果是两条内存插槽的主板,有时还会采用主板和电源同时供电的设计方案。2.5V的供电电路在主板上予以保留,3.3V的供电电路则改为电源提供。这样的设计方案对电源提出了更高要求,搭配质量稍差的电源就会出现内存供电不足的现象。
当然内存供电电路并非不能采用电源提供,特别是采用两条内存插槽的主板,这样的设计方案非常普遍。不但可以有效的降低成本,而且在设计上更加简单方便,产品出现问题的几率也并不高。但是如果这样的电路设计应用在四条内存插槽的主板上,在正常运行时就很有可能出现内存供电不足的问题。即使在装机时并没发现问题,也可能在日后出现各种各样的稳定性问题。
■显卡供电很重要
显卡的供电部分通常被设计在显卡插槽的上方或下方,由于目前AGP和PCI-E显卡同时存在于市场上,两种不同的设计方案也同时存在。与内存的供电设计方案相同,显卡也存在主板供电和电源供电这两种设计方案。低端主板一般都会采用MOSFET管直接供电,直接省略掉电感线圈这个组成部分。
对于低端显卡来说,这样的设计方案还是可行的。但对于中**显卡,尤其是那些不具备外置电源接口的中**显卡来说,这样的设计方案存在着很大的隐患。少数主板在搭载中**显卡后无法稳定运行,甚至出现**开机无法进入操作系统,必须重新启动一次才能进入到系统之中,很大程度上就是显卡插槽的供电不足所造成的。
■稳定的供电模块,主板运行才有保障
由于目前的PCI-E显卡对主板的供电要求更加严格,所以主板是否缩水也成为了特别需要关注的问题。另外我们还可以通过MOSFET管的运行温度来判定主板供电的稳定性,CPU、内存、显卡这三大配件的供电效果都可以通过MOSFET管的工作温度来判定。如果温度已经烫手,就说明了单一MOSFET管需要承担的负荷过多,主板的做工自然就无法合格。
但是考虑到静电的这个因素,在电脑运行时去触碰主板上的MOSFET管是相当危险的事情。我们可以使用玻璃温度计进行测量,如果温度超过了75℃以上,就要考虑为MOSFET管进行专门散热了。安装散热片甚至是散热风扇,是*为有效的解决方案。
*后小编在这里提醒大家,在购买主板时,一定要各个地方看仔细,有必要的话可以先上网多查阅一下有关各种品牌电容的介绍,如何辨别等资料,如果一款主板的几个供电部分显得很干净,使用的又是一些没有听说过的杂牌电容,而你又不是很缺“米”的情况下,希望大家还是先三思而后行
Re:什么是MOS场效应管的跨导
场效应管怎么判断好坏?
一、场效应管测量起来麻烦一点,一般用指针万用表的电阻档测量它的任意两个脚时,只要通了,此管应该就是**的,存在击穿现象了!
二、常见的电源开关管如K2645,用指针表10K以下的档测除了S,D之间有二极管阻值外,其余都不会有阻值,换用10K档后由于内部有9V电池,黑笔接G,红接S极,G,S充上电后,再测D,S已导通。没有9V电池的表是不能测的。另外9V数字表是一样的用,当然胜利的3V表就不能用了,只能测击穿否。
三、要区分是结型的还是绝缘珊型的,
四、指针万用表,10K挡,黑表笔接漏极,红表笔接原极,短接一下栅极和漏极,表针指向0欧,短接一下栅极和原极,指针指向无从大。管即是好的。
五、*简单方法:拿一个好的同型号管子用JK9610A场效应管测试仪对比测试就知道了MOS场效应管的跨导
六、用数字表二级管档测任意两个脚,只要有其中两个短路就坏了。正常是G脚与D脚和S脚都不通,D脚和S脚就是一个二极管。