近年来，我国国内市场中优异IGBT产能严重不足，长期依赖国际巨头，导致“一芯难求”。尽管在下游市场需求的推动下，我国国内企业在IGBT产品领域的研发投入呈明显上升的趋势，行业整体产量由2010年的190万只增长至2018年的1115万只，但是国内需求量也从2010年的2252万只增长至2018年的7898万只。
由此可见，我国国内IGBT市场的需求量正在逐步扩大，而生产量却远远低于需求量。这也导致中国大陆功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中优异MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。
也许有人会不理解为什么要这么重视IGBT，这是因为IGBT是能量转换和传输的核心器件，同时也是电力电子装置的“CPU”。通过应用IGBT进行功率的变换，可以提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。
IGBT被广泛应用于工业、家用电器、轨道交通、新能源、医学、**航天等领域，具体如变频器、逆变焊机、变频空调、洗衣机、冰箱、动车、地铁、轻轨、新能源汽车、风力发电、医疗设备稳压电源、飞机、舰艇等。
接下来由小编带领大家了解一下IGBT的全球发展状态。
从市场竞争格局来看，美国功率器件处于世界优越地位，拥有一批具有全球影响力的厂商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等厂商。欧洲拥有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半导体大厂，不仅产品线齐全，而且无论是功率 IC 还是功率分离器件均具有优越实力。
日本功率器件主要有Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric等厂商。日本厂商在分立功率器件方面做得较好，但是在功率芯片方面，虽然厂商数量众多，但大多数厂商并非主营功率芯片。
而中国国内功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中优异MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被欧美、日本企业所垄断。
目前，国外企业如英飞凌、 ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格已涵盖电压600V-6500V，电流2A-3600A，并形成完善的IGBT产品系列。可以说，国际市场供应链已基本成熟，但随着新能源等市场需求增长，市场链条正逐步演化。
在国内，尽管我国拥有*大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等优异器件差距更加明显，核心技术均掌握在发达国家企业手中。跟国内厂商相比，英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有优良的市场优势。形成这种局面的原因主要是：
（1）国际厂商起步早，同时研发投入大，从而形成了较高的砖利壁垒。
（2）国外优异制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。
（3）高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强.
（4）IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。
所以中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状，使中国芯走向世界，让其在国际IGBT市场占据有利地位并取得竞争优势。