真空蒸发镀膜和真空溅射镀膜发展历史、蒸发镀、磁控溅镀、离子镀 

真空镀膜的发展历程：

19世纪可��说一直是处于探索和预研阶段。探索者的艰辛在此期间得到充分体现。1805年, 开始研究接触角与表面能的关系(Young)。1817年, 透镜上形成减反射膜(Fraunhofer)。1839年, 开始研究电弧蒸发(Hare)。1852年, 开始研究真空溅射镀膜(Grove;Pulker)。1857年, 在氮气中蒸发金属丝形成薄膜(Faraday;Conn)。 1874年, 报道制成等离子体聚合物(Dewilde;Thenard)。1877年,薄膜的真空溅射沉积研究成功(Wright)。1880年, 碳氢化合物气相热解(Sawyer;Mann)。1887年, 薄膜的真空蒸发(坩埚) (Nahrwold;Pohl;Pringsheim)。1896年, 开始研制形成减反射膜的化学工艺。1897年, 研究成功四氯化钨的氢还原法(CVD); 膜厚的光学干涉测量法(Wiener)。

20世纪的前50年 1904年, 圆筒上溅射镀银获得砖利(Edison)。 1907年, 开始研究真空反应蒸发技术(Soddy)。1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等) 。1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley);

1937年磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。1938年, 离子轰击表面后蒸发取得砖利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。 1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。 1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。

20世纪的后50年 薄膜技术获得腾飞的50年。真空获得、真空测量取得的进展是薄膜技术迅速实现产业化的决定性的因素。1952年，表面自动洁净的溅射清洗方法研制成功；开始研究新的反应蒸发方法（Auwarter，Brinsmaid）；开始研究耐腐蚀的等离子体聚合物膜。 1953年，美国真空学会成立；以卷绕镀膜的方法制成抗反射的薄膜材料（3M公司）。1954年，开始研制新型真空蒸发式卷绕镀膜机（Leybold公司）。1955，薄膜沉积的电子束蒸发技术开始成熟（Ruhle）；开始提出介质的射频溅射方法（Wehner）。

1956年，美国**台表面镀有金属膜的汽车问世（Ford汽车公司）。1957年,真空镀镉方法被航空工业所接受; 研究光学膜的反应蒸镀方法(Brismaid,Auwarter等); 美国真空镀膜学会成立.1958年, 薄膜的外延生长技术研制成功(Gunther); 美国航空航天局(NASA) 成立.1959年, 磁带镀膜设备研制成功(Temescal公司).1960年, 聚合物表面等离子体活性沉积方法出现(Sharp,Schorhorm); 电推进器用离子源研制成功(Kauffman); 石英晶体膜厚测量仪研制成功.1961年, 低辐射率玻璃研制成功(Leybold公司); 开始研究元素的溅射产额(Laegried,Yamamura等).

1962年, 开始研究用于化学分析的溅射方法; 碳(Massey) 和金属(Lucas) 的电弧气相沉积; 研究作为清洗用的介质的射频溅射方法(Stuart,Anderson等);Leybold公司的产品进入美国市场; 开始考虑元素的蒸气压(Hoenig).1963年, 开始研制部分暴露大气的连续镀膜设备(Charschan,Savach等); 离子镀膜工艺研制成功(Mattox).1964年, 光生伏打薄膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积) 方法研制成功(Bradley等).1965年, 偏压溅射沉积方法研制成功(Maissel等); 薄膜的激光气相沉积方法研制成功(Smith,Turner); 绝缘材料的射频溅射沉积方法研制成功(Davidse,Anderson等); 脉冲激光沉积方法研制成功(Smith等); 醋酸纤维膜所用的多层真空金属网带膜研制成功(Galileo).1966年，核反应堆中的离子镀铝(Mattox等); 作为润滑剂用的软金属的离子镀膜研制成功(Spalvins); 附着性能好的阳光反射膜(3M公司).

1967年, 刀具上溅射镀铬成功(Lane);真空离子镀膜方法取得砖利(Mattox); 三极溅射方法研制成功(Baun,Wan等); 高真空条件下，引爆膜的沉积(Mattox).1968年, 旋转箱中，小型部件的离子镀膜(Mattox,Klein), 这个方法后来在航天工业中叫做离子气相沉积.1969年, 磁控溅射在半球形部件内部进行，多种滋控溅射源取得砖利(Mullay);Leybold公司的新型溅射镀膜机问世；蒸发薄膜形态图出版发行。

1970年，真空蒸发的空心阴极电子源研制成功（ULVAC公司）；高沉积速率多层光学镀膜机研制成功（OCLI）；空心阴极离子镀膜设备在日本出现（ULVAC公司）。1971年，用离子轰击的方法在玻璃上镀膜的公司在不少国家大量涌现；硬碳膜研制成功（Aisenberg等）；锥形部件内的磁控溅射方法取得砖利（Clarke）；任意位置的阳极电弧蒸发源出现（Snaper，Sablev）；蒸发过程中，活性气体的等离子体激活（Heitman，Auwarter等）；镀铝的香烟包装纸研制成功（Galileo）；使用电子束蒸发源的离子镀膜设备出现（Chamber公司）。

1972年，粒子束团沉积方法研制成功（Tagaki）；采用离子枪的高真空溅射镀膜设备出现（Weissmantel）；薄膜形态的同步轰击效应的研究（mattox等）；细网上镀膜的设备获得广泛应用。1973年，电镀行业采用新型质优价廉的离子镀膜设备（Bell公司）；等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在平形板反应堆中应用（Reinberg）。1974年，超紫外—臭氧清洗技术出现（Sowell，Cuthrell等）；离子轰击膜中压缩应力的研究(Sowell,Cuthrell等); 平面磁控镀膜技术取得砖利(Chapin).1975年，反应离子镀膜技术研制成功(Murayama等); 柱状阴极磁控溅射技术取得砖利(Penfold等); Ⅲ—Ⅴ族半导体材料的分子束外延（MBE）研制成功（Cho，Arthur）；交替式离子镀膜技术研制成功（Schiller）；汽车车架上镀铬出现（Chevrolet）。1976年，离子枪用于沉积薄膜的同步轰击（Weissmantel）。

1977年，中频平面磁控反应溅射沉积法研制成功（Cormia等）；ITO膜的真空卷绕镀研制成功（Sierracin，Sheldahl等）；幕墙玻璃在线溅射镀膜设备研制成功（Airco Temescal公司）；溅射薄膜形态图出版发行（Thornton等）；在细网上溅射加热镀镜面膜（Chahroudi）。1978年，在细网上镀制光衍射膜成功（Coburn公司）；可控电弧蒸发源研制成功（Dorodnov）；等离子体暗弧蒸发研制成功（Aksenov等）；窗用ITO膜溅射沉积方法研制成功（后来简称CP膜）；微弯柔性电路板问世（3M公司）。1979年，商用在线低辐射率玻璃镀膜设备投入使用；溅射沉积网状膜实现产业化（Cormia Chahroudi公司）；平面磁控阴极溅射取得砖利（BOCCT公司）；在线高沉积速率玻璃溅射镀膜设备问世（Leybold公司）。