某刊不久前刊出《两款电路更简洁的可控硅智力抢答器》一文，文中介绍了两款抢答器及其工作原理，笔者认为该文设计欠妥，且分析阐述也有错误之处。现以该文图1所示电路（见附图）为例，分析如下。
接通电源开关KB后，LED0发光。抢答器各路按键SBX按动前，因可控硅VS1～VSn均关断，VT无触发电流而截止。此时A点电压约4V，B点电压为0V，音乐门铃IC无工作电源，电路处于等待状态。当按动任一路抢答按键（如SB1）后，VS1触发导通，在LED1发光的同时，B点电压升至3.2V左右，VT饱和导通将R2和LED0短路，LED0熄灭，同时为IC提供工作电源，扬声器发声。此时A点电压降至近0V，即使按下其它按键也不能触发相应的可控硅。由于任一路VS1导通都使B点升至3.2V左右，如果此时*先按下的某路按键（如SB1）还未松开，另有一路按键（如SB2）被按下，那么VS1的控制极电压（3.2+0.6V）势必通过SB2将VS2也触发导通，使LED2发光造成无法判断，为防止此现象的发生，电路在各路触发支路中均串联了一只隔离二极管。笔者认为该设计及其电路原理阐述存在以下问题。图中的三极管VT在饱和导通前，即A点电压没有降至不能触发其它可控硅之前，按动任何一路按键都可以使对应的可控硅触发，按钮开关上串联的二极管D1～Dn不能产生什么"隔离"作用！实际上，D1～Dn在该设计中仅起到提高可控硅触发电平的作用。如果原可控硅的触发电平为VO，则串入二极管后的触发电平变为VO+VD（VD一般为0.6～0.7V），假设可控硅原来需1V电压触发，串入二极管后则变成1.6V左右电压才能触发该可控硅，其结果是降低了可控硅的触发灵敏度，但提高了电路的抗干扰能力。由于D1～Dn没有"隔离"作用，电路中也没有抢答器必须采取的其它支路抢答封锁措施，而是仅靠三极管VT饱和导通，降低A点电压--实际只有在A点电压下降到VO+VD=1.6V以下时，按动其它支路抢答按键时才会失去作用。因此，该抢答器有可能出现多路同时接通的现象，当然也会出现误判现象。例如，假设SB1首先被按下，SB2稍迟一些被按下，本应VS1首先被触发，同时禁止稍后的VS2（或其它可控硅）再被触发，但该电路不具备此项功能，D1、D2等并没有所谓的"隔离"作用。此外，若可控硅VS2的触发性能比VS1好（由于元器件参数的离散性，这是常见现象），那么，虽然SB2稍后一点按下，VS2却会比VS1抢先触发！当然，在VT导通、并在A点电压下降至1.6V以下后，这种"竞争"和"误判"现象可以避免，在此之前（即使仅有抢答时经常发生的霎那时刻）此现象将一直存在，这是原电路设计的*大败笔。此外，由于上述原因，原电路对VT的要求应十分严格，首先要求上升时间特别短，其次要求饱和压降尽可能地低；原电路还应严格挑选可控硅、二极管等元器件，它们的各种性能应该完全一致。一款有争议的可控硅智力抢答器一款有争议的可控硅智力抢答器一款有争议的可控硅智力抢答器一款有争议的可控硅智力抢答器一款有争议的可控硅智力抢答器