英飞凌单管 SKB10N60HS
产品简介
武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为英飞凌功率半导体器件在中国区域的授权经销,负责英飞凌功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货,欢迎查询。
产品详细信息
英飞凌IGBT单管(电流电压 饱和压降 硬开关频率 )
ILD03N60 4.5A/600V 2.1V 80KHZ TO252
IKP06N60T 12A/600V 1.5V 50KHZ TO220
IKP10N60T 20A/600V 1.5V 50KHZ TO220
SKP10N60A 20A/600V 2.1V 100KHZ TO220
IKP15N60T 30A/600V 1.5V 50KHZ TO220
IKA15N60T 30A/600V 1.5V 50KHZ TO220Full PAK
SKB15N60HS 30A/600V 2.8V 150KHZ TO220
IKP20N60T 40A/600V 1.5V 50KHZ TO220
IKW20N60T 40A/600V 1.5V 50KHZ TO247
SKW20N60HS 40A/600V 2.8V 150KHZ TO247
IKW30N60T 60A/600V 1.5V 50KHZ TO247
SKW30N60 60A/600V 2.1V 100KHZ TO247
SKW30N60HS 60A/600V 2.8V 150KHZ TO247
SGW30N60 60A/600V 2.1V 100KHZ TO247
IKW50N60T 80*A/600V 1.5V 50KHZ TO247
IKW75N60T 80*A/600V 1.5V 50KHZ TO247
IKW08T120 16A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
IKW15T120 30A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
IKW25T120 50A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
SKW25N120 50A/1200V 3.1V 50KHZ TO247
IKW40T120 75A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
IKW15N120T2 24A/1200V 50KHZ 16
IKW25N120T2 37.5A/1200V 50KHZ 24
IKW40N120T2 56A/1200V 50KHZ 38
IGBT 特点
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
☆参数离散性小,便于批量使用
☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有**的性能价格比
☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
☆600V IGBT单管*大工作结温可达Tjmax≤175℃,其他品牌都是150°C
☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管,且容量与IGBT容量一致,工业级.
☆正温被系数饱和压降易于并联使用
ILD03N60 4.5A/600V 2.1V 80KHZ TO252
IKP06N60T 12A/600V 1.5V 50KHZ TO220
IKP10N60T 20A/600V 1.5V 50KHZ TO220
SKP10N60A 20A/600V 2.1V 100KHZ TO220
IKP15N60T 30A/600V 1.5V 50KHZ TO220
IKA15N60T 30A/600V 1.5V 50KHZ TO220Full PAK
SKB15N60HS 30A/600V 2.8V 150KHZ TO220
IKP20N60T 40A/600V 1.5V 50KHZ TO220
IKW20N60T 40A/600V 1.5V 50KHZ TO247
SKW20N60HS 40A/600V 2.8V 150KHZ TO247
IKW30N60T 60A/600V 1.5V 50KHZ TO247
SKW30N60 60A/600V 2.1V 100KHZ TO247
SKW30N60HS 60A/600V 2.8V 150KHZ TO247
SGW30N60 60A/600V 2.1V 100KHZ TO247
IKW50N60T 80*A/600V 1.5V 50KHZ TO247
IKW75N60T 80*A/600V 1.5V 50KHZ TO247
IKW08T120 16A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
IKW15T120 30A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
IKW25T120 50A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
SKW25N120 50A/1200V 3.1V 50KHZ TO247
IKW40T120 75A/1200V 1.7V 30KHZ TO247
IKW15N120T2 24A/1200V 50KHZ 16
IKW25N120T2 37.5A/1200V 50KHZ 24
IKW40N120T2 56A/1200V 50KHZ 38
IGBT 特点
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
☆参数离散性小,便于批量使用
☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有**的性能价格比
☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
☆600V IGBT单管*大工作结温可达Tjmax≤175℃,其他品牌都是150°C
☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管,且容量与IGBT容量一致,工业级.
☆正温被系数饱和压降易于并联使用