LESR系列莱姆电流传感器LESR50-NP LESR15-NP LESR25-NP LESR6-NP
产品简介
LESR系列莱姆电流传感器LESR50-NP LESR15-NP LESR25-NP LESR6-NP C/L霍尔效应在不增加成本的情况下执行磁通门技术水平,低偏移漂移6 ppm/°C, -40°C至+ 105°C,参考接入,初级集成导体。 信号电压 标称信号值 瞬时2.5 +/- 0.625 V 主要的信号 交流+直流
产品详细信息
LESR系列莱姆电流传感器LESR50-NP LESR15-NP LESR25-NP LESR6-NP
C/L霍尔效应在不增加成本的情况下执行磁通门技术水平,低偏移漂移6 ppm/°C, -40°C至+ 105°C,参考接入,初级集成导体。
信号电压
标称信号值
瞬时2.5 +/- 0.625 V
主要的信号
交流+直流
电源电压
外部直流单极
误差0.5%
温度。-40°c / 105°c
技术
闭环霍尔效应
印刷电路板
应用程序
驱动器
电力供应
可再生能源
焊接
公安机关备案号:


