意法半导体’击穿电压高于650 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至0.275 Ω（850 V）的低导通电阻，采用PowerFLAT 8x8 HV封装。 对它们进行了优化，从而满足了SMPS、PV逆变器、三相电源和电机控制应用的各种要求。 提供的比电压包括700 V、800 V、850 V、900 V、950 V、1000 V、1200 V和1500 V。

在该额定电压下，MOSFET具有如下特性：

• 出色的开关性能
• 额定雪崩电压为1500 V的器件
• 面向工业应用的全隔离、高爬电TO-3PF

这些MOSFET提供了多种行业标准小型和高散热型封装选项，例如DPAK、IPAK、D2PAK、I2PAK、H2PAK、ISOTOP、PowerFLAT 8x8 HV、TO-220、SOT-223、TO-247和TO-3PF。