通常可以根据导通电阻为电源管理设计选择合适的、击穿电压范围为450 ~ 650 V的MOSFET，采用ΩMax247封装的产品的导通电阻低至17 mΩ（650 V）。 这些MOSFET设计用于满足SMPS、UPS、LED照明、PV逆变器、电机控制、焊接和汽车应用的各种要求。

在该额定电压下，MOSFET具有如下特性：

• 为650 V MOSFET实现了单位面积*低的R_DS(on)（MDmesh V）
• 面向所选产品线的本征快速回复二极管
• 由于具有出色的开关特性，所以易于驱动
• 广泛的封装选项，包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装
• 栅极-源极齐纳保护

这些MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项：DPAK、D2PAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、Max247、SO8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-3PF、TO-92和PowerFLAT HV（3.3x3.3、5x5和8x8）。