意法半导体’击穿电压范围为12 V ~ 40 V的MOSFET提供了超低栅极电荷和低至1.3 mΩ（30 V）的低导通电阻，采用PowerFLAT 5x6封装。 对它们进行了优化，从而满足了负载点（POL）、VRM、主板、笔记本电脑、便携式和超便携式电器、线性调节器、同步整流和汽车应用的各种要求。

在该额定电压下，MOSFET具有如下特性：

• 极低的R_DS(on)
• 广泛的封装选项，包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装
• 标准、逻辑和超逻辑级阈值
• SAFeFET（Simple Added Features FET）MOSFET还具有下述其中一种特性：温度感应、电流感应、ESD保护和漏源击穿箝位

这些MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项：DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220和PowerFLAT（2x2、3.3x3.3、5x6、5x6双岛、5x6不对称双岛和5x6共漏极）。