供应R25高频微波低噪声贴片三极管 R25

2SC3356-R25硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管,因为该型号放大倍数为125-250档的命名为R25，并且塑封体本体上印字为R25，所以简称为R25三极管。该三极管具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于NEC公司，现在国内也有生产。北京鼎霖电子在该公司已有的**微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。 

2SC3356电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V  直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA  集电极-基极截止电流ICBO:100nA(*大值)  发射极-基极截止电流IEBO:100nA(*大值)  特征频率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA  集电极允许电流IC：0.1（A） 　　集电极*大允许耗散功率PT：0.2（W） 　　插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz  噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz  反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。 　　贮存温度Tstg:-65~150℃  封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59  功率特性：**率 　　极性：NPN型 　　结构：扩散型 　　材料：硅(Si)  封装材料：塑料封装 

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