HT24LC08合泰存储器 HT24LC08
产品简介
HT24LC08合泰存储器是一个8K位串行读/写非挥发性记忆体装置,采用CMOS浮栅工艺。其8192位存储器被组织成1024字,每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。两个HT24LC08设备可以连接到相同的2线总线。 HT24LC08是保证1M的擦除/写周期和40年的数据保存。
产品详细信息
HT24LC08合泰存储器 - CMOS8K2线串行EEPROM
一般说明
HT24LC08合泰存储器是一个8K位串行读/写非挥发性记忆体装置,采用CMOS浮栅工艺。其8192位存储器被组织成1024字,每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。两个HT24LC08设备可以连接到相同的2线总线。 HT24LC08是保证1M的擦除/写周期和40年的数据保存。
特点
工作电压:2.2V〜5.5V
低功耗
- 操作:5MA*大。
- 待机:5UA的*大。
内部组织:1024x8
2线串行接口
写周期时间:5ms*大。
自动擦除前写操作
允许部分页写
16字节页写模式
写与内置的定时器操作
硬件控制的写入保护
40年的数据保留
每字106次的重写
商业级温度范围(0℃到+70℃)
8引脚DIP/ SOP封装
一般说明
HT24LC08合泰存储器是一个8K位串行读/写非挥发性记忆体装置,采用CMOS浮栅工艺。其8192位存储器被组织成1024字,每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。两个HT24LC08设备可以连接到相同的2线总线。 HT24LC08是保证1M的擦除/写周期和40年的数据保存。
特点
工作电压:2.2V〜5.5V
低功耗
- 操作:5MA*大。
- 待机:5UA的*大。
内部组织:1024x8
2线串行接口
写周期时间:5ms*大。
自动擦除前写操作
允许部分页写
16字节页写模式
写与内置的定时器操作
硬件控制的写入保护
40年的数据保留
每字106次的重写
商业级温度范围(0℃到+70℃)
8引脚DIP/ SOP封装
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