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1.三星抢晶圆代工市场增长，竞争实力受怀疑；

集微网消息，据韩媒 BusinessKorea 20 日报导，研调机构 TrendForece 预估，今年三星晶圆代工部门的营收仅年增 2.7% 至 43.98 亿美元，增幅低于业界平均值的 7.1%，更落后台积电和格芯（GlobalFoundries，原名格罗方德）的成长 8%。从市占率来看，预料今年台积电市占为 55.9%、格芯为 9.4%、联电为 8.5%。三星排第四，市占只有 7.7%。

报导称，尽管三星抢在台积电之前，提早量产 10 纳米制程，但是客户订单并未因此增加。Hyundai Investment & Securities 主管 Roh Keun-chang 表示，和存储器相比，晶圆代工的半导体体积较大，客户重视稳定和可靠的产品，更胜于制程微缩。这也表示，客户不会毫无条件一有新制程就采用。

不仅如此，部分专家指出，三星发展出来的制程较适合存储器，较不适合晶圆代工。半导体业界人士指出，三星缺乏 Know-how，难以依据客户要求，用*少经费开发出*适制程，以相同规格产品而言，三星价格较不具竞争力。台积电和格芯都以价格为武器，对付三星。

今年 5 月，三星电子把晶圆代工独立出来，并放话要进军此一市场，目标当上市场二哥。在代工业务方面，一位三星官员曾指出，在 2017 年三星将半导体代工业务独立出来之后，一直在扩大全球的营销活动以吸引国际客户的青睐。尤其，随着中低端芯片的需求在各行业快速成长下，代工业务被三星视为另一个新的业务成长引擎。因此，三星也希望借由未来的加强投资，从当前的龙头台积电中取得相对的优势。

《韩国先驱报》曾报道，欧盟委员会周一公布的数据显示，在2016年至2017年期间，三星电子在研发方面的投入在全球2500家主要公司中排名第四。欧盟委员会发布的2017年欧盟工业研发投资记分牌（European Industrial R&D Investment Scoreboard）显示，三星电子在这段时间内共投入122亿欧元（约合143亿美元）用于研发项目。

2.三星DRAM“霸主”地位难撼动！已开发出全球*小DRAM内存芯片；

集微网综合报道，继 2016 年 2 月三星使用**代 10nm 制程工艺生产出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星电子今日又宣布已开始通过**代 10nm 制程工艺生产 8Gb DDR4 芯片。另据路透社报道，三星开发的 8Gb DDR4 芯片是“全球*小”的 DRAM 芯片。

据悉，和**代 10nm 工艺相比，三星**代 10nm 工艺的产能提高了 30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的 DRAM 芯片需求。此外，**代 10nm 芯片不仅比**代快 10%，同时功耗又降低了 15%。

三星表示，和 2012 年使用 20nm 工艺生产的 4Gb DDR3 芯片相比，新的 8Gb DDR4 芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。三星希望通过扩大 10nm DRAM 芯片的生产，深挖服务器、移动和图形芯片市场，进一步提升整体竞争力。

同时，三星还表示，将在 2018 年把现有多数 DRAM 芯片产能转移到 10nm 芯片上。

长期以来，DRAM 行业一直由三强把持。韩国的三星电子、SK海力士以及美国的美光科技拥有该领域的**话语权，三者的座次也相对固定。2017年三季度数据显示，这三家企业的营收市占率分别为45.8%、28.7%和21.0%，共豪取九成份额。

尤其是三星，自 1992 年超越日本 NEC 成为全球*大 DRAM 存储制造商之后，便一直霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的业务也异乎寻常地亮眼，可以说，半导体业务是运营利润的主要贡献者。

三星*新的财报显示，三星今年第三季度利润翻倍，达到 842 亿元，同比增长达到了惊人的 178.9%，创下*高记录。其中，受益于全球芯片价格上涨，半导体部门三季度运营利润达 9.96 万亿韩元（约合 590.89 亿元人民币），占整体运营利润的近69%。

集微网此前曾报道，自去年二季度起，DRAM（主要包括 PC 内存、移动式内存、服务器内存）产业营收都在一路飙升，每个季度都在刷新销售额纪录。此外，据台湾 DRAM 相关厂商透露，三星、海力士陆续通知明年首季调涨 DRAM 售价3%-5%。

根据 Gartner 的分析，从产能增加情况和市场需求的预测，明年上半年DRAM产品仍然会紧俏，下半年会达到供需平衡甚至倒转，但在局部市场一季度就可能看到回落。

从目前情况看，三星、海力士开始采取行动来予以应对。如三星宣布计划在平泽设厂扩建 DRAM 产能，SK海力士也宣布将在无锡设厂扩建 DRAM 产能，主流大厂的扩产计划很有可能缓解持续上涨的走势。

尽管三星目前释放出扩建 DRAM 产能的消息，但并没有透露扩建规模的相关计划。从三星的战略来看有未来有两种可能，**种，扩建的产能规模足够填补当下需求缺口，那么将缓和本轮价格上涨趋势；**，计划扩建更大产能，那么到明年下半年 PC 内存价格将呈下降走势。

今年 10 月底，三星电子公司宣布了其领导层改组事宜，并表示将维持目前的三人联席CEO管理架构。其中，三星半导体业务部门总裁金奇南接替三星电子**执行官兼副董事长权五铉的职位。三星表示，公司并不寻求立即扩大芯片出货量，但会投资维持长期市场地位。

3.服务器、人工智能、自动驾驶将继续推动DRAM涨势；

集微网综合报道，19日美光公布了2018财年（2017年9月1日起）一季度财报，一季度截至11月底营收68亿美元，年增71%(季增10.8%)。毛利率从50.7%提升至55.1%，主要拜DRAM与NAND闪存储器价格上涨之赐。据美光CEO Sanjay Mehrotra表示，包含移动、服务器与SSD硬盘应用的营收季增率均达两位数。二季度营收预计将达到68~72亿美元。

Sanjay Mehrotra在接受采访时表示，服务器市场仍将是未来数年的*大成长来源。此外，目前规模不大的无人驾驶将会是额外的快速成长领域、与来自云端的强劲需求形成互补。对于近来关于DRAM产业周期循环本质是否已改变的疑问，他表示当前需求的驱动力包括数据中心、云端运算、GPU、机器学习等非常分散，和过去大不相同。而人工智能催生的需求才正要开始而已，现在看到的只是冰山一角，美光的存储器与储存解决方案正协助推动人工智能、机器学习以及自动驾驶等颠覆性趋势。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出，受到产业转型、智能终端装置普及率增加，近年来绝大部分的服务都是通过服务器来做统合，特别是需要庞大数据进行运算与训练的服务，甚至是虚拟化平台以及云端存储的带动，对服务器需求与日俱增，其中，数据中心的服务器需求将成为整体服务器市场出货成长的关键，预估2018年全球服务器出货量将成长5.53%。

因此DRAM的涨势预计还将持续发酵。三星将于2018年第1季价格再上调3%至5%。 而另一家内存大厂SK海力士也将调涨约5%。 除此之外，有部分供应链透露，2018年第2季的价格恐也将不乐观，价格将续涨5%以上。在需求太强劲的情况下，此波DRAM价格从2016年下半年以来，每季都呈现上涨的态势。如果加上2018年第1季持续涨价，报价已经连续7季走扬，堪称DRAM史上时间*长的多头行情。

另外业界人士还指出，造成此波DRAM供不应求的原因，除了来自人工智能、车用、云端服务器、物联网、笔记本电脑以及行动设备等需求瞬间大增，但主要内存厂却多集中发展3D NAND闪存，压缩DRAM产能，在需求大增，供给增加有限的情况下，市场供需严重失衡。

南亚科总经理李培瑛表示，数据中心服务器从今年起取代智能手机成为DRAM产业*为强劲的成长动能来源。李培瑛说，未来数年在智能汽车等AI应用的驱动下、数据中心服务器将成为DRAM需求*重要的成长动力火车头。

英特尔CEO Brian Krzanich 19日在写给员工的内部备忘录中提到，数据正成为任何企业的*宝贵资产，这就是英特尔成长策略为何要聚焦在数据相关的存储器、FPGA芯片、物联网、AI、自动驾驶等市场的原因。

4.3D感测蔚为2018年主流　三五族半导体族群同庆贺；

随着苹果(Apple) iPhone X打响3D感测应用**炮，Android阵营体系纷纷希望能够在**旗舰机型跟进导入3D感测，其中面射型雷射元件VCSEL扮演点阵投射器关键零组件，特别适合三五族等化合物半导体晶圆制造制程，龙头稳懋今年才开始有小量来自VCSEL元件的相关营运，占比约1成。熟悉供应体系业者透露，2018年苹果将**导入3D感测，也有机会推出平价版的iPhone X产品，3D感测光学元件市场商机，才正要开始。而随着VCSEL元件声名大噪，使得台系化合物半导体族群摩拳擦掌，每家业者都期盼掌握下一个大啖3D感测商机的机会，包括稳懋上游磊晶厂全新光电，市场估计随着产能需求窜出，2018年具有MOCVD制程机台产能的全新光电可望营运有明显起飞，磊芯片业者包括LED龙头晶电、联亚光等都纷纷被点名，3D感测可说是替这些厂商带来不小的期望。台系三五族半导体看好未来3D感测、车用、5G等应用，中长线展望都包持乐观态度。李建梁摄另外，宏捷科则间接切入奥地利微电子(AMS)供应链，AMS在智能手持装置、汽车电子等传感器领域深耕已久，市场上对于宏捷科后续表现也寄予期待。宏捷科11月营收约新台币1.18亿元，月增7.4%，年减1.5%，据了解，VCSEL光学元件营收比重约低个位数，不过，宏捷科已经切入Android手机阵营，包括大陆一线大厂华为手机新品也将导入3D感测的辨识功能，2018年上半的MWC大展，以3D感测作为手机主打功能的新品大军将会初试啼声。3D感测带动VCSEL元件身价水涨船高，但供应体系业者表示，苹果向来也会多找几家供应商，避免过于仰赖单一来源，是故市场传言四起，目前技术与量产能力稍微**的美系雷射二极体大厂Lumemtum暂时还是**供货，不过已经有传言指出苹果积极找寻**供应商，为美系��者菲尼萨(Finisar)，传言一出造成Finisar与Lumemtum股价此起彼落震荡，但*终苹果、Finisar都没有证实苹果将投资Finisar的说法。而台系化合物半导体族群也并非只有稳懋、全新、宏捷科，其中以MBE法建立制程特色的英特磊，与Finisar有不错的合作关系，VCSEL也早已是重点布局领域。据了解，英特磊砷化镓芯片比重约占5成以上，目前已经传出打入多家大陆手机品供应体系，另一重点VCSEL应用就是在车用电子，化合物半导体业者认为先进驾驶辅助系统(ADAS)的成熟已经是现在进行式，英特磊在汽车防撞雷达上已经多有着墨。化合物半导体业者表示，砷化镓磊晶芯片主要应用于通讯装置，如微波及高频通讯，包括雷达、基地台、GPS、卫星市场，如汽车防撞**系统防撞雷达及物联网(IoT)产业应用，可导入VCSEL磊晶产品。除了手机、汽车等终端产品外，由于5G通信世代逐渐进入基础建设布建期，大、中、小基地台都会使用化合物半导体芯片，台系三五族半导体业者对于2018、2019一路到2020，基本上中长线仍抱持审慎乐观态度。DIGITIMES

5.高通研发NanoRings技术 有望在7nm工艺解决电容问题

目前，制造先进芯片离不开晶体管，其核心在于垂直型栅极硅，原理是当设备开关开启时，电流就会通过该部位，然后让晶体管运转起来。但业界的共识认为，这种设计不可能永远用下去，一招包打天下，总会到了终结的那天。IBM 就开始着手探索新的设计，并把它命名为 Nanosheets，可能会在未来几年投入使用。而高通则似乎有着不同的想法。

联合芯片制造行业的大佬 Applied Meterials、Synopsys，高通针对5种下一代技术的设计候选方案进行了模拟与分析，探讨的核心问题是，独立晶体管和完整的逻辑门（包含独立晶体管在内）的性能表现有何不同。

结果发现，*后的“赢家”并非这5个候选方案中的任何一个，而是一款由高通工程师新设计的方案，叫做 NanoRings。

“设备工程师或工艺工程师，只是对某些非常有限的特征进行了优化”，高通公司**工程师 S.C.Song 解释说。举例而言，在设备这一维度上，重点在于晶体管的栅极能很好地控制电流通过它的通道。然而，当转变成完整的逻辑门而不是单个的晶体管时，其他方面变得更加重要。值得一提的是，Song 和他的团队发现，设备的寄生电容——在转换过程中由于存在非预期的电容器结构而丢失——是真正的问题。

这就是为什么高通团队选择他们的纳米设计，而不是 IBM 的 Nanosheets。雷锋网了解到，高通将之称为 Nanoslabs。从侧面看， Nanoslabs 看起来像一堆两到三个长方形的硅板，每个平板被一个高k介电和一个金属栅极包围，栅极电压在硅中产生电场，从而使电流流过。

用栅极电极完全包围着每个硅板，可以很好地控制电流的流动，但同时也引入了寄生电容，因为硅、绝缘子、金属、绝缘体、硅片之间的结构基本上是一对电容。 雷锋网注意到，Nanorings 通过改变硅的形状来解决这一问题，并且不完全填充金属板之间的空隙。在氢中烘烤设备会使矩形板拉长为椭圆形。这样就把它们之间的空间掐住了，所以只有高k介电完全包围着它们。金属门不能完全绕着，所以电容就少了。然而，门的电场强度仍然足以抑制电流的流动。

高通公司工艺技术团队的副总裁 Chidi Chidambaram 表示，如果要把制程工艺降至7纳米及以下，电容缩放是*具挑战性的问题。尽管在这一模拟中取得了明显的胜利，但在未来的芯片中，晶体管的问题还远未解决。Song 和他的合作者计划用纳米材料继续测试电路和设备，他们还计划模拟更复杂的电路、系统，直到做出一部完整的手机。

雷锋网了解到，*后测试的结果或许是消费者*关心——如果智能手机在纳米技术上运行，那么它将准确计算出智能手机在正常使用**后的剩余电量。

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