格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX-rfa)解决方案，以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX-mmWave)解决方案。
该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台，该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合，为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现*高特征频率和*高振荡频率，适用于对性能和功耗都有超高要求的应用，例如LTE-A、窄带物联网与5G蜂窝收发器、GPS WiFi与WiGig集成芯片、以及各种采用集成eMRAM技术的物联网和汽车雷达应用等。
“随着客户不断推动智能互联设备的领域，格芯也不断推出差异化的FDX系列产品，助力客户的**，”格芯CMOS业务部门**副总裁Gregg Bartlett 表示，“日新月异的主流移动和物联网市场要求射频和模拟技术不断**发展。格芯的22FDX-rfa整合了**的射频和模拟功能，有助于开发兼具功耗、性能和成本优势的差异化移动和物联网产品。针对新兴的毫米波市场，格芯的22FDX-mmWave技术可实现****的毫米波性能，为客户交付差异化的相控阵波束成型以及其它拥有*低功耗、*高性能与集成度的毫米波系统解决方案。”
格芯优化了22FDX射频与毫米波产品，从而能够为诸如单片系统窄带物联网以及5G毫米波束成型相控阵系统等**的连接应用提供高性能天线开关与功率放大器集成解决方案。
作为FinFET技术之外的选择，22FDX-rfa不仅能够整合这些前端模块组件，而且与FinFET相比，还可以降低热噪声并达到相同的自增益放大效果，同时其自增益至少为体硅的两倍。同时，射频性能也更为出色，且FD-SOI技术本身所具有特征还进一步减少了30%的浸没式光刻层。
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