半导体制程线宽持续微缩 污染物过滤考验大

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半导体制程不断微缩,让新一代芯片的性能、功耗得以有更好的表现,但制程微缩却也使得制程中的污染物控制受到更严格的考验。 对此,特用材料供货商英特格(Entegris)近期发表Oktolex薄膜技术,其针对各种化学品的需求,强化各种薄膜原本的拦截机制,进而使该薄膜技术得以过滤光化学污染物,目前主要市场锁定在逻辑、DRAM和3D NAND装置的ArF、KrF和EUV光微影技术。

英特格总经理谢俊安表示,随着奈米制程的精进与EUV的导入,让半导体的制程变得更为复杂,在控制污染粒子(Particles)方面,也显得更为困难。 当半导体制程线宽变得越来越小,原本不会对制程造成影响的污染粒子,如今也必须设法控制,才能确保半导体制造的良率。 而英特格提供的解决方案,便致力于防止这些污染粒子跑到线路上。 举例来说,过去英特格仅须控制20奈米大小的污染粒子,但在制程越做越小的情况下,现在英特格必须设法控制10奈米,甚至更细小的污染粒子,因此相对应的技术都必须随之提升。

此外,先进制程的曝光次数增加,也使得污染控制变得更为复杂。 相较于以往28奈米制程仅须使用浸润式曝光机(Immersion Scanner)进行1次曝光,10奈米制程的曝光次数已经提高为4次。

有鉴于此,英特格近日在SEMICON Taiwan展会上,发表**的Oktolex薄膜技术,这项技术可应用在先进的使用点光微影技术上。 Oktolex**性的薄膜可针对各种化学品的需求,强化各种薄膜原本的拦截机制,以过滤光化学污染物。 Oktolex 薄膜将薄膜特性,与特定污染物的吸收机制作匹配,进而可将薄膜的过滤效能优化,且不会与化学品的组成产生**反应。

英特格微污染物防治部**副总裁兼总经理Clint Haris表示,我们打破传统,开发出更干净、速度更快且更有效率的方式,来过滤多数高挑战性的污染物,这种针对特定污染物控制需求的特殊方法,可用在逻辑、DRAM和3D NAND装置的ArF、KrF和EUV应用上。

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