有一系列**记忆体正在酝酿，旨在突破成为提升伺服器运算性能障碍的存取速度瓶颈，不过无论是记忆体晶片本身或是其编程模型(programming model)都还在开发阶段。

Hewlett Packard Enterprise (HPE)的**研究员Dhruva Chakrabarti表示，有部分资料库已经能支援採用非挥发性快闪记忆体的记忆体内运作(in-memory operation)，而现在：「人们需要开发新种类的应用程式…我们还没有已经准备好适合**记忆体的优良应用程式。」

与传统硬碟机储存方案相较，新一代的**记忆体能为资料中心大幅提升性能

Chakrabarti表示，与採用传统硬碟机(hard-disk)储存方案的系统相较，採用**记忆体能让Atlas线上商务平台的运作速度提升数倍：「我们还离那样的境界很远，但是已经来到了可以尝试的时间点。」

採用NVDIMM的伺服器环境，通常可内建8~16 Gbytes快闪记忆体，但利用下一代的记忆体如英特尔(Intel)的3D XPoint，可望带来500 Gbytes甚至TByte等级的容量，而且能以更低延迟执行；可惜的是，市场观察家预期那些新一代记忆体还需要至少两年的时间才能广泛上市。

Chakrabarti指出，硬体的延迟：「让人有些失望，但那会是一个重要的转捩点；」他预期，大概要到2020年才会有资料库与储存档案系统应用的**记忆体问世，而估计该类储存方案能被更广泛种类伺服器应用的程式语言支援之前，需要5~10年时间。

他表示：「希望有人可以开始撰写那些应用程式，甚至能透过程式库的形式呈现，如此就能说服产业标准组织在编程语言中支援**记忆体，并让该类记忆体储存方案也获得编译器(compiler)与工具链的支援。

Chakrabarti是在一场由储存网路产业协会(Storage Networking Industry Association，SNIA)主办的会议上发表演说；该协会旗下有一个工作小组，正在为**记忆体储存开发编程模型，此外还有锁定Linux平台的开放源码方案。

Atlas 利用执行阶段程式库(runtime library)来为**记忆体储存同步并创建日志

2020年的MRAM与ReRAM

在同一场SNIA会议上，还有一位英特尔的研究人员介绍了以pmem.io开放源码专案为基础、支援**记忆体的候选程式库；此外有一位微软(Microsoft)的研究员则是介绍了支援SNIA之Open NVM Programming Model 1.0之Windows版本开发现况。

不过也有人对那些仍在起步阶段的软体开发投入抱持质疑态度，一位独立契约***Christoph Hellwig就表示：「人们总是试著在任何事物完成之前就先发表意见，但往往当实际的硬体问世之后，情况会变得更有趣。」

在**记忆体储存硬体方面，Web-feet Research分析师Alan Niebel仍然对採用英特尔3D Xpoint的固态硬碟与DIMM抱持希望，认为该类产品可在2017年底以前上市；他表示，一年前发表的XPoint记忆体技术让市场抱持高度期望：「现在我们仍在等待。」

在此同时，记忆体开发商Everspin推出了256 Mbit的MRAM元件，并承诺在明年推出Gbit的MRAM产品，号称存取速度与耐久性都优于XPoint。而XPoint记忆体则号称能在未来支援更快速的读取，以及以百倍幅度增加的储存密度。新创公司Spin Transfer Technologies则预定在下个月公布其MARM技术*新进展。

往更远看，储存大厂Western Digital则表示将在2020年以前推出採用电阻式记忆体(ReRAM)的替代方案；还有Sony正在自己开发针对机器学习应用量身打造的新一代记忆体，可能会搭配其电脑视觉应用的成像器。另一家新创公司Nantero则声称将在2019年推出採用碳奈米管技术的Gbit等级记忆体晶片。(eettaiwan)