初冬，中关村环保园一间工厂里，几十台离子束刻蚀机、镀膜机正在运行。所谓离子束刻蚀，就是用电磁场剥离氩气的电子，剩下的氩原子核被电场加速，冲向靶材料，逐个击出靶件表面原子。
离子束是原子级的加工手段，无论刻蚀纳米纹路、制造微纳米薄膜，还是要**零件做表面抛光，都要用离子束。可以说它是**精度的刻刀。埃德万斯的离子刻蚀机加工能力之强，位居世界前列，但价格不及国外竞争者的一半。
离子束设备曾被列入巴黎统筹委员会禁运名单。1977年，为了制造更为精密的航天电子元件，钱学森提议在航天二院第23研究所设立“离子束技术、工艺及成套设备系统工程部”，由刘金声研究员负责开发中国的离子束设备，并于1980年推出国内**套商用机。这套设备性能优异，1987年被定为“取代进口和供出口产品”，同年即远销美国麻省大学。1990年获得了国家科学技术进步二等奖。
但此后，就是长期沉寂，没有人发掘它在航天电子元件制造之外的潜力。2001年，刘金声创立了“北京埃德万斯离子束技术所”，不断提升离子束设备性能。改进后的离子束刻蚀机，功耗才两百瓦，容易拆装，可靠耐用。
直到近几年，第三代半导体材料走入业界视野，离子束技术随之受到重视。所谓第三代，指的是硅和砷化镓之后，碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝等宽禁带半导体材料，它们被期待成为微电子和光电子业的新引擎，但停留在实验室和初级商用阶段，因为制造工艺尚不成熟。
例如氮化铝薄膜，适用于压电和介电元器件、高频宽带通信等。有了它，能敏锐感知温度和压力变化的传感器会像肥皂泡一样薄，但制备氮化铝是个难题，世界**厂商设立了技术壁垒。
埃德万斯利用双离子束，一束将铝原子轰击出来，一束辅助铝原子沉积为薄膜，**控制氮化铝薄膜的晶体结构生成，开辟出一条攻克难题的新路。
硅集成电路的制作是用化学反应为主的微纳加工手段，技术虽相对成熟，但在更多诸如金属、合金、陶瓷、超导等非硅材料的加工中就无能为力了。
几乎所有下一代声、光、电、磁微型元件，都适合用离子束在微纳米级的薄膜上雕刻。化学实验室可以用离子束来辅助新材料生成。有趣的是，离子束刻蚀机甚至被一家考古实验室买去，用来**无损地清扫古代的骨头标本，进而精准测量碳14含量。
埃德万斯公司负责人表示：随着新材料涌现，离子束技术作为非硅微纳加工的理想工艺，将**国内微纳制造产业的下一波突破，让中国拥有核心科技。离子束工艺技术的每一项应用分支都通向蓝海，将助力中国跻身制造强国。
（科技日报北京12月10日电）
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