三星**优势明显,传统技术难以替代。三星于2017年开始量产**代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的产能,继续维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。新型存储器由于存在CMOS兼容问题和器件级变化性,且DRAM 的性价比高,技术成熟且具有规模优势,预计未来5-10年内难以被替代。同时,由于DRAM的平面微缩接近极限并向垂直方向扩展,18/16nm之后,薄膜厚度无法继续缩减,且不适**用高介电常数材料和电极,继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势,3D DRAM在宽松尺寸下能够实现高密度容量,且寄生阻容减少,延时串扰低,未来可能成为DRAM的演进方向。
受益于需求增长拉动,DRAM保持量价齐增态势。随着5G商用逼近以及云计算、IDC业务的拉动,移动终端、服务器和PC侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减,包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line 15生产线,SK海力士的M14生产线,以及美光在广岛的Fab 15和Fab 16的扩产计划,但由于光刻技术接近瓶颈,良率问题日益突出以及新技术的出现,各厂商工艺进程都有所推迟,预计2018年全球DRAM产能增加10%,2018年DRAM依旧保持量价齐增态势。
我们建议关注国家政策资金支持带来的投资机会:兆易**(A股存储器龙头)、北方华创(A股集成电路设备龙头)、长川科技(A股封测设备龙头)。
风险提示:行业竞争加剧,需求增长不达预期。