构建自主**产业生态实现服务器关键技术超越

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在云计算、大数据等新一代信息技术推动下,全球IT产业迅猛发展,推动了服务器技术产业的加速变革。我国服务器市场容量大、增速快,带动了国产厂商快速发展,但我国服务器产业在关键元器件方面仍由国外把控。我国厂商应把握新市场新技术带来的机遇,构建自主**产业生态,实现产业由大到强的转变。

国产整机厂商快速崛起

根据Gartner数据显示,2015年全球服务器出货1125万台,同比增长11.4%,营收552亿美元,同比增长9.2%。其中,我国服务器出货232万台,增速18.6%,营收89亿美元,增速18.7%。由此可见,我国已经成为拉动全球服务器市场增长的重要力量。预计到2019年,我国服务器市场出货量保持稳步增长,占全球比重由2015年的20.6%进一步提升到2019年的24.6%。

市场格局方面,我国企业在本土发力,快速崛起,在国内市场已经建立一定的竞争优势。2015年前三季度数据显示,联想国内市场****,收入份额达到17.4%,借力资本力量,联想收购IBM System x(x86)服务器,通过产品和渠道融合,发展势头良好;浪潮践行“计算+”企业战略,大力拓展行业市场,同时聚焦**服务器自主研发,国内市场份额排在第三位(15.8%);华为从电信级市场进入企业级服务器市场,凭借强大的研发实力、高质量的产品快速抢占市场,经过几年的摸索与布局,快速站稳企业级服务器市场,超越惠普,成为国内市场第四大厂商。昔日巨头IBM,国内市场份额两年缩水近四分之三,国内排名跌落前五。聚焦我国**服务器市场(包括四路以上x86服务器、小型机和大型机),IBM依赖传统System z大型机和Power系列小型机优势,收入份额仍****(21.5%),国内厂商浪潮、联想跟随其后,分别占据15.7%和14.6%的市场份额。在关键应用主机方面,浪潮2013推出32路**服务器天梭K1,目前K1主机已经部分替代IBM小型机应用在智慧城市、公安、中央部委等核心领域和关键客户的网络中,2015年正式进入中国银行等金融行业框架采购目录,在关键应用主机领域已经打破国外品牌垄断。

关键元器件仍受制于人

目前,我国在服务器关键元器件方面仍受制于人,同时新市场新技术又带来了赶超的机遇。

Intel在处理器市场占**主力地位,开放式架构成为我国实现自主可控的可能路径。Intel的x86架构在服务器芯片领域收入份额高达80%以上,已构筑成含知识产权、规模成本、软件生态于一体的整个商业模式壁垒。我国自主CPU以龙芯为代表,基于MIPS指令集开发,2015年推出*新3B2000处理器,采用自研64位新架构GS464E、40nm工艺,在主频、性能和工艺方面与Intel相比仍有差距。同时,MIPS指令集与上层软件兼容性较差,生态不完善,制约了龙芯的应用。自主研发的CPU被视为国家核心战略产业,除了自主研发外,基于国际成熟的CPU架构,经过自主设计和二次开发,推出系统级芯片方案,能在一定程度上实现自主可控。ARM和Power为抗衡x86,进一步完善技术产业生态,抢占中国市场,加速了对中国的开放进程。ARM具有低功耗的特点,从移动领域延伸至服务器市场,国内海思、飞腾等芯片设计厂商获得ARM架构授权,贵州省政府与高通深度合作研发ARM服务器芯片。IBM成立“中国POWER技术产业生态联盟”,向国内企业开放芯片授权,帮助国内企业提升芯片技术水平。但基于Power和ARM架构开发的芯片需要一定时间才能真正消化吸收再**,技术产业生态建设仍需时日。

国外三大巨头主导内存市场,我国多方力量积极布局,但后发切入难度大。目前,内存(DRAM)市场处于三大寡头垄断局面,三星、海力士和镁光合计占据90%左右市场份额。我国厂商在DRAM领域布局较晚,基本处于空白状态。然而,DRAM广泛应用于各种电子设备和系统,我国市场需求强劲,目前完全依赖进口,存在很大的产业风险。DRAM是资本密集型产业,投资回报期长。国家集成电路大基金、各地政府、资本都在探索支持DRAM产业发展,以既有的半导体基地和公司为基础,鼓励国内相关半导体公司结盟,探索与**DRAM厂商合作,加快进入DRAM领域的步伐。2015年以武岳峰为首的中国资本联合体成功并购美国芯成半导体(ISSI),强化国内设计能力;国内武汉、合肥、西安等省市积极争取DRAM厂建设,从资金、技术和人才等方面都展开布局。

闪存新技术将逐步替代传统磁盘,为我国存储产业带来弯道赶超的机遇。传统硬盘以磁介质为材料,是服务器主要的数据存储单元,希捷、西数两大厂商占据传统硬盘市场90%以上份额。近年来,闪存成本不断降低,以闪存为介质的SSD固态硬盘速度快、时延低,在云计算、大数据等场景应用广泛,有逐步替代传统硬盘的趋势。我国企业在传统硬盘市场占比很小,固态硬盘相比机械硬盘技术壁垒低,且正处于平面工艺向3D工艺切换期,三星、美光等巨头公司在3D新工艺方面差别较大,技术尚未成熟,我国企业有望借此技术变革加速发展、缩小差距。同方国芯确定NAND Flash平台建设,增资800亿元投入存储类芯片业务(包括DRAM和Flash)。武汉新芯与Spansion合作,开展3D NAND技术研发,预计在2017年推出**3D NAND产品。SSD主控芯片方面,杭州华澜微电子自研控制芯片,收购桥接芯片厂商晶量半导体,成为国内主要的芯片厂商之一;湖南国科微电子是**家获得国家集成电路基金支持的主控芯片厂商,已经推出自主研发的固态硬盘控制芯片;华为海思也自研了SSD主控芯片,2015年年底已经推出相关产品。

如何抓住机遇实现超越

为了抓住机遇实现超越,我国业界各方应积极合作做好以下工作:

一是构建自主技术产业生态,统筹服务器、芯片和基础软件的发展。发挥国产硬件厂商的**优势,构筑自主的芯片、服务器、操作系统和数据库等软硬件一体化的生态体系,打破国外企业垄断壁垒。加强与龙头企业的技术合作促进实质性技术**,带动我国服务器相关技术发展。

二是加快自主服务器芯片突破,鼓励国产厂商参与开放式服务器芯片的研发与生产。充分消化吸收开放式CPU架构设计流程和工具,在其基础上自主**,实现自主可控。以集成电路产业投资基金为契机,引导加大服务器相关芯片研发投入,统筹规划基金在服务器芯片领域的投资重点,解决服务器芯片的短板问题。

三是抓住闪存新技术新市场机遇实现跨越发展。加速突破Nand闪存芯片制造工艺,缩小平面(2D Nand Flash)制造工艺差距,同时把握从平面向3D技术转化的机遇,快速导入新工艺(3D Nand Flash)。提升固态硬盘(SSD)主控芯片自主研发能力,鼓励厂商投入研发,打破国外巨头掌控中国市场主控芯片的局面。

四是支持在重要领域试水国产服务器。在政府采购等相关领域,支持有条件、有技术的国产厂商在党政军等重要领域试点其成熟的国产服务器,推动国产厂商在关键领域的生态布局,尽早实现国产厂商可牢牢占据一席之地。

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