Littelfuse新推瞬态抑制二极管阵列

集微网消息，Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的**企业，今日宣布推出了0.9pF ±30kV分散式单向瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列产品。 SP3222系列瞬态抑制二极管阵列将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。 这种功能强大的二极管符合AEC-Q101标准，可**吸收高于国际标准规定的***别的反复性ESD放电，且性能不会下降。 SP3222系列瞬态抑制二极管阵列 低负载电容使其成为MIPI摄像头和显示器、USB2.0、USB3.0和eSATA等高速数据线提供ESD保护的理想选择。 该系列产品非常适合保护几何尺寸为28nm及以下的*新灵敏型芯片组免受破坏性ESD损坏。SP3222系列瞬态抑制二极管阵列的其他应用包括高速串行接口、MHL、DisplayPort 1.3、机顶盒、游戏机、智能手机、外部存储设备、笔记本电脑、超极本、平板电脑和电子阅读器。“SP3222系列可提供极低的动态电阻，确保在各种电流分布下发挥出色的箝位性能，从而提供更优越的ESD保护。”Littelfuse瞬态抑制二极

东芝推出高峰值脉冲电流TVS二极管

东芝电子(Toshiba)近日宣布推出TVS二极管DF2SxxP2一系列6个产品开始依序量产及出货，其系列产品可保护行动装置中所使用的电源线供应器接头及USB电源线。 DF2SxxP2系列是采用东芝自有的齐纳二极管制程，确保瞬间吸收ESD(静电放电)或噪声的动态电阻已比以往的产品降低至80%以下。 也实现了高峰值脉冲电流额定值，比现有产品高出32倍。 其有助于系统的可靠性提升，同时，静电放电也维持与先前产品相同的30kV。该产品可以避免受到ESD造成的故障或损害，也可抑制透过电源线或讯号线进入的雷电感应造成的噪声以及开关设备的瞬态电压，进而保护行动装置(智能型手机、平板计算机)的电源线路。 预期往后也会广泛应用在保护USB TypeC的充电线(VBUS=5V~20V)。其具备低动态电阻高峰值脉冲电流，支持三种电源电压:5V、12V、20V，两种封装类型：小而薄SOD-963封装 [(CST2C)，1.6*0.8mm，t=0.48mm(Typ.)]，标准封装SOD-323 [(USC)， 2.5*1.25mm，t=0.9mm(Typ.)]

Littelfuse新推具有高浪涌耐受性的瞬态抑制二极管阵列，可保护PoweredUSB接口的直流电线

拥有Littelfuse瞬态抑制二极管阵列中*高的浪涌密度中国，北京，2017年7月12日讯 - Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的**企业，今日宣布推出一个瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）产品系列，旨在保护PoweredUSB接口的直流电线免受破坏性静电放电 （ESD）损坏。SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列采用以专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管，可保护接口中的每个输入/输出引脚。 这款功能强大的器件具有高浪涌耐受性，拥有Littelfuse所有瞬态抑制二极管阵列中*高的每平方毫米浪涌密度，在PoweredUSB接口所有相关电压电平下具有极低的动态电阻。 其可**吸收±30kV的反复性ESD震击而不会造成性能减退，还可在极低的箝位电压下**耗散80A的8/20μs浪涌电流。SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列可限制与插入交流/直流变换器相关、会向电池引入脏电的快速瞬变，从而预防与平板电脑和智能手机快速充电电池相关的过早损坏或发热问题。 其还可用于保护USB 3.1 C型接口的Vbus线路，这种接口在手持设备中越来越常见。SP11

Diodes 提升萧特基二极管的效能达 20%

集微网消息，Diodes 公司所推出的 SDT 萧特基二极管系列，使用先进的深槽工艺，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极管相近甚至更低。初始的 29 个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极管功能，适合广泛的产品应用，例如 AC-DC 充电器/转接器、DC-DC 上/下转换及 AC LED 照明。 Diodes 公司的**深槽工艺，使 SDT 萧特基二极管系列可达到*低 0.62V 的顺向电压 (VF)，及 3.5µA 的漏电流。如此优异的效能，造就杰出的功率效率，使终端系统设计采用更为精巧的外型。此系列产品中，提供 5A 至 40A 的*大平均整流电流额定，峰值重复反向电压 (VRRM) *高达 120V，顺向突波电流 (IFSM) *高达 280A，确保完整温度范围内拥有可靠的系统运作。PowerDI®5、TO220AB 及 ITO220AB 封装选项，都能提供**的热能转移特性，使 SDT 萧特基二极管系列能在严苛的应用中进行可靠运作。这些封装极为适合大量制造，SDP 零件可做为直接替换零件，取代一般平面型萧特基二极管。

Littelfuse新推出具有较低断态电压的80A离散型双向瞬态抑制二极管

Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的**企业，今天推出了SP11xx系列双向瞬态抑制二极管(SPA?二极管)中的*新产品——80A离散型双向瞬态抑制二极管。 SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极管可为电路设计师提供更低的断态电压，用于保护低压电源总线免受静电放电(ESD)的损坏。这种二极管采用专有的硅雪崩制造技术以瞬态抑制二极管构成，可保护每个I/O引脚，为对破坏性ESD高度敏感的电子设备提供高水平保护。该二极管功能强大，可**吸收±30kV的反复性ESD震击而不会造成性能减退。此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下**耗散80A的8/20μs波形浪涌电流。SP1103C系列瞬态抑制二极管阵列常用于汽车电子设备、工业产品、消费电子产品、开关/按钮、测试设备/仪表、销售点终端、医疗设备、笔记本电脑/台式机/服务器和电脑周边设备。“ SP1103C系列具有更强大的ESD保护能力，让制造商能够提供超越IEC标准***别的ESD保护性能。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “它还能防范多种其他威胁，确保产品在现场发挥更加可

Diodes推出SDT萧特基二极管系列

Diodes日前推出的SDT萧特基二极管系列，使用先进的深沟制程，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极管相近甚至更低。 初始的29个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极管功能，适合广泛的产品应用，例如AC-DC充电器/转接器、DC-DC上/下转换及AC LED照明。 Diodes公司的**深沟制程，使SDT萧特基二极管系列可达到*低0.62V的顺向电压(VF)，及3.5µA的漏电流。 如此优异的效能，造就杰出的功率效率，使终端系统设计采用更为精巧的外型。 此系列产品中，提供 5A至40A的*大平均整流电流额定，峰值重复反向电压(VRRM)*高达120V，顺向突波电流(IFSM)*高达280A，确保完整温度范围内拥有可靠的系统运作。PowerDI 5、TO220AB及ITO220AB封装选项，都能提供**的热能转移特性，使SDT萧特基二极管系列能在严苛的应用中进行可靠运作。 这些封装极为适合大量制造，SDP零件可做为直接替换零件，取代一般平面型萧特基二极管。

苏州纳米所黑磷掺杂改性研究取得进展

Littelfuse推出低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列

原标题：Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列可加强ESD、CDE、EFT与雷击感应浪涌保护 集微网消息，Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的**企业，今日宣布推出一个低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列，用于保护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）均可在高达45A和30kV ESD的条件下保护四个通道或两个差分线对。 SP2555NUTG系列产品的浪涌容差高于目前市面上的瞬态抑制二极管阵列，并可达到新兴以太网协议较低的电压目标。 SP2555NUTG瞬态抑制二极管阵列 SP2555NUTG系列的典型应用包括10/100/1000以太网、WAN/LAN设备、桌上型电脑、服务器和笔记本电脑、LVDS接口、集成式磁性元件与智能电视。“凭借每个输入/输出2.5pF的低电容以及较低的箝位电压水平，SP2555NUTG系列成为笔记本电脑、交换机和其他网络设备中1GbE应用等高速数据接口的理想选择。” Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品经理

Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列可加强ESD、CDE、EFT与雷击感应浪涌保护 保护10/100/1000以太网、WAN/LAN等高速

中国，北京，2017年6月6日讯 -Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的**企业，今日宣布推出一个低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列，用于保护高速差分数据线免因静电放电（ESD）、电缆放电（CDE）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）均可在高达45A和30kV ESD的条件下保护四个通道或两个差分线对。 SP2555NUTG系列产品的浪涌容差高于目前市面上的瞬态抑制二极管阵列，并可达到新兴以太网协议较低的电压目标。SP2555NUTG瞬态抑制二极管阵列SP2555NUTG系列的典型应用包括10/100/1000以太网、WAN/LAN设备、桌上型电脑、服务器和笔记本电脑、LVDS接口、集成式磁性元件与智能电视。“凭借每个输入/输出2.5pF的低电容以及较低的箝位电压水平，SP2555NUTG系列成为笔记本电脑、交换机和其他网络设备中1GbE应用等高速数据接口的理想选择。” Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品经理TIm Micun表示，“低电容可维护信号完整性，并*大限度地减少数据丢失，同时

银河微电子IPO：负债率超行业平均 子公司曾遭环保处罚

中国网财经6月19日讯 常州银河世纪微电子股份有限公司(以下简称“银河微电子”)在证监会网站披露招股说明书，公司拟在深交所创业板公开发行不超过3193.34万股，计划募集资金3.16亿元，其中5000万补充流动资金，1.17亿元投资于桥式整流器、功率二极管升级技改项目；其余将投向贴片二极管、三极管升级技改项目和技术研发中心建设项目。据了解，银河微电子本次IPO的保荐机构是中信建投。 公开资料显示，银河微电子系国内半导体分立器件细分行业的专业供应商，及电子器件封测行业的**制造商，产品广泛应用于家用电器、电源及充电器、绿色照明、网络与通信、汽车电子、智能电表及仪器等领域。从业绩来看，银河微电子实现营业收入5.59亿元、5.25亿元和5.46亿元，同期净利润为4888.67万元、4186万元和4609.67万元。从资产负债率来看，银河微电子报告期内分别为45.26%、37.76%和32.81%，而同行业平均值为25.16%、29.38%和25.93%。银河微电子表示，主要由于融资渠道所限，靠自身积累可以用于扩大生产经营规模的资金有限，期末经营性应收、存货的规模较可比公司而言较低。未来随着募

欧洲12国同步行动 查获100万中港仿冒半导体

欧洲反欺诈办公室宣布查获100万个仿冒半导体，表示假货有可能危及人们生命。 图：翻摄欧洲反欺诈办公室**你知道仿冒的劣质半导体也可能危及生命吗？ 欧洲反欺诈办公室（OLAF）3日公布消息，表示1项由荷兰海关主导代号「Operation Wafers」的联合海关行动，针对从中国与香港进口至欧盟的半导体进行查缉，在短短2个星期内，就查获超过100万个仿冒半导体，包括二极管、LED、晶体管与集成电路，数量相当惊人。欧洲反欺诈办公室表示，仿冒的半导体零件不仅会伤害电子产品，可怕的是可能危及生命，尤其当这些仿冒品被用于飞行或者医疗设备上时。 这次查缉行动在12个国家的海关同步进行，包括一向严谨的德国在内，主要针对邮递与快递途径进行检查，短短2星期，总共查获100万件仿冒半导体，几乎都来自中国与香港。 查获的仿冒二极管、发光二极管、晶体管与集成电路等仿冒产品，部分设计用于卡车、飞机和医疗器械。 OLAF指出，如果这些计算器系统故障，人类生命也将处于危险之中。「德国之声」报导，欧洲反欺诈办公室成立于1999年，专责打击海关事务上的欺诈与反商业欺诈。 因应中国仿冒品入侵欧洲，2008年，为了查缉仿冒香

Littelfuse新推具有高浪涌耐受性的瞬态抑制二极管阵列

意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管

原标题：意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管，提升高能效转换器的功率密度 集微网消息，中国，2017年5月22日 —— 意法半导体推出*新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员*大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。作为超结MOSFET管，新产品额定电压范围950V至1050V，开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET晶体管。在大功率设备用功率转换器内，例如高总线电压的电信服务器或数据中心服务器、工业电焊机、等离子发电机、高频感应式加热器和X射线机内，意法半导体的新产品让设计人员能够提升应用能效，减少并联器件数量，从而提高功率密度。内部快速恢复体二极管让新产品能够提升零压开关LLC谐振转换器的能效，满足应用对宽压输入和高能效的要求。其它类型的桥式转换器以及电池充电升压DC/DC转换器也将受益于新产品的低损耗和高动态性能。与市面现有的内置快速恢复二极管的甚高压MOSFET相比，意法

大连宇宙8英寸功率半导体器件项目年底投产 一期投资24亿元

4月29日，庄河市区向东13公里，兰店乡金场村，来自北黄海的海风穿越滨海公路，漫过大连宇宙半导体有限公司8英寸功率半导体器件项目现场。公司董事长郝伟豪言：“我们的项目年底投产，到时候国内功率器件市场格局将会发生重大变化。” 大连宇宙半导体即将面世的新产品——功率半导体器件，被称为“电力电子行业的CPU”，广泛应用于电动汽车、智能家电、轨道交通等领域。由于缺乏研发制造核心芯片的能力，目前国内主要依靠进口。而宇宙半导体的项目一旦建成，不仅会让公司实现二次飞跃，也对促进国家相关行业的发展具有战略意义。一期投资24亿元，用地面积13．3公顷，产品月产量将达2万片。对于宇宙半导体突然间弄出这么大动静，业界颇感意外。的确，以生产二极管为主业的宇宙半导体近10年来“存在感”略低，许多人似乎已经忘记了这家企业曾经雄霸全球二极管行业。“2000年之后，这个行业从业的门槛大幅降低，新进来的许多企业为了利润拼命压低成本。跟风，就无法保证产品质量砸牌子；不跟，市场空间就被挤没了。”谈及企业当时面临的形势，公司采购科科长房治国无奈地表示。与其在低利润、高消耗领域与“群狼”拼杀，不如跳上新台阶面向新“蓝海”。进退

Littelfuse 新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管，具有更低的开关损耗与更高的效率

混合pn肖特基 （MPS） 结构可增强抗浪涌能力并降低泄漏电流中国，北京，2017年5月25日讯 -Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的**企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动（PCIM）展的开幕。 这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 其他基于该技术平台的碳化硅产品（包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管）正在筹备中，预计于不远的将来推出。GEN2系列碳化硅肖特基二极管GEN2碳化硅肖特基二极管的额定电压为1200V，工作电流从5 A至10 A 不等，采用TO220-2L或TO-252-2L封装。 相比标准的硅双极功率二极管，这种二极管让电路设计师能够大幅降低开关损耗，并显著提高电力电子系统的效率与耐用性。 它可在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并且相比硅二极管能在更高的结温下工作。 它还提供同类*佳的存储电容电荷与正向压降。GEN2系列碳化硅肖特基二极管的典型应用包括功率因数校正（PFC）、直流

二、三极管市场结构变化：大陆抢占台湾市场

通过梳理二、三极管龙头厂商，我们认为二三极管市场整体稳定向上背景下市场结构正在发生变化。一方面是产品结构在应用端发生了变化，更为重要的是市场结构发生了变化。欧美厂商受益经济复苏与汽车电子新周期，而大陆厂商稳定蚕食台企份额。 一个整体背景是，行业整合与Diodes火灾导致17年市场供给紧张持续。行业整合持续进行，市占率达16%的龙头Diodes过去10年先后进行4次并购，而去年年底，Diodes的KFAB晶圆厂的湿法刻蚀晶圆制造区发生火灾，叠加公司场地租用将于17年末到期，场地业主方或不同意租用续约，致使Diodes公司宣布KFAB工厂将于2017年3月底停止营运，并将在2017年11月清空。在供给端有所收缩的预期下，整体二极管市场出现了偏紧的趋势。横向比较二极管龙头Q1业绩差异，可以发现在整体向上的基础上出现地区性差异，欧美与大陆相对强势，而台湾厂商业绩下滑。首先，全球二极管龙头Q1业绩整体走强，营收同比提升3.15个百分点，毛利率提高0.92个百分点，细分各个市场：（1）以Diodes为代表的美系龙头业绩提高明显，Diodes 17Q1营收同比增长6.1%，毛利率亦同比提升2.45个

Littelfuse碳化硅萧特基二极管具更低开关损耗

Littelfuse近日宣布推出GEN2系列1,200V碳化硅(SiC)萧特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。 此类型碳化硅二极管，是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 Littelfuse功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示，此种新型碳化硅萧特基二极管的混合p-n萧特基(MPS)结构，可以为电路设计人员，提供更强的浪涌性能以及极低的泄漏电流。 相比传统的硅双极二极管，这种碳化硅萧特基二极管，可提高转换器效率与功率密度，同时说明降低系统层面的成本。GEN2碳化硅萧特基二极管的额定电压为1,200V，工作电流从5A至10A不等，采用TO‑220-2L或TO-252-2L封装。 该二极管让电路设计师能够大幅降低开关损耗，并显著提高电力电子系统的效率与耐用性。 它可在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并且比硅双极二极管，能在更高的接口温度下工作，其还提供了同类*佳的存储电容电荷与正向压降。GEN2系列碳化硅萧特基二极管的典型应用，包括功率因子校正(PFC)、直

采用ST F7 LV MOSFET技术的单片肖特基二极管:提高应用性能

摘要 –当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。I.前言在同步整流和电桥结构中，RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的**要求，实际上，本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降（VF，diode）影响开关管在续流期间（开关管处于关断状态，电流从源极经本征二极管流至漏极）的功率损耗 ; 反向恢复电荷 （Qrr） 不仅影响开关管在反向恢复过程的损耗，还影响开关性能。MOSFET 管的尖峰电压随着Qrr升高而升高。因此，VFD 和Qrr较低的二极管，例如，肖特基二极管，有助于提高开关管的总体性能，在电桥拓扑或用作同步整流管应用中，当开关频率很高且二极管长时间导通时，提升性能的效果特别明显。本文将在开关电源和电机控制环境中评估内置肖特基二极管的新60 V ST MOSFET管的性能，并对比标准器件，重点论述新产品的优势。II.MOSFET本征体

二极管鲜为人知的特性

我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗？如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A（肖特基管）的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。1、 正向导通压降与导通电流的关系在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗？它与正向扩散电流又存在什么样的关系？通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V

Vishay高速PIN光电二极管帮助可穿戴设备实现准确的信号检测和薄形传感器设计

Littelfuse双向瞬态抑制二极管阵列保护高速接口免受ESD侵害

元器件交易网讯 3月28日消息，Littelfuse公司作为全球电路保护领域的**企业，今日宣布推出了一个旨在保护电子设备免受破坏性静电放电（ESD）损坏的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列产品。 SP3042系列双向分立型瞬态抑制二极管阵列包括采用硅雪崩技术制造的反向瞬态抑制二极管，它可**吸收IEC 61000-4-2国际标准（±30kV接触放电）所规定*高值的反复性ESD震击，而不会造成性能减退。 当空间利用率极高的01005封装存在交流信号时，反向配置可为数据线提供对称ESD保护。 该系列产品的低负载电容（VR=0V条件下为0.35pF，典型值）使其成为保护HDMI2.0、USB2.0、USB3.0和eSATA等高速接口的理想选择。SP3042系列产品SP3042系列的典型应用包括为用于MIPI摄像头和显示器、DisplayPort1.3,eSATA、物联网 (IoT）模块、智能手机、外部存储设备、超极本/笔记本电脑、平板电脑/电子阅读器和**模块中的高速接口提供ESD保护。“SP3042系列瞬态抑制二极管阵列外形小巧，能够在保护高速接口的同时*大限度地减少在印刷电路板上

Littelfuse推出瞬态抑制二极管数组系列

Littelfuse近日宣布推出了针对可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备，提供八信道超低电容常规模式和差分模式保护的瞬态抑制二极管数组(SPA二极管)系列产品SP8008。 Littelfuse瞬态抑制二极管数组全球产品经理Tim Micun表示，除了低负载电容和低动态电阻外，此系列瞬态抑制二极管数组，还可以为电路设计师提供紧凑的组件选择，其μDFN-14封装能够节省电路板空间，并支持数据线的直通路由。SP8008系列低电容瞬态抑制二极管数组，可防范超过IEC 61000-4-2 ±8 kV接触ESD等级的ESD事件，同时避免任何性能减退。 极低的负载电容(仅为0.3pF，典型值)，还让这些组件成为保护V-by-One、嵌入式DisplayPort、HDMI 1.0至2.1以及USB 2.0/3.0/3.1等高速讯号引脚的理想选择，而且讯号完整性不会受损。此系列的典型应用包括为LCD/PDP电视、LCD/LED显示器、笔记本电脑、超极本、汽车显示器、平板显示器、数字讯号、高清摄像机/投影机，以及USB和HDMI接口的高速接口保护。 SP8008系列瞬态抑制二极管具备下列关键优势

具扩频功能的 60V 同步 4 开关降压-升压型控制器

元器件交易网讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降压-升压型 DC/DC 控制器 LT8390，该器件可在输入电压高于、低于和等于输出电压时调节输出电压和输入或输出电流。其 4V 至 60V 输入电压和 0V 至 60V 输出电压范围非常适合汽车、工业、电信甚至电池供电系统中的稳压器、电池和超级电容充电器应用。LT8390 的 4 开关降压-升压型控制器与 4 个外部 N 沟道 MOSFET 相结合，能够以高达 98% 的效率提供 10W 至超过 400W 的功率。其降压-升压能力非常适合汽车等应用，因为在这类应用中，输入电压可能在停/启、冷车发动和负载突降情况下显著变化。降压、降压-升压和升压运行模式之间的转换是无缝的，从而即使当电源电压有很大变化时也可以提供很稳定的输出。LT8390 采用 28 引线 4mm x 5mm QFN 或耐热性能增强型 TSSOP 封装，可构成占板面积非常紧凑的解决方案。LT8390 运用专有的峰值降压、峰值升压电流模式控制方法，这种方法运用单电感器电流检测电阻器提供降压、升压和降压-升压区之间的无缝

英飞凌推出面向18〜40kHz开关用途的低损耗IGBT

英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz〜40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）“RC-E系列”（英文发布资料）。新产品在IGBT上集成续流用体二极管，采用了该公司自主技术“TRENCHSTOP”。英飞凌表示，“此次的产品面向开关频率低、要求低导通损失的用途优化了特性。另外，成本方面，也面向要求低中价位的用途实现了优化”。主要用于感应加热（IH）烹饪炉、感应加热电饭煲及微波炉等。 新系列有集电极电流不同的2款产品。分别是＋100℃时*大集电极电流为15A的“IHW15N120E1”和25A的“IHW25N120E1”。15A产品的特性如下：集电极-发射极间饱和电压（VCE（sat））为1.50V（标准值），软开关时的关断损耗（Eoff）为0.03mJ（标准值），体二极管的正向压降为1.90V（标准值），正向电流为15A。25A产品的集电极-发射极间饱和电压（VCE（sat））为1.50V（标准值），软开关时的关断损耗（Eoff）为0.08mJ（标准值），体二极管的正向压降为1.90V（标准值），正向电流为25A。据介绍，这两款产品均降低了电

各种常用多电平逆变器小结

本文首先总结了级联H桥、NPC和FC多电平逆变器的工作原理和优缺点，并以七电平为例仿真验证了关于器件开关频率、器件电压应力、输出谐波含量等特点。接着研究了紧密型多电平逆变器的工作原理和控制策略，主要研究内容包括主电路拓扑、运行原理、控制策略、调制策略等方面，并对各类拓扑中器件数量与电平关系进行了归纳总结，形成数学表达式。建立了传统两电平、二极管钳位三电平、紧密型七电平逆变器的损耗模型，分别计算了在开关频率为10kHz、20kHz和50kHz下的损耗值大小。通过电压外环电流内环的控制方式，建立了单相紧密型七电平逆变器在孤岛运行时的仿真模型，*后建立了单相紧密型七电平逆变器在并网运行时的仿真模型。经过本文的研究，得到如下结论： （1） 传统两电平逆变器的电磁干扰大，du/dt大，设备体积大，开关频率高，逆变效率低，不适用于高压系统等，采用多电平逆变器可以有效的解决这些问题。（2） H桥多电平逆变器的控制较简单，但需要的独立直流电压源数量较多；NPC多电平逆变器的控制简单，不需要额外的独立直流电源，但需要较多数量的钳位二极管；FC多电平逆变器的开关状态组合多、较灵活，控制较复杂，需要考虑飞跨

一文剖析OLED和AMOLED二极管异同

被称为下一代显示技术的OLED有机发光二极管、AMOLED主动矩阵有机发光二极管得到了包括三星电子，三星SDI，LG飞利浦在内的高度重视。简单的说就是OLED技术包括PMOLED 和AMOLED，PMOLED不需TFT背板（与液晶的背板不同），但尺寸不能做的很大;AMOLED尺寸可以做的很大。PMOLED主要存在于早期的双屏手机上，用于小的外屏，目前的手机电视都用了AMOLED技术。AMOLED虽然LED在日常生活中也比较常见，但是在屏幕中，每个LED的尺寸都非常之小，并且被分成了红绿蓝三个子像素群，然后再形成不一样的颜色，而子像素的排列方式也会影响到整个显示效果。而AMOLED中的O则代表Organic，也就是“有机”，简单地说，就是在正负极之间时间使用了一系列的有机薄膜材料，从而达到发光的目的。AM代表AcTIve Matrix，是相对于Passive Matrix而言的，是指每个OLED像素的驱动方式。在Passive Matrix中，每个像素的控制是通过一个复杂的电极网络来实现的，从而实现某个像素的充放电，总体来说，Passive Matrix的控制方式相对速度较慢，控制精度也

有机离子二极管：为便携式电子产品提供源源不断的电能

便携式电子产品功能日新月异，发展速度远远超出了其电池续航能力的提升。为了满足下一代便携式电子产品进一步智能化、集成化、可持续化的发展需求，迫切需要开发可长时间持续稳定工作的电源系统以弥补电池容量的不足。如果能将人类日常肢体运动产生的机械能收集起来并为电池充电，则可为便携式电子产品提供源源不断的电能。实现这一概念的关键在于如何在便携式电子产品中完成“从机械能到电能的高效转换”。目前这类转换主要依赖压电效应。然而，压电效应适用于收集高频率机械振动（大于10赫兹）产生的能量，但人类日常肢体运动往往在更低的频率范围内（小于1赫兹）。频率不匹配使得能量收集大打折扣，无法满足应用需求。 近日，美国宾州州立大学研究团队公布了他们全新的“机械能－电能转化”概念和器件，能够实现对低频率机械振动能量的高效收集。这种器件基于柔性轻质的有机离子二极管，它在人类日常肢体运动频率范围内的“机械能－电能转化”功率密度比传统压电器件高出几个数量级，可满足下一代便携式电子产品的需求。宾州州立大学材料科学与工程系QingWang教授介绍说：“这项设计专门针对如何将这些普遍存在而又未被利用的的低频机械能转换为电能。正因为如

换种思路谈常用器件三极管工作原理

随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个*为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点：1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。2、放大状态下集电极电流Ic，为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。3、饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生。很多教科书对于这部分内容，在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书，大多采用了回避的方法，只给出结论却不讲原因。即使专业性很强的教科书，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，使讲解内容前后矛盾，甚至造成讲还不如不讲的效果，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。一、 传统讲法及问题：传统讲法一般分三步，以NPN型为例（以下所有讨论皆以NPN型硅管为例），如示意图A。1.发射区向基区注入电子；2.电子在基区的

将二极管边缘终端的长度缩短至1/5以下

富士电机与香港科技大学组成的研究小组在“ISPSD 2016”上发布了可缩小二极管的边缘终端（Eedge Termination）区域的新技术。与以往设置保护环的边缘终端相比，该技术可使边缘终端的长度缩短至1/5以下。 随着二极管不断实现微细化，作为元件发挥作用的主动区域越来越小，边缘终端在二极管芯片中所占的比例则越来越大。尤其是输出电流较小的二极管，边缘终端所占的比例更大。在用于白色家电等的耐压600V的5A二极管中，边缘终端的长度约为350μm，在整个芯片面积中所占的比例达到了约55％。因此，该研究小组开始研究如何缩小边缘终端。此次采用了在二极管表面挖掘沟槽，然后用“BCB（苯并环丁烯）”等填充沟槽的结构。在主动区域为0.55mm2（相当于2A）的情况下，采用该结构设置边缘终端，仅以35μm的长度就获得了755V的耐压特性。据介绍，这一数值还不到以往采用保护环方式的边缘终端的1/5。（记者：根津 祯）

Littelfuse收购安森美TVS二极管产品组合

安森美半导体宣布收购Fairchild的提议已获美国监管机构批准，根据这一同意令以及后续处理问题的要求，安森美半导体另行与Littelfuse达成出售点火IGBT业务的协议；而此举也有助于Littelfuse进一步扩展其功率半导体产品组合以及汽车电子市场占有率… Littelfuse与安森美半导体(ON Semiconductor)已经达成正式协议——Littelfuse将以1.04亿美元的总价收购汽车点火应用的产品组合，包括瞬态电压抑制器(TVS)二极体、双向晶闸管及绝缘闸双极电晶体(IGBT)。此产品组合的年销售额约为5,500万。本笔交易预期将于2016年8月完成。Littelfuse半导体产品**副总裁兼总经理及**科技长Ian Highley表示，“收购这项产品组合符合我们扩充功率半导体应用以及我们在汽车电子市场占有率的策略。”“这些产品与我们现有的电路保护业务有极大的协同效益，将强化我们的通路合作关系以及客户参与，同时扩增我们的功率半导体产品组合。”Littelfuse也计划为其半导体生产据点投资大约3,000万美元，将所收购产品组合的生产转至其中国的生产设施，以大幅提升中

电子工程师必备电子电路知识精选

作为从事硬件设计工作的工程师，首先要有过硬的基本功，要能对有技术参数的电路原理图进行总体了解，能进行划分功能模块，找出信号流向，确定元件作用。电路图是人们为了研究和工程的需要，用约定的符号绘制的一种表示电路结构的图形。通过电路图可以知道实际电路的情况。这样我们在分析电路时，就不必把实物翻来覆去地琢磨，而只要拿着一张图纸就可以了。在设计电路时，也可以从容地纸上或电脑上进行，确认完善后再进行实际安装，通过调试、改进，直至成功。我们更可以应用先进的计算机软件来进行电路的辅助设计，甚至进行虚拟的电路实验，大大提高工作效率。要掌握分析常用电路的几种方法，熟悉每种方法适合的电路类型和分析步骤。１．交流等效电路分析法。首先画出交流等效电路，再分析电路的交流状态，即：电路有信号输入时，电路中各环节的电压和电流是否按输入信号的规律变化、是放大、振荡，还是限幅削波、整形、鉴相等；２．直流等效电路分析法。画出直流等效电路图，分析电路的直流系统参数，搞清晶体管静态工作点和偏置性质，级间耦合方式等。分析有关元器件在电路中所处状态及起的作用。例如：三极管的工作状态，如饱和、放大、截止区，二极管处于导通或截止等；３

告别硅时代:机器学习热潮需新型芯片

硅已经支持计算机工作近半个世纪了，无论是图形处理还是数字运算，所有的信息处理都由数百万个聚集在一起的微型逻辑门电路完成，而这些电路都是由硅制成的。但硅芯片的时代或许很快将要终结。摩尔定律指出在微处理器中的硅晶体管数量每两年便会增加一倍，但这一预测不可能永远适用，因为一块芯片上可承载的晶体管数目是有限的。机器学习热潮是硅芯片面临的另一个挑战。运行需要处理海量数据集的机器学习算法，令基于硅的计算机耗能飙升。半导体行业协会（SIA）预计，以目前的趋势，2040年计算机的能量需求将会超过世界总能量供给。世界各国的研究人员正在开发可替代硅来处理海量数据的新型计算系统。这些系统力求比现在的芯片更小，能效更高。Julie Grollier领导的研究组正在法国UMPhy lab实验室设计可以仿人类大脑工作的纳米器件。她的研究组用磁性粒子进行运算，尤其是模式识别。当磁性粒子非常小时，它们会处于不稳定状态时，磁场开始无规律振荡。通过施加电流，研究组就可以利用这样的振荡完成基础运算。如果这种计算装置的规模能够扩大，Grollie相信这项技术能比现有的技术更快的完成识别模式。这项技术也会减少能量消耗。Grol

Allegro MicroSystems, LLC 推出全新宽输入电压 降压稳压器

美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems， LLC推出两款全新可调高频率DC-DC降压开关稳压器产品，它们集成有高边功率MOSFET，能够理想满足*新信息娱乐系统的电源需求。Allegro公司的A8586具有高达2.5A的输出电流，而A8587的*高输出电流为2.0A。两款产品均符合AEC-Q100要求，并集成有电流模式控制功能用于快速瞬态响应。两款器件均具有3.8V至 36V的宽输入电压范围，适用于包括汽车输入环境等多种降压应用。低至30μA的静态工作电流有利于电池驱动的“保持激活（keep alive）”应用。两款产品经专门设计，可以稳健地处理*大额定电压为40V的负载突降（load dump），以及具有3V UVLO额定电压的怠速-熄火（idle-stop）和冷启动（cold crank）状况。PWM模式下，新稳压器产品能够在宽泛的负载范围保持高效率，并且由于负载减小而集成有脉冲频率调节（PFM）功能，从而降低轻负载下开关和栅极驱动器损耗。A8586和A8587器件均集成有频率折返（frequency fold back）功能，以防止启动期间电感电流失

新一代功率半导体：AlGaN比GaN更出色

在新一代功率半导体方面，AlGaN比GaN更出色。这一研究成果是美国桑迪亚国家实验室（SandiaNationalLaboratories）与美国Avogy公司联名在“APEC2016”上发表的。登台演讲的RobertJ.Kaplar公布了用AlGaN试制的功率元件的特性。AlGaN与GaN相比带隙更宽、绝缘破坏强度更高，有望制造出损失比GaN低的功率元件。AlGaN是GaN与AlN的混合晶体。据Kaplar介绍，从理论上讲，AlN的带隙为6.2eV、绝缘破坏强度为15.9MV/cm，超过分别为3.4eV、3.3MV/cm的GaN。因此，AlGaN与GaN相比带隙更宽、绝缘破坏强度更高。在演讲中，Kaplar主要介绍了两种元件的特性。一是在GaN基板上制造的GaNPiN二极管。耐压为3.9kV，导通电阻仅为1.9mΩcm2。芯片尺寸为数百μm见方。另一个是AlGaNPiN二极管。在蓝宝石基板上，用MOCVD法使Al0.3Ga0.7N生长。作为结晶缺陷之一的位错的密度为1×1019/cm2～2×1019个/cm2。漂移层厚度为4.3μm，漂移层杂质浓度为1016/cm3左右。耐压为1.5

研究人员用DNA分子造出全球*小二极管

佐治亚大学和以色列内盖夫本-古里安大学的研究人员利用DNA分子制造出了新型二极管。这被认为是全球尺寸*小的二极管。研究人员表示，这将促进DNA元件的开发，推动分子电子学的发展。二极管的功能是实现电流的单向流动。40多年前，科学家提出，可以将二极管和其他电子元器件小型化，缩小至单个分子大小。这促成了分子电子学的诞生，而分子电子学的研究成果有望推动计算机技术突破传统硅器件的限制。 在这项研究中，科学家利用DNA分子去制造二极管。基因科学的突破使**设计DNA成为了可能，并使DNA成为了分子电子学研究中的*佳原材料。DNA的双螺旋结构由被称作碱基对的分子构成。这一新型二极管的长度只有11个碱基对。通常情况下，每个DNA碱基对的长度约为0.34纳米。DNA本身并不能发挥二极管的功能。不过，当研究人员向DNA内部某个位置插入2个小的Coralyne分子，并向其施加1.1伏电压时，可以发现通过该DNA二极管的电流在某一方向上要比另一方向强15倍。科学家表示，这一DNA二极管可以进一步优化，从而开发出可提供实际功能的分子器件。这一研究成果发表在*近的《自然化学》期刊上。

工业4.0引发智慧制造热潮 半导体厂商竞相布局强化竞争力

智慧制造可有效提升产能与降低成本，提升整体营运效率。为提升市场竞争优势，半导体业者竞相布局，祭出相关解决方案，促使智慧制造发展**升温。结合大数据分析　台积电落实智慧制造为提升半导体产业发展，智慧制造已成为各国半导体产业争相投入的热门领域。然而，如何有效的将智慧制造引进生产流程，已成为目前亟需解决的主要挑战。对此，各大半导体业者纷纷推出新的解决方案，加速智慧制造发展，在竞争日趋激烈的市场中，提升自身优势。半导体制造迈向智慧化。工业4.0引发智慧制造发展热潮，台积电身为全球晶圆代工龙头，已开始利用资讯科技(IT)平台即时搜集设计、生产及原物料供应等环节的作业资料，并由专门技术团队进行大数据(Big Data)分析，藉以克服晶圆制程日益复杂所引发的制造挑战，同时提升生产效率与产品良率。台积电台南厂区电脑暨通讯管理部资讯建构暨通讯服务处副处长张耀雄(图1)表示，随着晶圆制程越来越复杂，其所须搜集与分析的资料也呈现几何级数的增加，且资料的多样性与过往截然不同，因此对IT系统和设备制程都是很大的挑战。为突破此一困境，台积电积极发展大数据技术，结合IT平台及透过资料科学团队进行分析，使该公司从上到

空气净化器中对PM2.5检测用激光还是红外

近年来，雾霾天气在我国频繁多发，空气污染时刻影响着我们的健康，空气质量问题已引起全社会高度关注。随着人们生活水平日益提高以及全民健康意识的不断提升，空气质量监测和空气净化类产品得到了广泛关注，惹人注目的是空气监测、净化类产品的智能化**体验，让清新空气不再是奢求！在巨大市场需求的推动下，国内空气净化器市场的发展迅速，新老品牌激烈角逐。据有关数据统计，在2015年，我国空气净化器市场消费者*关注的十款产品均价4566，其中有7款售价高于3000元。高于2000元产品的消费者整体关注度达到72.2%。由此可见，中**净化器市场仍将是各净化器厂家未来关注的焦点。空气净化器中对PM2.5检测用激光还是红外空气净化器产品不同于空调，就普通消费者而言，对其购买的空气净化器产品是否有效是很难建立一个很直观的感受，需要有相关的监测数据给予公正的评价。因此，粉尘传感器逐步引起行业关注，评价室内空气质量好坏只有粉尘传感器，它能够感知空气中危害成分浓度，是空气净化器产品与用户间建立直接联系的*重要的桥梁。在国内外中**空气净化器市场，粉尘传感器的应用已经十分广泛，是智能空气净化器必备的传感器之一。随着国内空

Vishay推出用于便携式电子产品的新款TVS保护二极管

ROHM 苏建荣　超小型TSV二极管抢攻穿戴式市场

穿戴式装置市场蓬勃发展，知名手机大厂、健康器材业者纷纷投入开发智慧手表、智慧手环。由于穿戴式装置体积轻巧，使得开发商面临产品内部空间狭小的设计挑战，故须使用更加微小的元件。有鉴于此，罗姆(ROHM)半导体近日推出RASMID系列的新款超小型瞬态电压抑制(TVS)二极体，满足此一设计需求。 ROHM应用设计支援部课长苏建荣指出，TVS二极体具更多ESD防护功能，因此穿戴式装置对此元件的需求日渐增多。ROHM应用设计支援部课长苏建荣援引IDC资料表示，2015年第三季穿戴式装置总出货数为两千一百万具，和前年同期七百一十万具相比，出货成长率高达197.6%，可看出穿戴式装置正快速成长。而Fitbit、Apple、小米、Garmin与中国厂商步步高依序为穿戴式装置市场排名前五名的公司。 此外，苏建荣观察，从iPhone 5发展到iPhone 6，能发现智慧手机的电子元件总个数增加两百八十一个，其中0.4×0.2毫米(mm)与0.6×0.3毫米的超小型元件便占半数，而尺寸较大的元件反而减少十六个。由此可知，手机尺寸虽然变大，但其对超小型元件的需求却日益增加。 另一方面，苏建荣指出，由于穿戴式装置

Vishay 推出适用于便携式电子产品

宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列表面贴装瞬态电压抑制器（TVS）保护二极管---VTVSxxASMF，这些器件在业内**实现2%的击穿电压公差。Vishay Semiconductors的该系列器件采用超薄SMF封装，在10/1000μs条件下的浪涌抑制能力达到400W，适用于便携式电子产品。今天推出的这批器件高度1mm，具有低噪声技术和非常快的响应时间，非常适合便携式电脑、笔记本电脑、平板电脑、智能手机和外置硬盘等空间有限的电子产品中的线路瞬态电压保护。VTVSxxASMF系列包含23颗器件，工作电压从5V到63V，击穿电压公差为2%或5%。这些TVS器件的峰值脉冲电流为2.9A～20.3A，钳位电压从14.8V到103.5V，增量浪涌电阻低，工作温度从-55℃到+175℃。保护二极管可提供±30kV（空气和接触放电）的ESD保护能力，达到IEC 61000-4-2要求，在接头上可进行260℃/10秒的高温焊接，潮湿敏感度达到per J-STD-

Vishay推出新款超薄BiSy单路ESD保护二极管

第87届中国电子展展商巡礼：深圳市汇晟通科技发展有限公司

元器件交易网讯2016年中国(深圳)电子展将于4月8日-10日在深圳会展中心举行。展会以“新技术、新产品打造一站式选型采购平台”为主题。届时，深圳市汇晟通科技发展有限公司将携*新塑封贴片产品参加展会，展位号：9B01。公司介绍:该公司成立于2002年，是一家半导体分立器件生产商，位于深圳市福永街道、深圳国际机道旁边，与空港物流基地相连，毗邻广深高速和福永港，交通便捷。公司厂房面积10000多平方米，员工300多人，拥有专业的管理团队和一大批经验丰富的**工程技术人员并**推行ISO9001:2008质量管理体系。目前工厂年产二极管5000多KK。二极管产品涵盖稳压管、开关管、整流管、肖特基等系列，分为玻封及塑料封装工艺，包括D0-35、D0-41、DO-15、DO-27、DO-41P、LL-34、LL-41、SOD-123、SOD-323、SOD-123FL、SMA/B/C、贴片桥堆等封装方式。参展产品：信展通此次参展的产品主要以塑封贴片产品为主，重点在电源、照明及家电领域，产品涵盖稳压、开关、肖特基、整流及瞬态电压抑制等，广泛用于电源、照明、计算机、电视机、通信器材、平板电脑、小家电

罗姆适推出业界*小TVS二极管 利于设备小型化和电池续航

22日，全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)邀请多家国内行业媒体，宣布推出01005尺寸(0402mm)业界*小级别的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”。ROHM(深圳)分立元器件部**经理水原德健介绍，该新产品与以往的0201尺寸(0603mm) 相比，面积缩减了56%，体积缩减了81%，实现了业界*小级尺寸，有助于智能手机等的更高密度安装。为顺应移动设备小型化和电池使用寿命的需求，设备企业需要更小的元器件。同时，要求设备中的齐纳二极管或低容量保护二极管更加小型化，且具有优异的护电子电路不受静电(ESD)保护能力。TVS二极管因特性项目较其他二极管丰富而使其需求量日益增加。此次开发的新产品不仅实现了小型化，还可确保更**的ESD保护功能。ROHM将利用本系列产品正式进军TVS二极管市场。ROHM采用崭新工艺方法开发出了小型化和±10μm的尺寸精度的世界*小元器件，并命名为RASMID(ROHM Advanced Smart Micro Device)系列。此次开发的0.4mm*0.2mm的新产品，正是该“RASMID系列”中的一个新系列。RASMID系列可达到±10μm的尺寸精

Vishay双向单路ESD保护二极管可有效保护汽车数据总线的**

宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 1 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两颗新的采用小尺寸SOD-323封装的双向单路ESD保护二极管VLIN1626-02G和VLIN2626-02G。Vishay Semiconductors 的两款器件的尺寸为1.95mm x 1.5mm，高度只有0.95mm，具有低电容和低漏电流，可保护汽车数据总线免受瞬变电压信号的影响。对于LIN总线应用，今天发布的二极管为一条数据线提供了符合IEC 61000-4-2的±30kV（空气和接触放电）的瞬变保护。两颗器件通过了AEC-Q101认证，典型负载电容为15.5pF，*大为18pF，*大漏电流小于0.05μA，工作电压为-16V/+26.5V或±26V。保护二极管无铅，符合RoHS。新的VLIN1626-02G和VLIN2626-02G现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。VISHAY简介Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强

打破日、美技术垄断 “硅衬底”受热捧事出有因？

高工LED近日获悉，2015年度国家科学技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)。据悉，此项“硅衬底技术”由江西省申报，项目主要参与人员包括南昌大学江风益教授、晶能光电(江西)的孙钱博士等。政府补贴 受热捧高工产研LED研究所(GGII)调查显示，目前LED能用于产业化生产蓝绿光的衬底材料包括：蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)和硅(Si)衬底。其中，蓝宝石衬底技术主要掌握在日本公司手中，成本较低，目前市场上的主流路线；而碳化硅则走的是“贵族路线”，成本高昂，其衬底及LED制备技术被美国公司垄断。本次极有可能获奖的“硅衬底技术”则由南昌大学主持研发，同时目前南大已在Si(111)衬底上生长出发光特性能与蓝宝石、SiC衬底相媲美的GaN蓝光LED，成为目前外延生长GaN薄膜的*佳选择。“这是一项中国人自主研发起来的硅衬底技术，它弥补了前两大技术路线的不足，在成本持续下降的背景下，硅衬底如若获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。”有产业分析人士指出。而近日记者也获悉，南昌市财政局从上年度市扶持制造业发展专项资金中安排3519万元用于晶能光电(

英飞凌可控逆导型IGBT灵活提高系统输出功率

英飞凌科技新发布的一款采用可控逆导型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和续流二极管的6.5kV功率模块。这款RCDC（二极管可控逆导型IGBT）IGBT芯片较之安装尺寸相同的前几代模块，电流密度提高了33%，散热性能也有所增强。因此，它可以延长产品工作寿命并提高可靠性，进而*大限度降低系统维护工作量。编辑点评：RCDC IGBT芯片，非常适合现代高速列车和高性能电力机车及未来的HVDC输电系统和传动装置。它的推出，使英飞凌进一步壮大高性能6.5kV KE3 IGBT产品的系列。设计人员可以灵活提高系统输出功率，而无需以加大外形尺寸为代价。利用其更高功率密度的优点，可以在保持功率不变的情况下减少IGBT并联数量，从而减小系统尺寸、减轻产品重量，并降低成本。

Vishay新款双向单路ESD保护二极管有效保护汽车数据总线**

Littelfuse推出高功率表面贴装瞬态抑制二极管

Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布推出了LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管这两个新产品系列，旨在提供优于标准硅雪崩二极管（SAD）技术的箝位特性。此**性能借助LittelfuseFoldbak技术得以实现，提供的箝位电压低于雪崩电压，但高于额定工作电压。因此，任何电流传导所导致的升压都能被抑制在*低程度。两款产品均可串联和/或并联以打造各种灵活的保护解决方案。这两款产品与该公司的AK系列瞬态二极管具有相同的出色品质，易于生产并采用紧凑的机械设计。此外，由于其提供表面贴装式SMTO-218封装，因此可帮助电路设计师节省更多电路板空间。这种表面贴装型封装是自动快速贴装以及回流焊加工的理想选择，相比轴向引线封装可降低制造成本并提高焊接质量。Littelfuse推出高功率表面贴装瞬态抑制二极管LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管的典型应用包括手机基站、工业瞬态电压浪涌抑制器（TVSS）、铁路（铁道）轨旁信号和控制机箱、国防和航空电子设备以及电网和配电系统的瞬变过压保护。“LTKAK6和LTKAK10系列是电路保护行业首款真正的表面贴装式高功率

Littelfuse推出电路保护行业首款真正的高功率表面贴装瞬态抑制二极管以降低生产成本

SMTO-218采用SMT表面贴装设计，适合自动快速贴装以及回流焊工艺Littelfuse推出了LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管这两个新产品系列，旨在提供优于标准硅雪崩二极管 • LTKAK6和LTKAK10系列的表面贴装型封装是自动快速贴装以及回流焊加工的理想选择，相比轴向引线封装可降低制造成本并提高焊接质量。• 由于LTKAK6和LTKAK10瞬态抑制二极管可经受多次浪涌，因此能帮助设备生产商延长产品质保，与无源MOV不同，此类半导体瞬态抑制二极管不会磨损，这使其成为保护重要负载的理想选择。• 这类瞬态抑制二极管经过认证，环保且全球通用，可帮助设计师满足全球监管标准。供货情况LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管提供SMTO-218表面贴装式封装，提供400只装卷带包装或者100只装管状封装(每管25只)。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。 如需了解Littelfuse 授权销商名单，可访问 http://www.littelfuse.com/contactus.aspx。

Littelfuse推首款真正的高功率表面贴装瞬态抑制二极管

集微网2015年12月10日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布推出了LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管这两个新产品系列，旨在提供优于标准硅雪崩二极管（SAD）技术的箝位特性。 此**性能借助Littelfuse Foldbak技术得以实现，提供的箝位电压低于雪崩电压，但高于额定工作电压。 因此，任何电流传导所导致的升压都能被抑制在*低程度。 两款产品均可串联和/或并联以打造各种灵活的保护解决方案。 这两款产品与该公司的AK系列瞬态二极管具有相同的出色品质，易于生产并采用紧凑的机械设计。 此外，由于其提供表面贴装式SMTO-218封装，因此可帮助电路设计师节省更多电路板空间。 这种表面贴装型封装是自动快速贴装以及回流焊加工的理想选择，相比轴向引线封装可降低制造成本并提高焊接质量。 LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管的典型应用包括手机基站、工业瞬态电压浪涌抑制器 （TVSS）、铁路（铁道）轨旁信号和控制机箱、国防和航空电子设备以及电网和配电系统的瞬变过压保护。 “LTKAK6和LTKAK10系列是电路保护行业首款真正的表面贴装式高

Littelfuse推电路保护行业首款高功率表面贴装瞬态抑制二极管

Littelfuse推出电路保护行业首款真正的高功率表面贴装瞬态抑制二极管

中国，北京，2015年12月10日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布推出了LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管这两个新产品系列，旨在提供优于标准硅雪崩二极管（SAD）技术的箝位特性。 此**性能借助Littelfuse Foldbak技术得以实现，提供的箝位电压低于雪崩电压，但高于额定工作电压。 因此，任何电流传导所导致的升压都能被抑制在*低程度。 两款产品均可串联和/或并联以打造各种灵活的保护解决方案。 这两款产品与该公司的AK系列瞬态二极管具有相同的出色品质，易于生产并采用紧凑的机械设计。 此外，由于其提供表面贴装式SMTO-218封装，因此可帮助电路设计师节省更多电路板空间。 这种表面贴装型封装是自动快速贴装以及回流焊加工的理想选择，相比轴向引线封装可降低制造成本并提高焊接质量。LTKAK6和LTKAK10系列瞬态抑制二极管的典型应用包括手机基站、工业瞬态电压浪涌抑制器 （TVSS）、铁路（铁道）轨旁信号和控制机箱、国防和航空电子设备以及电网和配电系统的瞬变过压保护。“LTKAK6和LTKAK10系列是电路保护行业首款真正的表面贴装式