功率半导体：投资推动产业升温

1月，华润微宣布将在重庆打造***大的功率半导体生产基地；去年年底，士兰微发布公告在厦门建设两条12英寸特色工艺生产线，主要产品为MEMS和功率半导体。两个大型项目将国内功率半导体产业的发展推向高潮。作为半导体产业的一大分支，功率半导体对实现电能的高效产生、传输、转换、存储和控制作用巨大，是实现节能减排、绿色制造的关键。2018年功率半导体市场将如何发展？中国功率半导体产业能否像集成电路产业一样取得高速成长？应用市场：汽车、工业双轮驱动功率半导体可以用来控制电路通断，从而实现电力的整流、逆变、变频等。一般将额定电流超过1安培的半导体器件归类为功率半导体，其阻断电压从几伏到上万伏。常见的功率半导体有金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）、快恢复二极管（FRD）、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管（VDMOS）、可控硅（SCR）、大功率晶闸管（GTO）等。从市场角度看，功率半导体从 2016年下半年开始行情回暖，此后需求持续旺盛。根据IHS Markit的数据，2017年包括功率离散元件、功率模组在内的全球整体功率半导体市场销售额达383亿美元，增长率约

研究人员验证了紫外线在改进半导体方面的用途

重点开发中国市场 AOS万国半导体创造绿色未来

功率半导体器件是实现对电能高效产生、传输、转换、存储和控制，提高能源利用效率，推动国民经济可持续发展的基础。近年来，“节能减排”、“开发绿色新能源”成为中国长期发展的基本国策。在国家绿色能源产业发展的推动下，功率半导体成为建设节约型社会、促进国民经济发展、践行**驱动发展战略的重要支撑技术之一。然而，目前中国功率半导体行业的整体技术水准相对落后。2016年美国AOS万国半导体非常重视在中国市场的发展，在重庆投资建设12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地，引发业内广泛关注。日前AOS也邀请到国际知名的IGBT发明人B.Jayant Baliga及行业知名专家与行业大客户举办了一场以IGBT/IPM/GaN为主题的技术交流会，到场客户超过200人。借此，《中国电子报》采访了AOS创始人、董事长兼执行长张复兴博士，介绍AOS重庆生产基地的建设进度，以及面向中国市场的发展策略。看好绿色经济大力投资中国市场2016年3月30日开工建设的重庆万国半导体生产基地，让更多国内电子信息领域的人们认识到了AOS万国半导体——这家总部位于美国，专业从事功率半导体MOSFET、Power IC以及IGB

苏州纳米所黑磷掺杂改性研究取得进展

发现关键“亮点” 半导体掺杂技术迈向产业化应用

半导体掺杂技术是半导体器件的核心技术之一。尽管半导体掺杂技术看起来好像很高深，但日常生活中用到半导体器件的设备却随处可见，比如智能手机、电视机、LED灯、激光器等。 随着半导体器件尺寸的不断减小，各种量子效应逐渐凸显，经典的器件设计理论将不再适用，使传统半导体掺杂技术面临巨大挑战。“新型半导体材料的掺杂机理研究是目前光电技术、凝聚态物理、新能源等领域的前沿热点问题，对此我们开展了相关的基础研究，试图寻找关键科学问题的答案。”中科院半导体研究所研究员李京波介绍。他主导的“新型半导体深能级掺杂机制研究”项目获得了2017年度国家自然科学奖二等奖。李京波团队研究成果引起了国内外学术界的关注，《自然—亚洲材料》曾将他们的研究发现作为“亮点”来介绍，该杂志指出：李京波及其合作者设计了一种新的方法来提高TiO2的光催化效率。据介绍，以半导体激光器外延生长、掺杂技术等科学问题研究为支撑，在大功率半导体激光器芯片关键技术等方面，李京波团队近来取得了多项**成果：开发出六千瓦纳秒脉冲激光器，平均功率*高达到了6000W，比目前国际上同类指标高2000W；**研发出大功率半导体激光器芯片，芯片单巴功率超过

功率半导体器件及应用**中心将落户湖南

本报讯 记者侯沁报道：近日，湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术**与产业联盟第三届学术论坛在湖南省株洲市举行。本次会议由工信部电子信息司、湖南省经信委、株洲市人民政府、中国IGBT技术**与产业联盟联合主办。会上，株洲市有关领导、工信部电子信息司集成电路处处长任爱光、中国IGBT技术**与产业联盟理事长丁荣军分别致辞。湖南省经信委有关领导介绍了湖南省IGBT产业链的基本情况、发展思路、政策环境，表达了湖南省希望通过协同产业链上下游资源，共同推进我国IGBT产业发展的热切期盼。株洲市相关领导作推介发言，阐述了贯彻《中国制造2025》、建设制造强省的战略，建设“株洲·中国动力谷”、全力打造“3+3+1”产业新体系的目标愿景，表达了株洲市委、市政府全力支持中车株洲所在推进《中国制造2025》战略中当好排头兵的鲜明态度。此外，IGBT产业链的10余家单位在会上签署框架协议，约定共同创建功率半导体器件及应用**中心，**中心将通过协同技术、人才、资金等资源，打通技术研发供给、商业化等链条，打破国外垄断，推动我国新型功率半导体技术的突破。株洲中车时代电气股份有限公司、国家电网公司、格力电器

中国制造2025:手机芯片自足率40%，商用客机10%；

陕西半导体先导技术中心成立 面向新一代半导体器件技术

盈方微控股股东全部持股遭冻结；

1.盈方微控股股东全部持股遭冻结；2.顺络电子完成对深圳信柏结构陶瓷100%股权收购；3.徐州举办院所半导体技术及先进材料专题推介会；4.四川力推电子信息产业，预计2020年主营收入达1.3万亿元；5.扬杰科技：IDM模式助推功率半导体器件龙头持续稳定增长 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.盈方微控股股东全部持股遭冻结；集微网消息，7月7日晚间，盈方微电子股份有限公司发布关于控股股东股份被司**候冻结的公告。公告表示，盈方微电子获悉近日公司控股股东上海盈方微电子技术有限公司所持有的公司股份211,692,576股被上海市**中级人民法院予以司**候冻结，冻结期限自2017年7月6日至2019年7月5日。截至目前，盈方微电子持有公司股份211,692,576股，占公司总股本25.92%。本次盈方微电子所持公司股份被司**候冻结事项不会对公司的生产经营造成影响，但其冻结股份若被司法处置，可能导致公司实际控制权发生变更。公司已及时通过致函、致电等方式督促盈方微电子尽快核查本次

常州银河世纪微电子拟创业板IPO发行

集微网消息，证监会网站消息，常州银河世纪微电子股份有限公司创业板**公开发行股票招股说明书申报稿2017年6月6日报送，证监会预先披露。 根据《证券法》**十一条和《**公开发行股票并上市管理办法》第五十八条、《**公开发行股票并在创业板上市管理办法》第四十条的规定，申请文件受理后、发行审核委员会审核前，发行人应当将招股说明书（申报稿）在中国证监会网站预先披露。常州银河世纪微电子股份有限公司是一家专业从事半导体器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业。公司下属常州银河电器有限公司和泰州银河寰宇半导体有限公司。公司产品涵盖全系列的半导体器件，包括二极管、晶体管、整流桥、LED灯珠、光电耦合器、专用集成电路等上千余个品种，同时也对外承接各种半导体器件的封装加工业务。

IDM模式助推功率半导体器件龙头持续稳定增长

扬杰科技发布2017年半年度业绩预告，预计盈利1.32亿元—1.42亿元，较上年同期增长35%-45%。IDM模式助推功率半导体器件龙头企业持续稳定发展：公司全产业链布局，集研发、生产、销售于一体，采用“扬杰+MCC”营销战略，巩固**地位，IDM模式铸就高壁垒。产品包括芯片、二极管、整流桥和功率模块等，公司下游涵盖电源管理、汽车电子、照明、光伏、智能电网、白色家电等众多领域。受益于光伏行业的逐步回暖以及汽车电子、轨道交通和电力电网的产业景气。公司内生与外延兼顾，技术与渠道并举。纵观全球的半导体产业，fabless主要集中在遵循摩尔定律的标准化数字逻辑芯片。而功率管、整流器等分立器件则是IDM模式，公司的IDM模式由产品需求决定，是符合发展规律的。产线迭代+工艺积累，募投项目实现产品升级：整流二极管-MOSFET-IGBT在结构和技术上有一定的继承性，故在制造工艺上相互间也有一定的借鉴意义，公司先在传统优势整流二极管上积累经验，逐步推进至MOSFET和IGBT，战略规划由4英寸、6英寸过渡到8英寸，稳扎稳打积累经验。从4英寸-6英寸-8英寸产线的迭代，到二极管-MOSFET-IGBT工

中国工程院院士丁荣军：汽车功率半导体器件的发展趋势

我的汇报分三个部分。首先简单介绍汽车功率半导体器件的发展趋势。功率半导体器件*早都是由晶闸管后来变成GTO到MOSFET，到现在用得比较多的IGBT器件。IGBT器件跟传统的器件相比，主要是驱动比较简单，同时损耗比较小，比较适合用于牵引传动包括电机控制器等。IGBT器件包括原来讲的功率半导体器件，都被誉为传统系统，在高铁里一样，把它称之为“心脏”。它主要起到能量传输和能量的点的转换，是电机控制系统的CPU。目前电动汽车器件大概占到控制器总成本的30%左右，目前在国内市场上用的电机控制器芯片基本由外国公司提供。就控制器技术发展来说，**阶段是单个模块，到**阶段有些定制，现在慢慢进入第三阶段，采用双面冷却集成，发展到*后不管是旋转电池、吸热用电池，还是未来冷补电池，可能会把控制器和电机集成到一起去。现在IGBT发展到**阶段中间这一块，第三阶段双面结合的正在研究过程中，发展很快即将会推出。目前，国际上面绝大部分公司汽车用的IGBT器件都是定制的，国内基本采用比较标准的封装形式。下一步估计碳化硅由于它有很多的优越性将会被用到汽车上面，现在由于它量不是很大，再加上成本还是很高，目前在汽车上面

IGBT应用电子电路设计集锦—电路精选（48）

IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。本文介绍了绝缘栅双极晶体管（IGBT）在不间断电源系统中的应用情况，分析了IGBT 在UPS 中损坏的主要原因和实际应用中应注意的问题。在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS 功率设计的**，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥IGBT 的优点。本文介绍UPS 中的IGBT 的应用情况和使用中的注意事项。IGBT电路原理图IR2110驱动IGBT电路如图所示。电路采用自举驱动方式，VD1为自举二极管，C1为自举电容。接通电源，VT2导通时Cy通过VDt进行充电。这种电路适用于驱动较小容量的IGBT.对于IR2110，当供电电压较低时具有使驱动器截止的保护功能。自举驱动方式支配着VT2的导通电压，因此

上海百亿集成电路装备材料基金获批成立；

梁平打造重庆市*大 半导体封装企业

梁平区有我市*大的半导体器件封装企业——重庆平伟实业股份有限公司，它也是国内*大的功率半导体器件研发、生产企业之一。不到10年时间发展起来的这家电子产业领军企业，得益于**驱动发展。近日，在市委宣传部、市科委组织的“**驱动区县行”采访中，重庆晨报记者来到梁平区，了解该区的**发展之路。 平伟实业技术中心主任王兴龙说，从主城来梁平区以前，平伟实业是一家普通的电子二极管生产企业，没有一项发明**。到梁平区以后，经过近8年发展，从基本的功率半导体器件封装测试拓展到上游芯片设计和集成电路模块的封测及应用，已经成为国家火炬计划重点高新技术企业，授权**155件，其中获得美国发明**1件，已成为华为、联想、三星、富士康、中兴等世界500强企业的供货企业，实现年产各类功率半导体器件百亿只，2016年产值突破15亿元。当年，梁平区招商引资迎来了平伟实业，当时的平伟实业正面临瓶颈，2009年产值还不到1亿元。随即，梁平区科委被委以重任，担任以平伟实业为核心的光电产业发展的领衔部门，开始对平伟实业深度科技介入，与高校、科研院所紧密合作，推进其**发展。梁平区科委党组书记、主任郭培元介绍，区委区政府强化政

大连宇宙8英寸功率半导体器件项目年底投产 一期投资24亿元

4月29日，庄河市区向东13公里，兰店乡金场村，来自北黄海的海风穿越滨海公路，漫过大连宇宙半导体有限公司8英寸功率半导体器件项目现场。公司董事长郝伟豪言：“我们的项目年底投产，到时候国内功率器件市场格局将会发生重大变化。” 大连宇宙半导体即将面世的新产品——功率半导体器件，被称为“电力电子行业的CPU”，广泛应用于电动汽车、智能家电、轨道交通等领域。由于缺乏研发制造核心芯片的能力，目前国内主要依靠进口。而宇宙半导体的项目一旦建成，不仅会让公司实现二次飞跃，也对促进国家相关行业的发展具有战略意义。一期投资24亿元，用地面积13．3公顷，产品月产量将达2万片。对于宇宙半导体突然间弄出这么大动静，业界颇感意外。的确，以生产二极管为主业的宇宙半导体近10年来“存在感”略低，许多人似乎已经忘记了这家企业曾经雄霸全球二极管行业。“2000年之后，这个行业从业的门槛大幅降低，新进来的许多企业为了利润拼命压低成本。跟风，就无法保证产品质量砸牌子；不跟，市场空间就被挤没了。”谈及企业当时面临的形势，公司采购科科长房治国无奈地表示。与其在低利润、高消耗领域与“群狼”拼杀，不如跳上新台阶面向新“蓝海”。进退

电子元器件筛选方案的设计原则及筛选项目

电子元器件的固有可靠性取决于产品的可靠性设计，因此，应该在电子元器件装上整机、设备之前，就要设法把具有早期失效的元器件尽可能地加以排除，为此就要对元器件进行筛选。那么元器件筛选都有哪些方案？原则是什么？常见的筛选项目有哪些？安排测试筛选先后次序时的两种方案：a）方案1：将不产生连环引发效果的失效模式筛选放在前面，将可以与其他失效模式产生连环引发效果的失效模式筛选放在后面。b）方案2：将可以与其他失效模式产生连环引发效果的失效模式筛选放在前面，将不产生连环引发效果的失效模式筛选放在后面。如果选择方案1，会发现将可以与其他失效模式产生连环引发效果的失效模式筛选放在后面时，出现本身失效模式没有被触发、其他关联的相关失效模式被触发的情况时，这种带有缺陷的元器件不能被准确地定位、剔除，因为该类失效模式的检测已经在前面做过了。而选择方案2就可以非常有效地避免上述问题的发生，使筛选过程**、经济和高效。筛选方案的设计原则定义如下：筛选效率 W＝剔除次品数/实际次品数筛选损耗率 L＝好品损坏数/实际好品数筛选淘汰率Ｑ＝剔降次品数/进行筛选的产品总数理想的可靠性筛选应使W=1，L=０，这样才能达到可靠性

美国开发出不依赖半导体的微电子器件

美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自由电子替代半导体材料通常需要高电压、大功率激光或高温激发。该团队在硅片上用金加工出一种类似蘑菇形状的纳米结构(称为“超材料”结构)，在10伏以下的直流电压和低功率红外激光激发下，即可释放自由电子，从而极大地提高器件的电导率。这一器件不可能完全替代半导体器件，但可能在特殊需求下得到*佳应用，如超高频器件或大功率器件。未来不同的超材料表面结构可能适用于不同类型的微电子器件，应用于光化学、光催化、光伏转化等领域。

半导体分立器件市场分析：中国话语权正在提升

晶科电子：技术**是LED未来发展的新动力

作为**LED器件与光引擎照明产品品牌***，晶科电子在十多年的**路上不断改进技术，从传统正装到LED倒装，从单一照明光源到智能照明系统和服务，始终致力于通过**技术和应用服务于客户、学术机构和行业各界。近两年来LED产业集中度加速，尤其是LED上游芯片领域一来是大规模生产，技术集中度*高，且上游产品的稳定性和品质决定中、下游产品的稳定性。目前，国内封装市场已经到了稳定期，不少中小型企业被淘汰出局，大者恒大格局逐渐显现，LED行业各大企业纷纷进行并购整合或者产业链的延伸，这是产业发展的必然趋势。“存活下来的几家大企业都有了稳定的客户源以及成熟的技术，未来，出现大幅度降价现象的可能性不大。”晶科电子LED事业部总经理郑永生对高工LED表示，相比去年来说，今年客户都相比理性，对品质的要求越来越多，而不再是一味的追求价格，唯有品质才能稳定的发展企业，对于客户也更有吸引力。他谈到，一方面晶科电子从不打价格战，不以低价占领市场，坚持“以高品质为己任”的理念；另一方面公司打造了实力强劲的技术团队，依托由多名博士、硕士为主体组成的技术运营团队，依靠自主开发，逐步掌握了LED产业具有国际**水平的核

感恩十年大跨越 携梦同行芯发展

新年前夕，国家主席习**发表的新年贺词中强调，上下同欲者胜。我们大家撸起袖子加油干，就一定能够走好我们这一代人的长征路。回首广东晶科电子股份有限公司（以下简称晶科电子）十年长征路，我们可简单概括为2006，从0到1，晶科电子横空出世，一日千里。2010，从1到N，晶科电子破茧成蝶，**蜕变。2016，从N到∽（无穷大），晶科电子凤凰磐涅，激情闪耀。近期，晶科电子2016年度总结大会圆满召开，在大会中，总裁肖国伟博士指出，过去的一年，南沙新区、南沙自贸试验区上升为国家战略，在此背景下，晶科电子也在**中小企业股份转让中心举办了挂牌敲钟仪式，为其迈向公众资本市场开启了重要的一步，成为新三板中的“新人”。“现实是此岸，理想是对岸。中间隔着湍急的河流，行动则是架在川上的桥梁。”在大会中，总裁肖国伟表示LED产业市况愈是艰难，愈要追求**技术，打造高规格、高附加值的产品。2017年，我们将继续拼搏进取、扎实推进，确定如下策略以面对LED的市场转型升级：1、坚持高品质的要求，严格供应商品质管理，高规格管控内部生产品质。2、发挥规模化制造效应，智能化制造的潜力，改善与升级生产制造技术，持续降低成本。

一文读懂半导体的历史、应用、未来

“俄罗斯电子”公司扩大微电子生产

[据俄**综合体网站2016年9月28日报道] “俄罗斯电子”公司已掌握新技术，可显著缩小微系统的尺寸并提升生产效率。 公司凭借自身装备，对什卡尔奥拉半导体器件厂的生产进行现代化升级。什卡尔奥拉半导体器件厂是俄罗斯统一的拥有完整的生产各种复杂程度金属陶瓷器件产业链的企业，不久前，该厂引进了日本Kyocera公司新的设备与技术。日本Kyocera公司是****的金属陶瓷封装制造企业。尤其是，该厂已投入运行新的陶瓷传送带铸造段和薄陶瓷片生产线，此项技术使该公司的生产迈向新的设计标准：100/100（金属化组件宽为100微米以下，各组件间距离为100微米以下）。新的设备可生产出75微米厚的陶瓷膜，添加平面喷镀，加工超过30层的外壳。依靠此项技术，可对更多数量电子组件在一层、以及在多层进行集成。此外，还提升了缩减金属陶瓷层尺寸的可能。与此同时，“俄罗斯电子”公司对在外壳表面进行激光商标标注方式的选择，对消费者的一项调查显示，各大型公司都对建筑采取了标签的做法。在同激光设备供应商合作中，选择*佳标注方式，一方面，用于明确识别该产品，另一方面，也是确保产品的完整性。“俄罗斯电子”公司在9月26-2

压敏电阻的作用与优势对比

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。“压敏电阻“是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”， 或者叫做“Varistor”。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的“氧化锌”（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。 在中国台湾，压敏电阻器称为“突波吸收器”，有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。一：压敏电阻的作用与优势-压敏电阻的作用 压敏电阻有什么用？压敏电阻的*大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值“UN”时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过UN时，它的阻值变小，这样就使得流过它的电流激增而对其他电路的影响变化不大从而减小过电压对后续敏感电路的影响

高铁上跳动"中国芯" 集成电路应用拓宽

近日，中车株洲电力机车研究所研发的8英寸IGBT(绝缘栅双极型晶体管)高铁控制系统成功中标印度机车市场。这是我国高铁装备核心器件**获得海外批量订单。 作为新一代功率半导体器件，IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次***具代表性的产品。“通俗地讲，IGBT芯片就是高铁列车的核心动力心脏，类似于手机里的CPU芯片。”中车株洲所旗下子公司时代电气总工程师尚敬说。“中车株洲所研发大功率半导体器件，从1964年就开始了。”尚敬说。随着交流传动技术在轨道交通广泛应用，IGBT成为主流大功率开关器件。然而，当时的IGBT技术与产品被国外少数几家公司所垄断，轨道交通应用领域所需高压IGBT全部依赖进口。2006年，中车株洲所开始谋划IGBT技术研究。转折点发生在2008年。中车株洲所时代电气成功并购英国丹尼克斯公司，引进了丹尼克斯6英寸IGBT的生产技术。“并购丹尼克斯，目标就是要实现IGBT完**产化。”中车株洲所时代电气副总经理刘国友说。此时，出现了两种不同声音：一种坚持原封不动地将丹尼克斯6英寸IGBT生产线复制到国内，尽快实现产业化；一种则认为应该升级技术，建设一条更先进的8英寸IGBT

8年实现自主知识产权 高铁上跳动“中国芯”

近日，中车株洲电力机车研究所研发的8英寸IGBT（绝缘栅双极型晶体管）高铁控制系统成功中标印度机车市场。这是我国高铁装备核心器件**获得海外批量订单。 作为新一代功率半导体器件，IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次***具代表性的产品。“通俗地讲，IGBT芯片就是高铁列车的核心动力心脏，类似于手机里的CPU芯片。”中车株洲所旗下子公司时代电气总工程师尚敬说。“中车株洲所研发大功率半导体器件，从1964年就开始了。”尚敬说。随着交流传动技术在轨道交通广泛应用，IGBT成为主流大功率开关器件。然而，当时的IGBT技术与产品被国外少数几家公司所垄断，轨道交通应用领域所需高压IGBT全部依赖进口。2006年，中车株洲所开始谋划IGBT技术研究。转折点发生在2008年。中车株洲所时代电气成功并购英国丹尼克斯公司，引进了丹尼克斯6英寸IGBT的生产技术。“并购丹尼克斯，目标就是要实现IGBT完**产化。”中车株洲所时代电气副总经理刘国友说。此时，出现了两种不同声音：一种坚持原封不动地将丹尼克斯6英寸IGBT生产线复制到国内，尽快实现产业化；一种则认为应该升级技术，建设一条更先进的8英寸IGBT

中国IC产业四大聚落成形；

今年半导体器件类/应用类/工艺技术的亮度与商机有哪些？

刚刚过去的2015年，可以用惨淡二字来形容整个半导体市场，Gartner分析指出，受手机、电脑等主要电子产品需求疲弱、美元强势及库存升高等因素的影响，2015年全球半导体总营收预估为3，337亿美元，较2014年的3，403亿美元减少1.9%。而SIA 2月1日的数据显示全球半导体2015年营收是3352亿美元，比*高纪录的2014年略微下降了0.2个百分点。总是都是下降但是幅度大小不一。不过从环比来看，形势很严峻，2014年12月销售276.2亿美元，比2014年同期减少5.2% ，比2015年11月减少了5.2%。4Q的销售也比2014年减少5.2%，全球**的亮点就是中国市场依然还在保持增加，但是，但是中国市场12月比11月也在减少，这是一个不好的兆头。在2015年所有半导体产品中，逻辑产品销售占据了27%的份额，销售额达908亿美元，存储类产品销售772亿美元，包括处理器在内的微IC销售613亿美元。光器件、传感器、声学器件和Nand Flash器件销售都有增长，光器件增长了11.3%。从地区看，中国是**保持增长的地区，全年增长7.7%，美国市场萎缩0.8%，日本市场萎缩10

瑞萨电子将退出微波半导体器件业务

集微网消息，2016年8月2日，日本东京讯——全球**的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布将退出微波半导体器件业务，未来将集中资源，重点发展化合物产品领域的光电子器件业务，如光电耦合器、激光二极管和光电二极管等。 1. 退出微波半导体器件业务的若干原因瑞萨电子一直在通过开发新产品、降低生产成本以及提升开发效率等多项举措大力发展化合物产品业务。随着外围组件功能逐渐集成至片上系统，微波半导体器件市场在不断萎缩，同时受新兴制造商的影响，尤其是台湾市场，产品价格也在不断下降。在此背景下，为继续推动化合物产品业务的发展，瑞萨电子将很难保持微波半导体器件业务的盈利性。另一方面，在生产结构改革和持续强劲的市场增长的带动下，化合物产品业务中的光电子模块呈现不断改善的良好势头。鉴于此，为进一步增强化合物产品业务，瑞萨电子决定退出微波半导体器件业务，着重发展光电子器件。在光电子器件方面，瑞萨电子将重点发展面向工业应用的高可靠光电耦合器，同时加快用于光通信的高速激光二极管和光电二极管的开发进度，以满足数据中心和基站在智能手机普及背景下对高速数据传送的市场需求。此外，瑞萨电子还将

2016年国内七大LED芯片厂商的发展情况

自2014年以来，国内各大led芯片厂商先后加码LED芯片业务，造成产能过剩明显，价格出现大幅下滑，部分企业亏损严重。而在经历过“投资热”、“产能过剩”后，2016年LED芯片行业逐渐回归理性，一些芯片厂商消减LED芯片投入力度，消化库存。从木林森等封装厂商涨价到晶电等芯片厂商的涨价，我们可以看到LED行业整体供需关系正在逐渐改善，LED价格不会出现前几年断崖式地下跌，行业景气度持续提升。以下是OFweek半导体照明网小编盘点国内七大厂商的发展情况。三安光电作为LED芯片龙头企业，三安光电2015年LED业务实现营业收入48.58亿元，同比增长6.08%。其中厦门三安LED营收45.02亿元，毛利率为42.44%，同比增长1.38个百分点。2016年1季度实现营业收入11.78亿元，同比增长27.15%。随着募投产能释放，其市场份额和影响力有望进一步提升。近几年，三安光电通过投资、收购、合资、合作等形式不断打通产业链，获取大量**客户。在客户方面分为国内和国外，在国内，三安先后与兆驰股份、国星光电、聚飞光电等大型LED上市公司签订采购协议，并与珈伟股份、阳光照明等下游照明企业合资公司。

8英寸功率半导体器件生产线建设工程昨在庄河开工

大连宇宙半导体有限公司8英寸功率半导体器件生产线项目昨日在庄河市兰店乡金场村开工，项目投资24亿元，计划年产24万片8英寸功率半导体器件芯片。 国家“十三五”集成电路生产力布局重大项目大连宇宙半导体有限公司8英寸功率半导体器件生产线项目昨日在庄河市兰店乡金场村开工，项目投资24亿元，计划年产24万片8英寸功率半导体器件芯片，其中部分产品******，5年内将在产品种类和技术能力上达到可与德国英飞凌科技公司、美国仙童公司等世界**企业竞争的水平。该项目已被列入发改委和工信部联合制定的国家“十三五”集成电路生产力布局重大项目库。产品主要应用于新能源发电、储能、超级计算机、云计算网络、伺服器、个人电脑、UPS电源、物联网等领域，项目投产后年销售收入可达30亿元。能够带动上下游半导体材料、芯片设计、封装与测试、模块制造、模组生产等相关产业形成千亿级产业集群。大连宇宙半导体有限公司由大连通质微电子有限公司和大连北黄海临港投资有限公司共同出资2亿元成立，公司主要从事功率半导体（也称为电力电子）器件的芯片设计、制造工艺研发、芯片制造与封装测试。公司的骨干技术团队拥有数十年的功率半导体领域研发和管理经

透过研究报告看LED产业：市场潜力巨大，发展态势向好

Qorvo陶镇：多载波聚合趋势下 射频前端进一步走向集成

集微网消息 文/刘洋 从传统手机里面，配套的射频前端器件价值不足一美金，到今天的4G网络时代，像苹果或三星的**旗舰机型中的16.25美金，智能手机里面需求的射频前端数量和金额发生着****的巨变。据第三方调查数据显示，未来三年**智能手机的份额占比将以倍增的速度增长，每个**智能手机里的射频前端器件的需求量也将增大，“这是一个健康、良性发展的产业，Qorvo致力于更多资源开发新工艺、新技术。”Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理陶镇先生对集微网表示。 近日，在第五届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会上，陶镇先生向集微网等媒体分享在4G、4G+到未来5G的发展下，多载波聚合和射频前端集成化将成为射频前端行业的*新发展方向。 Qorvo公司于2015年1月1号正式成立，由RFMD和TriQuint两家射频的专业半导体公司合并而成。目前全球规模是全球7000号人左右，2015全年的销售额在23亿美金左右。“以RFMD在PA市场和TriQuint在滤波器市场的优势，这在一定程度上为Qorvo从事集成的射频解决方案埋下了基础，这也是两家公司合并的*主要原因，”陶镇

我国LED业竞争格局、发展推动力、产业特性

LED是一种可以将电能转化为光能的半导体器件。与传统光源相比，LED光源具有节能、环保、**、牢固、体积小、寿命长、响应时间短、色彩丰富等诸多优势。LED行业具有较长的产业链，包括上游外延片生长、中游芯片制造、下游芯片封装及应用领域。2006年到2014年期间，我国LED行业整体市场规模从356亿元增长至3，507亿元，年均复合增长率高达33%。预计2015年-2017年，LED市场规模年复合增长率依然将维持在30%以上，至2017年中国LED市场规模将达到7，485亿元，市场潜力巨大。一、LED行业介绍1.1 LED的基本概念与发光原理LED是一种可以将电能转化为光能的半导体器件。其核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的芯片，在P型半导体和N型半导体之间有一个PN结，当注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能转换为光能。不同材料的芯片可以发出红、橙、黄、绿、蓝、紫色等不同颜色的光，“发光二极管”也因此而得名。1.2 LED光源的优势与传统光源相比，LED光源具有节能、环保、**、牢固、体积小、寿命长、响应时间短、色彩丰富等诸多优势，具体情况见下

中国投资者为何对功率电子行业感兴趣

中国投资者为何对功率电子行业感兴趣；

半导体市场成为电子行业核心所在

打磨高大上的“小器件”

吉林华微电子股份有限公司2014年度报告摘要

一重要提示1.1 本年度报告摘要来自年度报告全文，投资者欲了解详细内容，应当仔细阅读同时刊载于上海证券交易所网站等中国证监会指定网站上的年度报告全文。1.2 公司简介■■二主要财务数据和股东情况2.1公司主要财务数据单位：元 币种：人民币■2.2截止报告期末的股东总数、前十名股东、前十名流通股东（或无限售条件股东）持股情况表单位: 股■2.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图■三管理层讨论与分析3.1 董事会关于公司报告期内经营情况的讨论与分析报告期内，国内经济下行压力持续加大，市场竞争加剧，面对困难和挑战，公司继续坚持以改善经营管理的质量为主要方向和目标，逐步推进市场、客户和产品结构的调整，继续通过“抓大抓优”的市场策略，把产品结构调整和市场销售紧密结合起来。通过加强内控体系建设，不断提高公司治理水平和规范运作能力，逐步夯实企业长远、可持续发展的基础。报告期内，公司实现营业收入1,235,814,183.64元，同比下降0.97%；实现归属于上市公司股东净利润35,665,286.16元，同比下降18.90%。1、加快产品更新换代公司将继续在产品更新换代上下功夫，改善产品价

天津中环半导体股份有限公司公开发行公司债券募集说明书摘要

发行人声明本募集说明书摘要的目的仅为向公众提供有关本期发行的简要情况，并不包括募集说明书全文的各部分内容。募集说明书全文同时刊载于深圳证券交易所网站。投资者在做出认购决定前，应仔细阅读募集说明书全文，并以其作为投资决定的依据。除非另有说明或要求，本募集说明书摘要所用简称和相关用语与募集说明书相同。重大事项提示***津中环半导体股份有限公司（以下简称“中环股份”、“公司”或“发行人”）公开发行不超过人民币１．８亿元公司债券（以下简称“本期债券”）已经中国证券监督管理委员会（以下简称“中国证监会”）“证监许可１４０６号”文核准。二、根据《关于发布＜深圳证券交易所公司债券上市规则（２０１５年修订）＞的通知》（以下简称“《通知》”）的要求，本期债券适用《深圳证券交易所公司债券上市规则（２０１２年修订）》的相关规定，可以面向公众投资者以及合格投资者发行上市。但提醒投资者注意，经２０１５年４月３日联合信用评级有限公司出具的评级报告显示，发行人主体长期信用评级为ＡＡ，本期债券评级为ＡＡ，并不满足２０１５年１月１５日证监会《公司债券发行与交易管理办法》第十八条规定的可以同时面向公众投资者以及合格投资者

“智车芝‘芯’，驾驭未来” ---东芝车载半导体产品登陆

东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，携众多车载半导体产品亮相2015年高交会电子展。在本次高交会上，东芝以“智车芝‘芯’，驾驭未来”为主题，围绕“Safety Driving”、“Environment”、“Infotainment”三大主题，介绍了*新的车载半导体产品、无线连接技术和存储技术。在东芝看来，环保、**、信息将会是东芝车载电子的三个主要发展方向，东芝希望借此机会，**推动东芝车载产品在中国市场的发展。今后，东芝将致力于将其**的技术活用于这三个应用之中，为其提供相应技术与解决方案。在本次展会上，东芝根据三大主题展示了以下产品：安心·**的驾驶Safety Driving图像识别处理器“ViscontiTM”目前在汽车**领域，ADAS[注1]系统逐渐成为市场主流，如何为市场提供高性价比、低功耗、可同步执行多种应用的基于视觉计算的ADAS系统将会是汽车电子厂商未来所要解决的主要问题。为了应对这种发展趋势，东芝在展会上展示了**投入中国市场的车用图像识别解决方案——ViscontiTM图像识别处理器。ViscontiTM图像识别处理器采用多核异构架构，含有

是德科技宣布旗下E4991B阻抗分析仪开始发货

是德科技宣布旗下E4991B阻抗分析仪开始发货。E4991B专为研发、质保和质检工程师设计，可用于表征及测试无源电子元器件、半导体器件、介电材料和磁性材料。Keysight E4991B 具有**的测量精度(0.65% 基本精度)，能够实现 1 MHz ~ 3 GHz 和宽泛阻抗范围的元器件测试;同时提供**的材料测量选件，包括-55ºC ~ 150ºC 的温度特征分析(选件007)和高达1 GHz 的介电常数和磁导率读取功能(选件002)。E4991B结合可选直流偏置功能(选件 001)，可以为被测器件提供直流电压(± 40 V)和电流偏置(±100 mA)，支持工程师轻松测试不同直流偏置条件下的器件性能，且无需借助外部直流偏置信号源。此外，E4991B 还提供探针台连接套件(选件010)，能够轻松且**地完成高达3 GHz的晶圆上或微型元器件阻抗测量。E4991B 阻抗分析仪提供三个不同的频率配置：1 MHz ~ 500 MHz、1 MHz ~ 1 GHz和 1 MHz ~ 3 GHz，可以取代作为行业标准的E4991A。灵活的频率选件可以确保满足当前应用需求的同时*大限度地缩减资

中美合作研发纳米新材料 助力超薄半导体器件

这项研究得到了陆军研究办公室多学科大学研究倡议、半导体技术先进研究网络功能加速纳米材料工程分部、微电子先进研究协会、国防**研究计划局、荷兰科学研究组织、罗伯特A.韦尔奇基金会、国家**科学与工程学院奖学金和**研究办公室的资金支持。重视程度可见一斑，外行看热闹，内行看门道……美国莱斯大学研发的一个原子级薄的材料，这或可能导致研发目前*薄的成像平台。基于金属硫族化合物的合成二维材料可能是超薄设备的基础，莱斯大学的研究人员这样表示。其中一个这样的材料二硫化钼，因其检测光的特性而被广泛研究，但是铜铟硒化物(CIS)也表现出同样非凡的潜力。莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延(Pulickel Ajayan)实验室的研究生雷思东(Sidong Lei)合成了CIS，一种单层铜、铟和硒原子矩阵。雷还建立了一个模型——一个三像素电荷耦合器件(CCD)——以证明材料捕捉图像的能力。这项研究被发表在美国化学协会的期刊《纳米快报》上。雷表示这种光电子记忆材料可能是捕捉图像的二维电子元件的重要组成部分。“传统的电荷耦合器件厚重且坚硬，将它们与二维元素相结合是没有意义的。”雷解释道。“而基于铜铟硒化物的电

中韩自贸区提升产品竞争优势

工业和信息化部国际经济技术合作中心 王春艳2014年11月10日，中韩自贸区实质性谈判结束。根据谈判结果，在开放水平方面，双方货物贸易自由化比例均超过“税目90%、贸易额85%”。同时，双方承诺，在协定签署后将以负面清单模式继续开展服务贸易谈判，并基于准入前国民待遇和负面清单模式开展投资谈判。中韩贸易主要集中在三类产品，其贸易额之和占中韩贸易总额的比例较大，且产业内贸易程度较高。中韩贸易整体增长中韩贸易总体呈增长态势，但是中韩贸易却呈现逆差且逆差不断扩大。韩国是中国**大贸易伙伴国，中国是韩国**大贸易伙伴。根据海关统计数据，2013年，中韩贸易额为2741.65亿美元，同比增长6.82%。其中，中国向韩国出口911.65亿美元，同比增长3.98%；中国从韩国进口1830亿美元，同比增长8.28%。中韩贸易总体呈增长态势，但是中韩贸易却呈现逆差且逆差不断扩大，从2012年的813.26亿美元增加到2013年的918.35亿美元。中国对韩国出口主要以自动数据处理设备，集成电路，电话机，二极管、晶体管及半导体器件，绝缘电线、电缆及其他为主，其出口额占中国对韩国前10类出口额的78.18%，

加快IGBT研发与产业化

本报记者 陈艳敏**人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英在接受《中国电子报》记者专访时说，他向大会提出了加快IGBT（绝缘栅双极晶体管）产业发展的建议，建议国家高度重视IGBT产业发展。IGBT应用需求巨大我国IGBT消费市场目前的规模约80亿元，到2020年可能达到300亿元的规模。谢超英向《中国电子报》记者介绍说，IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术**的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。近年来，随��国民经济的快速发展，功率半导体技术已被广泛应用。“目前，中国是世界上*大的功率半导体器件消费国，但作为产业链**的功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的**、可持续发展。建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”谢超英对记者说，我国IGBT技术取得了一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球**条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片

“弹出式”技术可制备微纳米半导体器件

据新华社华盛顿1月11日电（记者林小春）见过一打开便有小房子或城堡立起来的那种立体书吧。受这种儿童玩具书的启发，中国、美国、韩国研究人员开发出一种特别简单的“弹出式”三维成型技术，可制备现有3D打印技术无法实现的微纳米半导体器件。这项成果发表在新一期美国《科学》杂志上。研究负责人之一、美国西北大学研究助理教授张一慧对新华社记者说，这种技术被称为“屈曲引导的三维成型技术”，相比现有3D打印技术有多种优势，“它不能完全取代现有3D打印技术，但可作为一个非常重要的补充”。这种技术的基本步骤是：先形成具有一定构型的平面结构，将其转移至一张已经拉伸的弹性基底上，通过表面化学处理把平面结构选择性地粘接于弹性基底，之后释放弹性基底的预拉伸，即可将未粘接于基底的平面结构弹出，形成三维结构。张一慧说，这种技术的优势一是快速成型；二是适用于各种类型的材料，包括半导体、金属、聚合物等；三是与现代化半导体产业的二维制备技术兼容，可成型非常复杂的三维结构，他们已实现40多种三维结构，包括孔雀、花朵、桌子、篮子、帐篷和海星等；四是尺寸上没有明显的限制，目前已实现的*小厚度约为100纳米，*大厚度约1毫米。这种技术

2015年中国汽车电子市场预测浅析

据IHS iSuppli公司的中国研究报告，2011年中国汽车电子市场销售额预计将达到192亿美元，比去年的175亿美元增长9.7%。销售额增长率接近两位数，显示出中国汽车电子市场充满活力。在中国市场，电子系统目前在普通汽车中占总体成本的40%。此外，中国有越来越多的汽车开始采用更复杂的电子系统。总体来看，2015年中国市场的汽车电子销售额预计达到299亿美元，如图所示。值得指出的是，在东风-日产、广汽-本田和北汽-奔驰等合资企业的推动下，中国关键汽车零部件的制造与设计本地化的进程加快。目前中国占全球汽车电子市场的20.6%，上述趋势肯定会在不远的将来把该比例推升到更高的水平，而且也会增强中国在全球汽车产业链中的关键地位。鉴于消费者对于装备大量电子系统的中档及豪华汽车的需求不断上升，中国汽车市场的半导体器件消费额今年将达到38亿美元，比2010年的33亿美元增长15.2%。信息娱乐半导体2011年将是中国汽车电子芯片市场中的*大领域，销售额预计为12亿美元。其次是动力系统半导体，为9.79亿美元；信息娱乐导航系统半导体，为7.18亿美元。在电子应用方面，未来五年*有希望的半导体领域包括

医疗电子市场半导体器件国产化观察

****集成电路与分立器件制造企业盘点

随着扶持政策的出台，中国集成电路产业被外界看好，2014甚至是被业界认为是集成电路元年，集成电路和分立器件是半导体的两大分支，前者是一种微型电子器件或部件，而后者则被广泛地应用到消费电子、计算机及外设、网络通信、汽车电子、Led显示屏等领域。今天就跟着笔者一起来盘点一下中国的十大集成电路与分立器件制造企业。1、中芯国际集成电路制造有限公司中芯国际集成电路制造有限公司 此外，台积电拥有三家转投资、合资公司的产能配合，包括在美国转投资的WaferTech公司、在中国大陆转投资的台积电上海有限公司，以及在新加坡成立的合资公司SSMC公司(Systems on Silicon Manufacturing Company)。9、上海宏力半导体制造有限公司宏力与2003年9月23日开业，一期项目总投资为16.3亿美元，目前已建成两座12英寸规格的厂房，其中一厂A线(8英寸线)已投入生产，2004年底月生产能力达27，000片8英寸硅片，可提供0.25/0.22/0.18/0.15/0.12微米工艺，产品类型包括：逻辑、混合信号、射频、高压器件，及掩模存储器、静态存储器、闪存、嵌入式闪存等。上海华虹

南通富士通微电子股份有限公司公告（系列）

证券代码:002156 证券简称:通富微电 公告编号:2014-053南通富士通微电子股份有限公司第四届董事会**十一次会议决议公告本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。一、董事会会议召开情况南通富士通微电子股份有限公司（以下简称“公司”）第四届董事会**十一次会议于２０１４年１１月１３日以书面通知、传真及邮件的方式发出会议通知，并于２０１４年１１月２０日在公司会议室以现场结合通讯表决方式召开。现场会议由公司董事长石明达先生主持。公司１１名董事均行使了表决权，会议实际有效表决票１１票。公司监事和**管理人员列席了本次会议。会议召开符合有关法律、行政法规、部门规章、规范性文件和公司章程的规定。二、董事会会议审议情况１、审议通过了《关于董事会换届选举的议案》公司第四届董事会任期即将届满，根据《公司法》、《公司章程》的规定，公司董事会提名石明达先生、石磊先生、高峰先生、夏鑫先生、曲渕景昌先生、八重樫郁雄先生、福井明人先生为南通富士通微电子股份有限公司第五届董事会非独立董事候选人；提名蒋守雷先生、刘剑文先生、严晓建先生、张卫先生为南通富士

吉林华微电子股份有限公司2014第三季度报告

一、重要提示1.1 公司董事会、监事会及董事、监事、**管理人员应当保证季度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。1.2 公司全体董事出席董事会审议季度报告。1.3 公司负责人夏增文、主管会计工作负责人王晓林及会计机构负责人（会计主管人员）朱晓丽保证季度报告中财务报表的真实、准确、完整。1.4本公司第三季度报告未经审计。二、公司主要财务数据和股东变化2.1主要财务数据单位：元 币种：人民币本报告期末上年度末本报告期末比上年度末增减(%)总资产3,503,162,251.073,472,279,981.690.89归属于上市公司股东的净资产1,954,614,496.271,942,557,367.090.62年初至报告期末 （1-9月）上年初至上年报告期末 （1-9月）比上年同期增减(%)经营活动产生的现金流量净额208,774,654.77151,211,423.8138.07年初至报告期末 （1-9月）上年初至上年报告期末 （1-9月）比上年同期增减 （%）营业收入953,917,585.94907,637,793.325.